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881.
882.
利用复合色彩转换膜实现白色有机电致发光 总被引:1,自引:1,他引:0
利用蓝色有机发光二极管激发荧光色彩转换膜的方法,制备了一种新型的白色有机电致发光器件.蓝色有机发光二极管的发光层采用在4,4′-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)主体中掺杂高效蓝色荧光染料N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)来制备.有机/无机复合色彩转换膜是将有机荧光颜料VQ-D25和无机荧光粉钇铝石榴石(YAG)按一定的重量比均匀分散到-[CH3CH2COOCH3]n-(PMMA)中经涂敷、固化而成.通过与单纯有机或无机色彩转换膜的比较及调整复合转换膜本身的厚度和荧光颜料的掺杂比例来优化白光器件的发光光谱,获得了色稳定性较高的白色有机电致发光器件.当驱动电压由6V升至14V时,器件的色坐标仅在(0.354,0.304)和(0.357,0.312)之间变化,其最高电流效率约为5.8cd/A(4.35mA/cm2),最高亮度为16800cd/m2(14V). 相似文献
883.
基于多尺度总体最小二乘的图像去噪 总被引:3,自引:1,他引:2
提出了一种基于多尺度总体最小二乘的图像去噪算法.采用平稳小波变换对噪音图像进行分解,分别对各个分解层的高频子带,通过总体最小二乘算法估计信号小波系数;并且考虑到不同尺度小波系数之间的相关性,将尺度相关性约束到总体最小二乘算法中,进而准确估计各高频子带信号小波系数,再由估计的信号小波系数通过小波逆变换得到去噪图像.实验结果表明,考虑尺度间相关性的总体最小二乘平稳小波变换图像去噪算法能有效去除图像噪音,在信噪比和视觉质量上有了较大改善. 相似文献
884.
885.
886.
887.
The Heavy Ion Research Facility and Cooling Storage Ring(HIRFL-CSR)accelerator in Lanzhou offers a unique possibility for the generation of high density and short pulse heavy ion beams by non-adiabatic bunch compression longitudinally,which is implemented by a fast jump of the RF-voltage amplitude.For this purpose,an RF cavity with high electric field gradient loaded with Magnetic Alloy cores has been developed.The results show that the resonant frequency range of the single-gap RF cavity is from 1.13 MHz to 1.42 MHz,and a maximum RF voltage of 40 kV with a total length of 100 cm can be obtained,which can be used to compress heavy ion beams of 238U72+ with 250 MeV/u from the initial bunch length of 200 ns to 50 ns with the coaction of the two single-gap RF cavity mentioned above. 相似文献
888.
Highly Efficient Simplified Organic Light-Emitting Diodes Utilizing F4-TCNQ as an Anode Buffer Layer 下载免费PDF全文
We demonstrate that the electroluminescent performances of organic light-emitting diodes (OLEDs) are significantly improved by evaporating a thin F4-TCNQ film as an anode buffer layer on the ITO anode. The optimum Alq3-based OLEDs with F4-TCNQ buffer layer exhibit a lower turn-on voltage of 2.6 V, a higher brightness of 39820cd/m^2 at 13 V, and a higher current efficiency of 5.96cd/A at 6 V, which are obviously superior to those of the conventional device (turn-on voltage of 4.1 V, brightness of 18230cd/m^2 at 13 V, and maximum current efficiency of 2.74calla at 10 V). Furthermore, the buffered devices with F4-TCNQ as the buffer layer could not only increase the efficiency but also simplify the fabrication process compared with the p-doped devices in which F4-TCNQ is doped into β-NPB as p-HTL (3.11 cd/A at 7 V). The reason why the current efficiency of the p-doped devices is lower than that of the buffered devices is analyzed based on the concept of doping, the measurement of absorption and photoluminescence spectra of the organic materials, and the current density-voltage characteristics of the corresponding hole-only devices. 相似文献
889.
Effect of Interface Nanotexture on Light Extraction of InGaN-Based Green Light Emitting Diodes 下载免费PDF全文
We report the enhancement of the light extraction of InGaN-based green light emitting diodes (LEDs) via the interface nanotexturing. The texture consists of high-density nanocraters on the surface of a sapphire substrate with an in situ etching. The width of nanocraters is about 0.5 μm and the depth is around 0.1 μm. It is demonstrated that the LEDs with interface texture exhibit about a 27% improvement in luminance intensity, compared with standard LEDs. High power InGaN-based green LEDs are obtained by using the interface nanotexture. An optical ray-tracing simulation is performed to investigate the effect of interface nanotexture on light extraction. 相似文献
890.