HEMT太赫兹探测器响应度和NEP的检测与分析

在0.8～1.1 THz内,对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹探测器的响应度和噪声等效功率进行了具体测试和分析。在太赫兹波辐射下,HEMT太赫兹探测器源漏端产生能被栅压灵敏调控的直流光电流。该型探测器在300 K和77 K下的电流响应度分别为83 mA/W和4.1 A/W,电压响应度分别为4 kV/W和50 kV/W,噪声等效功率分别达到22 pW/Hz0.5和1 pW/Hz0.5。采用两种较为典型的测量方法,通过对实验结果的比较,确定了影响该类型探测器的响应度和噪声等效功率的主要因素,并提出了增强响应度和降低噪声等效功率的具体措施。     

RTD表观正阻与串联电阻非本征双稳态的相关性

在RTD的I-V特性测量过程中,有时在负阻区出现VP>VV的情况,一般称为表观正阻(APR)现象。通过RTD/RS锁定电路负载线分析,证实APR起源于RTD串联电阻非本征双稳态线。     

一种自组织结构的神经网络模式分类器

本文研究了一种自组织结构的神经网络模式分类器．它由一个多层网络和一个自组织机构组成．通过对训练样本的聚类分析，它能有效地构造和训练网络，并能在学习过程中自适应地调节网络结构．它具有收敛速度快，能避免局部极值点和应用方便等显著优点．计算机模拟实验证实了其优越性．     

光纤电流互感器平均波长漂移变比误差

全温条件下(-40~60℃)测量精度误差较大是影响光纤电流互感器实用化进程的主要原因之一。传感光纤的维尔德常数随光纤内光波平均波长变化,导致系统输出变比漂移,从而降低系统的测量精度。理论分析了光谱平均波长与系统输出变比之间的关系,并通过实验验证了关系式的准确性。分别对光纤电流互感器光路各组成器件对通过光平均波长的影响进行了分析,实验测量了变温条件下平均波长变化的趋势以及程度。提出了起偏器与延迟光纤在变温条件下对平均波长影响的自补偿方案,有效的减小了传感光纤中平均波长的漂移程度。保证光纤电流互感器在变温条件下到达0.2 s级精度要求。同时为适应更高测量精度应用场合提供了参考。     

1.3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长

报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量子点密度可以控制在(1～7)×1010cm-2范围之内,而面密度处于4×1010cm-2时有良好的光致发光谱性能.含有三到五层1. 3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射.     

基于三维分层图模型的复杂情况下多运动目标跟踪

复杂情况下的多运动目标跟踪是视频监控中的关 键问题,在多目标运动中相互遮挡时二维视觉信息容易丢失而造 成无法准确跟踪识别目标。本文采用kinect摄像机获取三维视觉信息,从节点、边、空间结 构三个层次上建立目标的三维分 层图模型表征目标的三维特征,并在每层进行通过视频帧间的匹配从而获得三维分层图模型 匹配结果,并根据匹配结果先初 步分析目标跟踪情况,如发生遮挡则通过遮挡区域聚类块与三维分层图模型中各特征匹配确 定其匹配结果,从而得到多运动 目标在复杂运动情况中的跟踪结果。实验表明,在实验室kinect拍摄的视频序列上当目标出 现遮挡等复杂情况,也能取得较 好的跟踪结果,在实验视频中比经典方法的跟踪总体性能指标改善约3%,说明本方法能较好 地实现复杂情况下的多运动目标跟踪。     

基于共振隧穿二极管的蔡氏电路设计研究

首次提出一种基于共振隧穿二极管的蔡氏电路.利用共振隧穿二极管(RTD)的负微分电阻特性,采用驱动点特性合成的方法,实现了蔡氏电路中的分段线性电阻,通过一组参数的选取,进而实现了蔡氏电路,并用PSpice模拟软件进行了仿真验证.相对于用传统方法实现的蔡氏电路,基于RTD的蔡氏电路具有电路结构更加简洁、便于集成的特点.     

基于纹理特征的能见度测量时段区分方法

为了进行能见度的数字摄像法测量,提出了基于纹理特征的能见度昼夜时段区分方法。从直方图分析中得到的纹理参数,包括灰度均值、方差、熵和扭曲度,均能反映出两类图像所特有的纹理特征。通过对纹理参数的统计分析,能够准确得到能见度测量的白天和夜间时段。将该方法用软件编程实现,表明该方法准确、可靠,为数字摄像法测量能见度的进一步研究奠定了基础。     

基于SP4T开关的4位MEMS开关线式移相器设计

设计了一款4位MEMS开关线式移相器,由SP4TMEMS开关和微带传输线构成,工作于X波段。单刀四掷(single pole 4throw,SP4T)开关用于切换两条不同电长度的信号通道,即参考相位通道和延迟相位通道。每个SP4T开关包含4个悬臂梁接触式RF MEMS串联开关。介绍了4位MEMS开关线式移相器的总体设计,并给出了其关键部件SP4T开关和相位延迟线的设计细节。采用ADS软件仿真分析了器件的电气性能。仿真分析得到:SP4T开关在中心频率10GHz处的回波损耗为-36dB,插入损耗约为0.18dB;移相器各相位的回波损耗均低于-15dB,插入损耗为-0.8～-0.4dB。这种射频MEMS移相器具有小型化、低功耗和高隔离度的优点。     

3D Graphene Films Enable Simultaneously High Sensitivity and Large Stretchability for Strain Sensors

Integration of 2D membranes into 3D macroscopic structures is essential to overcome the intrinsically low stretchability of graphene for the applications in flexible and wearable electronics. Herein, the synthesis of 3D graphene films (3D‐GFs) using chemical vapor deposition (CVD) is reported, in which a porous copper foil (PCF) is chosen as a template in the atmospheric‐pressure CVD preparation. When the 3D‐GF prepared at 1000 °C (noted as 3D‐GF‐1000) is transferred onto a polydimethylsiloxane (PDMS) membrane, the obtained 3D‐GF‐1000/PDMS hybrid film shows an electrical conductivity of 11.6 S cm^?1 with good flexibility, indicated by small relative resistance changes (ΔR/R₀) of 2.67 and 0.36 under a tensile strain of 50% and a bending radius of 1.6 mm, respectively. When the CVD temperature is reduced to 900 °C (generating a sample noted as 3D‐GF‐900), the 3D‐GF‐900/PDMS hybrid film exhibits an excellent strain‐sensing performance with a workable strain range of up to 187% and simultaneously a gauge factor of up to ≈1500. The 3D‐GF‐900/PDMS also shows a remarkable durability in resistance in repeated 5000 stretching‐releasing cycles. Kinetics studies show that the response of ΔR/R₀ upon strain is related to the graphitization and conductivity of 3D‐GF which are sensitive to the CVD preparation temperature.