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991.
在介绍数字波导网格法基本原理的基础上,采用MATLAB语言对一刚性矩形房间和一矩形教室的声场进行模拟计算,最后对应用数字波导阿格法进行了一些讨论。 相似文献
992.
介质势垒放电(DBD)等离子体中NO荧光发射谱研究 总被引:2,自引:1,他引:1
利用介质阻挡放电 (DBD)等离子体技术对大气污染物NO分子进行了光谱研究 ,得到了低气压条件下放电等离子体在 2 1 0~ 2 80nm光谱范围内的荧光发射谱。该谱明显的表现为双峰结构 ,谱线均成对出现 ,强度分布符合Frank Condon原理 ,且最大峰值位置出现在 2 36nm处 ,将该组谱线归属为NO分子的A2 ΣA →X2 Π1 / 2 ,2 / 3 跃迁。荧光产生过程为 :基态NO分子与高能电子发生非弹性碰撞被激发至激发态A2 Σ 后自发跃迁回基态同时辐射出荧光。通过测量等离子体中NO分子和N2 分子 337nm谱线强度随时间的变化关系 ,初步证实了放电等离子体中存在的NO分子的分解机制为 :e NO→N O e,N NO→N2 O ,O NO→NO2 hν。 相似文献
993.
石英玻璃的非线性极化及其光学测量 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了石英玻璃的非线性极化及其光学测量的全过程。研究了外电场对极化样品二阶大线性的影响。并用铁电极化模型作了一些理论分析。 相似文献
994.
彭苏娥 《电子产品可靠性与环境试验》2002,(6):32-36
介绍了进行电子元器件工艺控制时应满意的基本条件和主要步骤,并以电容器、集成电路为例,介绍了如何通过分析关键工艺因素与产品主要失效模式的相关性,实施有针对性的工艺控制,以便在产品生产过程中实施有效的工艺控制,稳定地提高产品的质量和可靠性。 相似文献
995.
放电等离子体中XeI准分子的形成过程 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了Xe/I2 混合气体 (气压 70~ 1330Pa)在直流辉光放电情况下XeI 准分子的形成过程 ,得到了XeI 准分子在 2 40~ 2 70nm波长范围内的荧光发射谱。并对XeI (B→X)跃迁谱线强度随混合气体压力的变化进行了实验研究 ,发现气压为 333Pa时荧光最强 ;此条件下 ,放电等离子体的电子温度为 13 2eV ,表明低气压放电等离子体中主要反应通道为快电子碰撞Xe使其跃迁至 3 P ,随之与I2 碰撞形成 XeI(A ,B ,C)。 相似文献
996.
997.
998.
通过几何过渡方法,结合重新标度连续概念,利用隐式曲面与参数曲面的各自等距曲面的交线,构成隐式曲面与参数曲面问的过渡面.用曲面的隐式与隐式、参数与参数形式,证明了所作的过渡面与给出的隐式曲面与参数曲面在连接线处是G^3连接的。 相似文献
999.
ZHANG Jianfeng YAO Minyu PENG Can ZHANG Hongming XU Qianfan GAO Yizhi 《Chinese Journal of Lasers》2002,11(3):215-218
1 Introduction Thereisastrongcommercialpressuretoupgradethecapacityoftheexistingfibersystems.However,duetothefactthatthemajorityoftheworld’sinstalledfiberareG .6 52standardfiber,whichhasalargedispersion ( 1 7ps/nm/km )at 1 550nm ,chromaticdispersionbecomesthemajo… 相似文献
1000.