Si／Si1—xGex异质结器件

本文综述了国外Si/Si_(1-x)Ge_xHBT的发展状况,把出Si_(1-x)Ge_xHBT的特点和优越性,分析了Si_(1-x)Ge_xHBT的制造技术和设备要求,指出了Si/Si_(1-x)Gex器件的应用前景。     

Tunneling dynamics and spatial correlations of long chain growth in solid-state photochlorination of ethylene at low temperatures

A novel method is described for preparing reactive mixed crystals by vapor deposition in argon and subsequent evaporation of the argon. The kinetics of photochlorination chain reactions of ethylene-chlorine mixtures prepared by this method have been studied by dynamic UV and IR spectroscopy. Activationless chain growth occurs with mean length 260±70 in the temperature range 17–45 K. Chain lengths greater than 100 are observed up to 60–70% conversion to products. Comparison of the experimental data with computer simulations shows that the tunneling reaction is due to formation of a close-packed reaction complex with high amplitude zero-point vibrations which lower the vibrationally adiabatic barrier to reaction. The commensurability of reactant and product crystal lattices results in linear propagation of long chains without accumulation of deformation strain. Spatial correlations caused by nonlinear propagation are considered.     

GeⅢ实激发组态4p5p及偶宇称高激发态能级的理论计算

利用多通道量子数损理论（ＭＱＤＴ）对二价锗离子ＧｅⅢ偶宇称１１个Ｒｙｄｂｅｒｇ序列的高激发能级进行了计算和分析，预言了各序列ｎ＜５０的高激发态能级的位置，讨论了实激态对主序列的干扰，首次预言了实激发组态４ｐ５ｐ各谱项的位置。     

欧拉游历间K1—变换下的算法复杂性

本文主要讨论了欧拉图方面的国际权威ＨｅｒｂｅｒｔＦｌｅｉｃｈｎｅｒ教授所著书［１］中的一个问题；对欧拉图Ｇ的任意两个欧拉游历要经过多少Ｋ－变换或Ｋ＾＊－变换才能从一个游历得到另一个游历？我们得到的结论是：对欧拉图Ｇ中的任两个欧拉游历Ｔ、Ｔ＇最多经过‖Ｅ（Ｇ）‖－‖Ｖ（Ｇ）‖－变换可以使Ｔ变换成Ｔ＇。且此结果不能再改进。进一步我们分别对Ｋ－变换和Ｋ＆－变换的算法复杂性进行了讨论。     

超短光脉冲作用下的二能级原子

考虑到光场的振幅随时间分布的影响时,我们重新研究了光场与二能级原子相互作用的跃迁几率问题。在强光信号作用下,经过一定的数学代换后,上能级几率的求解可归结为类希尔方程求解;在弱光信号作用下,利用转动波近似(RWA),给出了二能级原子跃迁几率的解析表达式,并讨论了几种典型脉冲光场的分布。     

共价氢化物与汞离子反应的研究：Ⅱ.痕量硒的高灵敏分析新方法

本文详细研究了硒化氢与汞离子反应条件并建立了氢化物发生－冷原子荧光法间接测定痕量硒的新方法。考察了各种实验条件，并将此方法用于合成水样分析，得到一些有意义的结果。     

重氢原子进入钛晶体中引起的晶体结构转变与电解重水过程中“过热”现象的关系

对重氢原子进入钯或钛晶体中可能引起常温核聚变的机理探讨与实验研究结果，已在文献［１］中作了报导。后来又对钛阴极材料，在使用前后进行了Ｘ射线结构分析。发现在电解过程中发生过“过热”现象的钛阴极材料的晶体结构由原来的密排六方结构转变为立方结构，而没有发生“过热”现象的钛阴极材料的晶体仍然保持电解前的密排六方结构     

适用于亚微米沟道MO SFET的阈值电压解析模型

本文利用本征函数方法,采取一定的边界条件,得到了二维泊松方程的解析解.并由此导得适用于亚微米沟道MOS场效应管阈值电压的解析表达式.本解析模型未引进复杂的几何结构参数及经验参数,适用于不同的衬底反偏电压、漏极电压等条件.这些结果与数值模拟的结果以及有关实验的结果符合得较好,对短沟道MOSFET的设计及性能的了解有实际参考价值.     

高功率激光反射镜的几个关键技术

 分析了制作高功率连续激光反射镜材料的热性能、缺陷及其加工工艺, 提出了制作高功率激光反射镜应考虑的几个关键问题: 反射镜材料的综合热性能比值S, 材料的微观结构、缺陷的大小和晶向的选择, 以及加工工艺的设计。并介绍了实验结果。     

二十一世纪通信发展走向

本文展望了２１世纪初社会、家庭、企业对通信的需求与通信在信息化社会中的重要地位，指出通信事业经营者应向社会提供什么样的通信业务（服务），应建设什么样的通信网来实现这些业务以及未来的网络需要哪些关键性通信技术来支持。