薄膜干涉型光学全通滤波器的设计与分析

设计并分析了用于多信道色谱补偿的薄膜Gires-Tournois干涉仪（GTI）型光学全通滤波（OAPF），讨论了反射镜的膜层结构对器件 的群延迟谱和反射谱的影响，。以及大角度入射引起的偏分离现象和幅度畸变现象，给出了单级和多级串拉OAPF的初步设计结果。     

边界衍射波理论公式的准确性数值分析

利用数值分析的方法分析了由边界波理论公式所得的圆形光阑衍射场的光强分布.通过对边界波理论公式所得的光强分布曲线,对几何照明区与阴影区的光强分布曲线与面衍射积分公式所得的光强分布曲线进行比较,分析了边界波理论公式对衍射场描述的准确性.     

激光调Q CAI

从激光调Q速率方程出发,分析推导了激光调Q过程中,腔内光子数与工作物质内反转粒子数间的关系.再根据激光调Q的过程中,对腔Q值控制方式不同,将激光调Q技术分为:转镜调Q、声光调Q、电光调Q、饱和吸收调Q和脉冲透射式调Q.用C语言进行了激光调Q CAI软件的开发研制,获得了将文学、图形、动画和计算融为一体的,直观而生动地将调Q的理论和过程再现于屏幕的CAI课件.介绍了课件的内容、结构及其特点.     

Structure and magnetic properties of nanocrystalline ferromagnets (II)

The role of magnetoelastic coupling effects in nanocrystalline ferromagnets is investigated by means of high-field magnetization and Doppler-broadening spectrum measurements. For the nanocrystalline Fe_{73 5}Cu₁Nb₃Si_13.5B₉ alloy, the results show that the pinning effects resulting from the quasidislocation dipole intensely influence the movement of domain wall; by coupling with the magnetostriction the defects-induced stress fields determine the magnetic properties at the early stage of crystallization. In view of the effective anisotropy and magnetoelastic coupling energy the optimal annealing conditions of alloys are discussed.     

分子振动态及其跃迁的激光相干控制

讨论了激光合成相干叠加态的原理及其性质 ,针对 XY2 型分子 ,证明了合成局域模振动的可行性 ,然后给出相干叠加态的跃迁几率特征 ,发现它仍表现出相干的特性 ,对之进行分析研究表明 ,分子的振动态具有可控性 ,态跃迁几率具有可控性。     

黄酮类天然产物13C NMR数据的计算机检索和辅助解析(Ⅱ)黄酮类天然产物的13C NMR数据规律及其在智能解析中的应用

本文通过对大量的黄酮类化合物¹³C NMR图谱的分析和研究,总结了不同类型的黄酮类化合物的¹³C NMR图谱特征及化学位移规律.对影响黄酮类化合物结构骨架上不同位置碳原子化学位移的因素进行了分析,建立了用于黄酮类天然产物¹³C NMR图谱智能解析的知识库.     

反常声电光频谱分析器

介绍了一种新型的反常声电光频谱分析器，它可以采用外加电压的办法改变器件的中心频率，扩大器件的频带宽度，并改善器件在频带宽度范围内的频率响应特性。用ＬｉＮｂＯ３制作了一个６０ＭＨｚ的反常声电光频谱分析器件，测试结果表明，器件中心频率可以由５０ＭＨｚ变到７０ＭＨｚ，频带宽度由原来的２６ＭＨｚ扩大到３７ＭＨｚ。     

Si_（1－x）Ge_x／Si定向耦合器的研制

在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦合效率达到９８．１％     

G.652光纤上的2.5Gbit／s色散受限系统

本文根据色散受限中继段长度的计算，对实际工程中１５５０ｎｍ波长２．５Ｇｂｉｔ／ｓ系统进行计算比较得出啁啾声引起的色散不容忽视，它使２．５Ｇｂｉｔ／ｓ成为色散受限系统。对１３１０ｎｍ波长６２２Ｍｂｉｔ／ｓ系统，当使用多纵模激光器时，往往也会成为色散受限系统。     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。