μ-四丁基已酰二胺镧(Ⅲ)的双核配合物La~2μ-[Bu~2CO(CH~2)~4CONBμ~2][Bu~2NCO(CH~2)~4CONBu~2]~2(NO~3)~6的合成和结构

合成的标题配合物晶体属三斜晶系,空间`群为P1.晶胞参数:a=1.4693(2),b=1.5882(3).c=1.9916(4)nm,α=90.92(2),β=92.93(1),γ=103.73(1)°,v=4.507nm^3,D~c=1.29g.cm^-3,Z=2配合物为双核分子,一个配物分子中有三个有机配体分子,其中一噶有机配体以两个羰基分别连结两个La(Ⅲ),此外,每个La(Ⅲ) 各有一个有机配体和三个硝酸根配位,有机配体以两个羰基配位,三个硝酸根都是双齿配体.两个La(Ⅲ)的配位数都是9.     

Stability of the Korteweg-de Vries solitary wave solution

ＳＴＡＢＩＬＩＴＹＯＦＴＨＥＫＯＲＴＥＷＥＧ－ＤＥＶＲＩＥＳＳＯＬＩＴＡＲＹＷＡＶＥＳＯＬＵＴＩＯＮＬｕＸｉａｎ－ｑｉｎｇ（吕咸青）（ＳｈａｎｄｏｎｇＥｄｕｃａｔｉｏｎＣｏｌｌｅｇｅ,Ｊｉｎａｎ）（ＲｅｃｅｉｖｅｄＪｕｎｅ１８,１９９３,Ｃｏｍｍｕｎ...     

Stability of the Burgers shock wave

This paper considers the stability of the Burgers shock wave solution with respect to infinitesimal disturbance.It is found that the Burgers shock wave is asymptotically stable in the Liapunov sense.     

KdV孤波解的稳定性

本文探讨了KdV孤波解在无穷小扰动下的稳定性,证明KdV孤波解在李亚普诺夫意义下是不稳定的.     

影响重氮片影像颜色的因素

本文探讨了重氮片的主要组份——偶合剂、重氮化合物和成膜剂对重氮片颜色的影响.试验结果说明:不同芳核结构的偶合剂以及在重氮盐中引入不同芳核和取代基对重氮片的影像颜色影响较大,另外,重氮片所用的成膜剂对其影像颜色也有影响.     

全方位气体摆式倾角传感器的结构原理

介绍了全方位气体摆式倾角传感器的敏感原理,并对几种敏感元件的结构设计方案进行了详细的分析。在影响传感器主要性能的基础上,比较了不同敏感元件的优劣,找出最合适的敏感元件结构设计,最后通过对实际制作的全方位倾角传感器进行测试,表明所介绍的全方位气体摆式倾角传感器的灵敏度达到0.1°,方位角测量范围达到360°,倾斜角度测量范围可达到25°,达到了预期的设计目的。     

S-8330在液晶显示技术中的应用

作为液晶显示主要部分之一的电源电路，直接控制提供给液晶驱动芯片的偏压。电源电路提供的液晶偏置电压在液晶显示对比度和显示灰度的控制中起着重要的作用。S－8330／8331系列芯片是日本SEIKO公司生产的用于提供液晶偏压的电源芯片。其内部有8位移位寄存器，用数字方式调整输出电压。S－8330／8331系列芯片的小体积、低功耗，高集成度等特点使其适用于电池供电的便携式设备中。     

基于双螺旋谐振器的UHF（超高频）低频段窄带高温超导滤波器设计

由于弱耦合要求和基片尺寸限制,相对带宽小于0.5%的UHF低频段(～500 MHz)窄带高温超导滤波器一直是滤波器设计制作中的难点.本文应用双螺旋弱耦合谐振器设计制作了中心频率为500 MHz,相对带宽为0.4%的窄带高温超导滤波器.通过采用80 m微带线宽工艺,六节滤波器尺寸仅为28ram 8mm.测量结果表明,未经调谐,通带内最小和最大插损分别为0.12 dB、0.46 dB,反射损耗小于-13.9 dB;带边陡峭度为34 dB/MHz,带外抑制为70dB.设计及测试结果表明,双螺旋谐振器比较适用于低频窄带滤波器的设计.     

热处理对磁控溅射法制备p-ITO(40 nm)薄膜特性的影响

为改善在实际生产中,p-ITO在膜厚较薄时所表现出的多种不良,如退火后膜质存在花斑不良、膜层易被刻蚀液腐蚀等,进行退火对p-ITO薄膜特性影响的研究。本实验利用磁控溅射法在玻璃基板上制备出40nm厚度的p-ITO膜,并在氮气环境中对膜层进行不同温度和时间的退火处理。分别采用XRD、AFM和SEM对p-ITO的结晶度和微观结构进行表征,并使用四探针(4-point probe,4P)和自动光学测试设备分别测试其方块电阻和光透射率。测试结果表明:pITO结晶温度相对于α-ITO存在严重滞后性;α-ITO(40nm)230℃已结晶充分,而p-ITO在230℃才开始结晶;p-ITO在230～250℃时结晶程度及均一性较差,导致多种特性的不稳定,比如膜质花斑状颜色差异(花斑不良),方块电阻、膜层厚度均一性差,膜层易受腐蚀等;退火温度提高到260～270℃时结晶基本完全,对薄膜的各种特性改善效果显著,如方块电阻降低、光透射率增加、花斑和腐蚀改善等。测试数据还反映出玻璃中部位置相对于边缘位置结晶程度差,可能原因为退火设备实际生产时玻璃中间位置热风阻力较边缘位置大,受热不充分导致。适当提高退火温度和时间,对pITO实际生产中遇到的多种不良有显著改善效果。     

外加场分离技术与微流控技术联用在微纳尺度物质分离中的研究进展

微纳尺度物质的分离和分选在精准医学、材料科学和单细胞分析等研究中至关重要。精准、高效和快速的分离微纳尺度物质能够为癌症的早期诊断、生物样品检测和细胞筛选提供重要帮助,其中基于外加场分离技术的分离微纳尺度物质因可以对微纳尺度物质高效在线分离和分选,被广泛应用于微纳米颗粒、外泌体以及生物细胞的分离工作中,而目前多数外加场分离技术存在装备繁琐和样品消耗大等问题。微流控技术是一种通过制作微通道和微流控芯片操纵微小流体对微纳尺度样品组分进行分离的技术,因具有快速检测、高通量、在线分离、集成性高、成本低等优势现被应用于微纳尺度物质分离分析中,是一种微纳尺度物质分离的有效方法,通过在微流控芯片上设计不同的通道及外部配件提高主动场对微纳尺度物质分离效率。外加场分离技术与微流控技术联用可以实现微纳尺度物质的无损、高效、在线分离。该综述主要概述了近年来在微流控芯片上依托流动场、电场、磁场及声场等外加场分离技术来提高对微纳尺度物质分离效率的研究现状,并将各个外力场对单细胞、微颗粒等微纳尺度物质的分离进行分类介绍,总结各自的优缺点及发展应用,最后展望了外加场分离技术与微流控技术联用在应用于癌细胞的早期筛查、精确分离微尺度物质领域的未来发展前景,并提出联用技术的优势和未来应用等。