首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1513668篇
  免费   31543篇
  国内免费   8316篇
化学   655902篇
晶体学   20214篇
力学   74429篇
综合类   102篇
数学   240031篇
物理学   366998篇
无线电   195851篇
  2021年   14777篇
  2020年   17379篇
  2019年   17507篇
  2018年   13268篇
  2016年   29640篇
  2015年   21754篇
  2014年   32765篇
  2013年   78610篇
  2012年   39237篇
  2011年   35472篇
  2010年   39319篇
  2009年   44384篇
  2008年   39050篇
  2007年   35901篇
  2006年   43051篇
  2005年   35155篇
  2004年   36711篇
  2003年   34664篇
  2002年   35702篇
  2001年   34495篇
  2000年   30946篇
  1999年   28698篇
  1998年   27356篇
  1997年   27251篇
  1996年   26853篇
  1995年   24681篇
  1994年   24134篇
  1993年   23515篇
  1992年   23093篇
  1991年   23365篇
  1990年   22108篇
  1989年   21723篇
  1988年   20851篇
  1987年   19641篇
  1986年   18438篇
  1985年   25005篇
  1984年   26197篇
  1983年   22169篇
  1982年   23629篇
  1981年   22818篇
  1980年   22064篇
  1979年   21908篇
  1978年   23195篇
  1977年   22742篇
  1976年   22339篇
  1975年   21002篇
  1974年   20607篇
  1973年   21137篇
  1972年   15342篇
  1967年   13118篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 7 毫秒
101.
In many organic electronic devices functionality is achieved by blending two or more materials, typically polymers or molecules, with distinctly different optical or electrical properties in a single film. The local scale morphology of such blends is vital for the device performance. Here, a simple approach to study the full 3D morphology of phase‐separated blends, taking advantage of the possibility to selectively dissolve the different components is introduced. This method is applied in combination with AFM to investigate a blend of a semiconducting and ferroelectric polymer typically used as active layer in organic ferroelectric resistive switches. It is found that the blend consists of a ferroelectric matrix with three types of embedded semiconductor domains and a thin wetting layer at the bottom electrode. Statistical analysis of the obtained images excludes the presence of a fourth type of domains. The criteria for the applicability of the presented technique are discussed. © 2015 Wiley Periodicals, Inc. J. Polym. Sci., Part B: Polym. Phys. 2015 , 53, 1231–1237  相似文献   
102.
103.
Bochkareva  N. I.  Ivanov  A. M.  Klochkov  A. V.  Kogotkov  V. S.  Rebane  Yu. T.  Virko  M. V.  Shreter  Y. G. 《Semiconductors》2015,49(6):827-835
Semiconductors - It is shown that the emission efficiency and the 1/f noise level in light-emitting diodes with InGaN/GaN quantum wells correlate with how the differential resistance of a diode...  相似文献   
104.
Physics of Atomic Nuclei - We have studied the mechanisms influencing production of cumulative pions and protons in the fragmentation of the incident deuterons into cumulative pions and protons...  相似文献   
105.
106.
Unsteady transitions of separation patterns in single expansion ramp nozzle   总被引:2,自引:0,他引:2  
Y. Yu  J. Xu  K. Yu  J. Mo 《Shock Waves》2015,25(6):623-633
  相似文献   
107.
We have synthesized a series of triarylamine‐cored molecules equipped with an adjacent amide moiety and dendritic peripheral tails in a variety of modes. We show by 1H NMR and UV/Vis spectroscopy that their supramolecular self‐assembly can be promoted in solution upon light stimulation and radical initiation. In addition, we have probed their molecular arrangements and mesomorphic properties in the bulk by integrated studies on their film state by using differential scanning calorimetry (DSC), variable‐temperature polarizing optical microscopy (VT‐POM), variable‐temperature X‐ray diffraction (VT‐XRD), and atomic force microscopy (AFM). Differences in the number and the disposition of the peripheral tails significantly affect their mesomorphic properties associated with their lamellar‐ or columnar‐packed nanostructures, which are based on segregated stacks of the triphenylamine cores and the lipophilic/lipophobic periphery. Such structural tuning is of interest for implementation of these soft self‐assemblies as electroactive materials from solution to mesophases.  相似文献   
108.
109.
110.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号