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61.
本文讨论圆形区域内芽虫分布模型,特别研究了芽虫与天敌接触时产生与避免outbreak状态的可能性。  相似文献   
62.
提要控制降低高频硅功率整流器和半导体开关元件内少数载流子寿命,已经成为可能。关于用0.8~12兆电子伏能量的电子和Co~(60)γ射线,辐照硅功率器件,改变器件的开关性能的有效性已进行研究,并与金或铂扩散器件进行了比较。在两极管中,正向电压降和反向恢复电荷或反向恢复时间,在半导体开关元件内正向电压降和断开时间,由金扩散器件提供了最佳的协调。但是,由于金扩散器件的泄漏电流大,限止了它的最高运行温度,使这个优点被稍微抵销。此外,辐照提供了更为精确,均匀和重复的寿命控制方法。  相似文献   
63.
The operator sets, which are the subject of this paper, have been studied in many papers where, under different restrictions on the generating operators, convexity, compactness in the weak operator topology, and nonemptiness were proved for sets of different classes under study. Then the results obtained were used in these papers to solve several applied problems. Namely, they played the key role in establishing the dichotomy of nonautonomous dynamical systems, with either continuous or discrete time. In the present paper, we generalize and sharpen the already known criteria and obtain several new criteria for convexity, compactness, and nonemptiness of several special operator sets. Then, using the assertions obtained, we construct examples of sets of the form under study which are nonconvex, noncompact in the weak operator topology, as well as empty, and are generated by "smooth" operators of a special class. The existence problem for such sets remained open until the authors of this paper announced some of its results.  相似文献   
64.
高压热处理对氧沉淀低温形核的影响   总被引:2,自引:2,他引:0  
研究了外加高压(1GPa)下对450℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响.透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品,高压处理的样品会产生密度更高、尺寸更小的氧沉淀,表明高压有利于小直径氧沉淀的生成.电学性能测试表明,高压下处理的样品其热施主生成浓度和生成速率远远高于常压下处理的样品,这表明热施主与低温热处理过程中生成的高浓度氧沉淀核心有密切的关系.  相似文献   
65.
我今天很高兴能来到这里与你们一起讨论关于AV通信产业所面临的全球性机遇以及中国AV通信产业如何随着世界市场共同成长的问题。从某种意义上讲,我们所面临的机遇是无限的,因为对于政府、商务、教育和几乎其他所有机构的未来通信基础构造而言,AV通信将是极其关键的。  相似文献   
66.
67.
CCITT和ISO现在正在开发统一质量的的数据传送业务和支持这种业务的传送协议的国际标准,这些标准用于独立于网络的通用网络。本文对传送业务的用途、结构,以及它和通信网的关系进行了介绍。同时也对所开发的传送业务和协议标准作了叙述。  相似文献   
68.
A sufficient condition for the order of approximation of a continuous 2π periodic function with a givenmajorant for the modulus of continuity by the [F, d_n] means of its Fourier serier to be of Jackson order isobtained. This sufficient condition is shown to be not enough for the order of approximation by partial sums oftheir Fourier series to be of Jackson order. The error estimate is shown to be the best possible.  相似文献   
69.
亚微米MOS场效应管的完全解析二维模型   总被引:3,自引:1,他引:2  
本文对二维非线性泊松方程这一基本问题进行了求解.采用一个微分算符将泊松方程分解成自由载流子部份和掺杂分布部份.自由载流子部份正是著名的刘维方程,具有解析解。掺杂分布部份采用“相似变换”的方法予以求解.将包含自由载流子影响的完全的二维电势分布用于亚微米MOS场效应管,得到了阈值电压的解析模型.它能很好地说明短沟道效应.本解析模型的特点是其完整性及简单性.它能很方便地用于器件模拟,也能推广到三维情况.  相似文献   
70.
The present paper establishes sufficient conditions for the uniformly bounded of any solution of (1.1) and which tend to zero as t → ∞.  相似文献   
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