多通道阵列信号处理可重构异构SoC设计

设计实现了面向多通道阵列信号处理的可重构异构SoC。SoC集成了多通道阵列信号处理需要的多个硬件加速模块,有效提高了多通道阵列信号处理系统的计算能力。通过软件对各个算法模块的输入输出流向进行重构,达到了多通道阵列信号处理算法可重构的目的,扩展了SoC的适用范围。采用55 nm工艺进行设计,版图尺寸为6.2 mm×4.5 mm,规模约为1 000万门。流片后的测试结果验证了多通道阵列信号处理算法的有效性,证明了SoC设计的正确性。     

一类非线性系统的变边界层滑模变结构控制

针对一类不确定非线性系统,在系统的非线性动态函数满足可估计和有界两个基本假设的条件下,给出了此类系统基于非线性动态函数估计的一般滑模控制设计.然后论证了此类系统的变边界层滑动模态的存在性与可达性.所设计的变边界层滑模控制律除了具有一般滑模控制率的优点外,还能够有效消除滑模控制的高频抖振.数值仿真结果证明了所设计控制率的有效性.     

粒子群算法优化神经网络结构的研究

针对BP神经网络初始权阈值确定的随机性和隐含层节点数的不确定性,通过利用十进制粒子群优化算法（DePSO）和二进制粒子群优化算法（BiPSO）,同时优化神经网络的初始权阈值和结构。通过粒子群优化算法首先确定一个较好的搜索空间,然后在这个解空间里利用BP算法对网络进行训练和学习,搜索出最优解。通过函数拟合数值实验对该模型来进行训练和测试,相比其他算法,该模型可以获得较高的预测精度,结果表明该方法是可行的。     

充电器大功率变压器的设计

介绍开关电源高频大功率变压器设计的材料选择、计算方法和过程,并给出了一个充电器大功率变压器的设计实例,实验证明该变压器符合实际要求。     

2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管

研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。     

线性调频-捷变频对三元组目标定位精度的影响

在射频仿真系统中,精确的目标角位置通过“三元组”幅相控制实现,幅相控制误差直接影响阵列上目标位置的模拟精度。当工作频率发生变化时,受阵列系统瞬时带宽的限制,目标阵列角位置的模拟精度将发生变化。本文从目标阵列的角位置模拟原理出发,分析了线性调频和频率捷变引起的通路幅度和相位误差对三元组目标定位精度的影响,为研究线性调频和捷变频状态下的目标定位控制提供了一定的依据。     

垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究

在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中常用氧化物限制结构来对其进行电流和光场的限制.分别从氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面讨论研究了它们对Al0.98Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响.最后得到最佳氧化条件:氧化温度为422℃,氧化载气的气体流量为1.5 L/min,氧化速率为0.6μm/min.用在此最佳氧化条件下氧化的外延片制成VCSEL器件,室温下其阈值电流大约为1.8 mA,最大输出功率为7.96 mW.     

基于改进U-Net网络的腺体细胞图像分割算法

针对腺体图像在自动分割过程中由于多尺度目标和信息丢失影响导致准确率降低的问题,文中采用了一种引入注意力模块的全卷积神经网络模型。该模型遵循编码器-解码器结构,在编码网络中用空洞残差卷积层代替原有的普通卷积层,并添加空洞金字塔池;再在解码网络中加入注意力模块,使模型输出高分辨率特征图,提高对多尺度目标的分割精度。实验结果表明,提出的网络模型参数少分割精度高,对腺体图像的平均分割精度高达89.7%,具有较好的鲁棒性。     

半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR) 的分子束外延生长

用分子束外延技术(MBE)生长了以GaAs/AlAs超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的P型半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR)．此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为850nm．由实验表明,19个周期的反射镜获得了高达99％以上的高反射率．与此同时,采取自行设计的二次钨丝掩膜质子注入法制成15μm×15μm的正方形电流注入区,以此测定P型反射镜的串联电阻,克服了湿化学腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点,实验得出此P型反射镜的串联电阻仅为50Ω左右．在生长过程中,发现在只含一个铝源的分子束外延生长系统中,生长这种半导体/超晶格反射镜相对其他半导体/半导体反射镜要节省很多外延生长时间,因此较适合应用于多层结构的光电器件中．     

On Direct Transformation Approach to Asymptotical Analytical Solutions of Perturbed Partial Differential Equation

In this article, we will derive an equality, where the Taylor series expansion around ε = 0for any asymptotical analytical solution of the perturbed partial differential equation (PDE) with perturbing parameter ε must be admitted.By making use of the equality, we may obtain a transformation, which directly map the analytical solutions of a given unperturbed PDE to the asymptotical analytical solutions of the corresponding perturbed one. The notion of Lie-B(a)cklund symmetries is introduced in order to obtain more transformations. Hence, we can directly create more transformations in virtue of known Lie-B(a)cklund symmetries and recursion operators of corresponding unperturbed equation. The perturbed Burgers equation and the perturbed Korteweg-de Vries (KdV) equation are used as examples.