Nonlinear transforms of ECG signals for digital QRS detection: aquantitative analysis

A class of algorithms has been developed which detects QRS complexes in the electrocardiogram (ECG). The algorithms employ nonlinear transforms derived from multiplication of backward differences (MOBD). The algorithms are evaluated with the American Heart Association ECG database, and comparisons are made with the algorithms reported by Okada (1979) and by Hamilton and Tompkins (1986). The MOBD algorithms provide a good performance tradeoff between accuracy and response time, making this type of algorithm desirable for real-time microprocessor-based implementation     

BAHADUR ASYMPTOTIC EFFICIENCY IN A SEMIPARAMETRIC REGRESSION MODEL

ＢＡＨＡＤＵＲＡＳＹＭＰＴＯＴＩＣＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹＩＮＡＳＥＭＩＰＡＲＡＭＥＴＲＩＣＲＥＧＲＥＳＳＩＯＮＭＯＤＥＬ￥ＬＩＡＮＧＨＵＡ；ＣＨＥＮＧＰＩＮＧＡｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅａｕｔｈｏｒＳｇｉｖｅＭＬＥθ１ＭＬｏｆθ１ｉｎｔｈｅｍｏｄｅｌＹ＝θ...     

陆地棉体细胞胚胎的发生和遗传转化条件初探

以陆地棉（冀棉20）下胚轴为外植体，在含KT0．3mg／L和2，4－D0．08mg／L的MS培养基上，诱导产生了胚性愈伤组织，继代培养不需要添加激素，胚性愈伤组织即分化为胚状体，并萌发出小芽，胚状体萌发过程与合子胚相似，但出现了一些畸形胚，解剖学方法观察发现，这些畸形胚的维管束系统不明显或形态异常，以农杆菌介导法对冀棉20胚状体及胚性愈伤组织进行了雪花莲凝集素（GNA）基因的遗传转化条件探索，并以GUS基域瞬间进行检测加以证实，得出农杆菌的浓度为O．D600＝0．8时，浸染时间为5min，共培养时间为3d，筛选培养基中卡那霉素浓度为75mg／L，对冀棉20胚状体及胚性愈伤组织转化是较为适合的。     

Average Atom Model in Hot Plasmas

Ａｖｅｒａｇｅ　Ａｔｏｍ　Ｍｏｄｅｌ　ｉｎ　Ｈｏｔ　ＰｌａｓｍａｓＡｖｅｒａｇｅＡｔｏｍＭｏｄｅｌｉｎＨｏｔＰｌａｓｍａｓ￥ＹｕａｎＪｉａｎｈｕｉ；ＳｕｎＹｏｎｇｓｈｅｎｇ；ＺｈｅｎｇＳｈａｏｔａｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃ...     

开关磁阻电机传动技术及其应用

本文主要论述了开关磁阻电机传动技术的工作原理，系统结构和技术性能。介绍了该技术的发展背景、目前的应用情况和国内外发展水平。并对其前景表明了一些看法。     

高精度CCD尺寸自动检测系统的光学系统设计

介绍测量精度为±０．００３ｍｍ的ＣＣＤ尺寸检测系统的光学系统设计特点及远心物镜设计原理，并给出了测试结果。     

自适应有源噪声控制的滤波-LMAD算法

本文研究了稳定非高斯环境下的自适应有源噪声控制问题，提出了滤波－ＬＭＡＤ（ｌｅａｓｔｍｅａｎａｂｓｏｌｕｔｅｄｅｖｉａｔｉｏｎ）算法及归一化滤波－ＬＭＡＤ算法，仿真结果表明，与常用的滤波－ＬＭＳ算法和归－化滤波－ＬＭＳ算法相比，本文提出了算法收敛速度更快。     

一种性能良好的高锰酸根离子选择电极

在异源四倍体棉种中现已鉴定出２２个芽黄突变体、２６个芽黄基因，其中Ｖ１与Ｖ７、Ｖ２之间存在着部分同源关系。重叠牙黄基因Ｖ１６Ｖ１７的遗传主式独特，单体１测验的分离世代Ｆ２和ＢＣ恢复产生了黄化的单体株。鉴于杂中子生产现状，俄系统阐述了以芽黄作为指示性进行棉花杂种优势利用的可行性。     

Si/SiGe epitaxial-base transistors. I. Materials, physics, andcircuits

A detailed review of SiGe epitaxial base technology is presented, which chronicles the progression of research from materials deposition through device and integration demonstrations, culminating in the first SiGe integrated circuit application. In part I of this paper, the requirements and processes for high-quality SiGe film preparation are discussed, with emphasis on fundamental principles. A detailed overview of SiGe HBT device design and implications for circuit applications is then presented