A Concise and Stereoselective Synthesis of the Cathasterone''''s Side Chain

A concise and stereoselective synthesis of cathasterone's side chain using methyl isopropyl ketone 3 as the fragment is described.     

离散混沌电路的实现

利用基本的电子元件和基本的电路搭建成一维Logistic离散电路和二维Henon离散电路．该电路将模拟器件和数字器件巧妙结合，电路结构简单．通过模拟实验展示了混沌运动的基本特点和规律，实验结果与理论结果一致．     

含柔性长链的二元胆甾相新型液晶的制备及其性能研究

以胆甾醇和长链二元酸为原料，合成了一种柔性长链的新型小分子二元胆甾相液晶，并对其相转变过程进行了深入分析。红外光谱、核磁共振谱、质谱和元素分析证实了其分子结构，差示扫描热分析（DSC）谱图和偏光显微镜（POM）观察图像等一致表明其相转变过程完全符合胆甾相液晶的特征。说明胆甾相液晶分子的刚性大小与胆甾相液晶的形成没有直接关系，胆甾相液晶基元是其形成有序排列的决定因素。     

STUDIES ON THE DYNAMICS OF OPTICAL BISTABILITY SWITCHING IN THE INTERNAL FABRY-PEROT CAVITY WITH A CdSxSe1-x-DOPED GLASS CHANNEL WAVEGUIDE

We report the optical bistability in CdS_xSe_1-x-doped glass channel waveguide with rise and fall times of about 24 and 30ps, respectively, in bistable switching by means of fiber coupling input with a power of about 3mW. The third-order nonlinear susceptibility (x⁽³⁾) of CdS_xSe_1-x-doped glass is estimated experimentally to be 1.8×10^-9 esu. The high speed switching and the value of x⁽¹⁾ show that the optical bistability is caused by an optical nonlinearity which can be attributed to the band-filling effect.     

双模光场压缩态的实验研究

利用非简并参量下转换过程,在实验上获得了双模光场压缩态,在电磁场的一正交位相分量上噪声水平较真空噪声水平下降近30％。     

无腔自散焦全光学双稳系统的实验与理论

利用激光在吸收介质中的非线性像差自散焦效应,设计了一种具有负逻辑功能的无腔全光学双稳系统.本文描述了实验装置和实验结果.给出系统状态的解析公式,得出的理论曲线与实验曲线基本一致.     

μ-介子在Be7原子核上的俘获

利用考虑到重正化效果的普适V-A理论,本文计算了μ^-被Be⁷俘获后跃迁到Li⁷的基态与第一激发态的俘获几率,Li⁷核第一激发态的极化,以及由此跃迁到其基态时放出γ光的偏振度,其中对于不同的超精细结构态分别进行了计算,计算过程中,采用了壳层模型的原子核波函数。并假定忽略二次效应下,S态的四个核子没有参加作用。     

五维空间中电子的流体结构尝试

本文从电磁势的规范变换出发引入第五维空间和一个新场量。这个新场量在电子内部起重要作用:在电磁方程中它表现为电容率和磁导率,在短程线式的运动方程中它的梯度产生邦卡勒力。这提供在五维空间中用一束世界线组成一个有限尺寸的电子的可能性;就此流体结构本文尝试用经典力学处理。找到流体方程的稳定解,给出电子内部的电动力学,知道没有球对称解。进一步假设电子内部物质运动的短程线都是零间隔的短程线,则电子内部的新场量可以唯一决定,这样便可求轴对称解。具体计算牵涉到求解联立的非线性偏微分方程组,对此将另文报道。 关键词：     

有限厚盘的泊松积分和密度波的厚度效应

本文利用无限薄盘的泊松方程的解作格林函数,求得了对数螺旋扰动密度下有限厚盘的泊松方程的严格解.由此,讨论了各种情况下厚度对密度波存在区域的影响.     

PLZST反铁电陶瓷电场诱导相变与相稳定性的研究

在三方铁电(FE)-四方反铁(AFE)的准同型相界附近制备了一系列组份为(Pb_0.97La_0.02)(Zr_1-x-ySn_yTi_x)O₃(x=0.09或0.1;0.16≤y≤0.38)的反铁电陶瓷.研究了Sn含量y对电场诱导AFE→FE相变电场E_c、反铁电双电滞回线损耗ΔE、以及温度诱导FE→AFE相变温度T_FE，AFE→顺电(PE)相变温度T_c的影响.沿AFE-FE相界Ti含量一定的条件下，E_c随着Sn含量y的增加而增大，ΔE减小，T_FE与T_c均降低.场诱相变的回线参量E_c，ΔE与相变温度T_FE和T_c相关联.在直流偏压下用原位X-射线衍射表征了相变时晶格结构的变化，结果表明，当电场达到AFE→FE相变临界场时，伴随相变的发生，晶格结构由四方相转变为三方相，晶胞体积增大. 关键词：