首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2537篇
  免费   479篇
  国内免费   536篇
化学   1078篇
晶体学   47篇
力学   84篇
综合类   21篇
数学   196篇
物理学   593篇
无线电   1533篇
  2024年   13篇
  2023年   36篇
  2022年   107篇
  2021年   92篇
  2020年   92篇
  2019年   90篇
  2018年   67篇
  2017年   122篇
  2016年   86篇
  2015年   123篇
  2014年   137篇
  2013年   203篇
  2012年   207篇
  2011年   211篇
  2010年   246篇
  2009年   237篇
  2008年   242篇
  2007年   228篇
  2006年   224篇
  2005年   209篇
  2004年   138篇
  2003年   86篇
  2002年   80篇
  2001年   85篇
  2000年   57篇
  1999年   34篇
  1998年   18篇
  1997年   6篇
  1996年   5篇
  1995年   8篇
  1994年   7篇
  1993年   9篇
  1992年   8篇
  1991年   5篇
  1990年   4篇
  1989年   4篇
  1988年   1篇
  1987年   2篇
  1986年   7篇
  1984年   3篇
  1982年   1篇
  1980年   3篇
  1979年   2篇
  1978年   2篇
  1977年   2篇
  1975年   1篇
  1973年   1篇
  1972年   1篇
排序方式: 共有3552条查询结果,搜索用时 930 毫秒
111.
牛吉韬  刘光祜 《电子与封装》2006,6(11):27-31,47
介绍了阶跃阻抗谐振器(SIR)结构和原理,分析了这种结构谐振器的优越性,在此基础上结合平行耦合线滤波器设计原理设计了一个平行耦合SIR带通滤波器。结合射频和微波电路CAD软件——Angilent ADS2003对其参数进行了仿真和优化,大大提高了设计效率和质量。通过仿真结果表明,能够满足工程设计要求。  相似文献   
112.
超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求。因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点。本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望。  相似文献   
113.
近年来InAs/GaSb二类超晶格红外探测器在材料晶体结构生长、器件结构设计与成像应用方面取得了飞速发展。尤其在多色红外探测方面,二类超晶格材料以其具备的带隙可调、暗电流小、量子效率高、材料均匀性高,以及成本低等优越性能,使其逐步成为第三代红外焦平面探测器的优选材料。本文阐述了锑化物窄带隙半导体研究中心的锑化物多色红外探测器研究进展。本团队成功实现了低噪声、高量子效率以及低光学串扰的短/中、短/长、中/长、长/长、中/长/甚长波等多种高性能多色红外探测器研制。  相似文献   
114.
掺杂TBPe的单一发光层白色OLEDs研究   总被引:7,自引:7,他引:0  
以聚合物poly(N-vinylcarbazole)(PVK)为主体材料,分别掺入蓝光染料2,5,8,11-tetra-tertbutylperylene(TBPe)和橙黄光染料5,6,11,12-tetraphenyl-naphthacene(Rubrebe),制成单层白色有机电致发光器件(WOLED)。通过多组实验结果的对比,最终确定了最佳染料掺杂浓度和器件结构,得到最佳色举标为(0.33,0.38),已位于该坐标的白色等能区之内,且随着外加电压由8V增加到16V,色坐标保持不变。器件的亮度为553cd/m^2,外量子效率为0.16%。  相似文献   
115.
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管(LED),研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差。因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制。  相似文献   
116.
把分析测试工作中常用来制备高纯水的石英亚沸蒸馏器用于浓缩富集自来水中的铅、镉,并用火焰原子吸收光谱法对铅、镉进行测定.  相似文献   
117.
一种新型平板彩色显示器件的制备和光谱分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
以MEH-PPV(聚[2-甲氧基-5-(2′-乙基己氧基-对苯乙烯)])和Alq3作为发光层, 成功制备出ITO/SiO2/MEH-PPV/SiO2/Al结构和ITO/SiO2/Alq3 /SiO2/Al结构的固态阴极射线器件。通过分析SSCL光谱,认为这些高速电子激发有机材料后形成Frenkel激子。当器件两个电极之间加的电压比较低时,有机薄膜层的场强也比较低,这些激子被解离的概率很小,从而产生的是激子发光的长波发射;当器件两个电极之间加的电压比较高时,有机薄膜层的场强很高, 在有机层形成的激子大部分被解离, 解离后的电子直接跃迁至LUMO(lowest unoccupancied molecular orbit),这些电子弛豫后从LUMO能级到HOMO(highest occupancied molecular orbit )能级直接辐射跃迁, 接着重新复合发光,从而产生短波发射。制作的固态阴极射线器件可以实现全色发光, 提高发光效率和加强蓝光发射。作者可以预期所研制出的这种SSCL器件必将引发平板显示领域一场新的革命性变革。  相似文献   
118.
该文利用基于射线的盲解卷积方法,从直达声区的水面舰船噪声中提取出船和锚系于海底的垂直接收阵之间的时域信道响应,并利用直达波在不同阵元相对于参考阵元的到达时间差,通过序贯方法,利用射线模型和声速剖面信息,对水面舰船距接收阵的距离进行了估计。通过处理海深约为580 m的2016年美国圣巴巴拉海峡的实验数据,对1.6~3.5 km直达声区范围内Anna Maersk商船与垂直阵之间的距离进行了估计,验证了测距方法的有效性,并将结果与系统测量值和几何方法的估计值进行了比较。由于该方法不需要对海底参数进行估计,所以在海底参数未知时要优于传统匹配场方法;在声速剖面存在跃层且海底为多层分布的复杂信道条件下,该方法仍能对距离进行有效估计,且与测量值的相对误差在6%以内,小于几何方法的估计误差,测距结果精度较高。  相似文献   
119.
Keggin结构杂多酸热性质研究   总被引:48,自引:1,他引:48  
本文利用DSC, TG-DTA, X射线衍射, 变温红外光谱和溶解性试验方法, 系统地研究了Keggin结构杂多酸HnXM12O40(X=Si, P, Ge; M=Mo, W)的热稳定性, 提出杂多化合物热分解的新判据, 给出了Keggin结构杂多酸的热分解过程, 推导出预测热分解温度的半经验公式。  相似文献   
120.
温和条件下电活化co2合成碳酸二甲酯   总被引:1,自引:0,他引:1  
在含0.1mol/L四乙基铵四氟硼酸盐的乙腈和N,N-二甲基甲酰胺溶液中,研究了CO2在铜电极上的循环伏安行为。结果表明,CO2在电位E=-2.3V(vs.Ag/AgI)发生不可逆还原。在常压CO2气气氛下,含0.1mol/L四乙基铵四氟硼酸盐的乙腈溶液的一室型电解池中,以镁为牺牲阳极,铜为工作电极,Ag/AgI电极为参比电极,在一定电位下电解时,CO2可以被电活化并与甲醇反应,加入烷基化试剂碘甲烷后可得碳酸二甲酯(DMC)。该合成方法安全清洁、体系简单、实验条件温和。考察了电解电位、通电量、反应温度、支持电解质、溶剂、电极材料等对电解产率的影响。确定当E=-2.3V(vs.Ag/AgI),通电量为理论电量,以四乙基铵四氟硼酸盐为支持电解质,乙腈为溶剂,在25℃和常压下反应,DMC产率最高,为14.92%。表明以CO2和甲醇为原料在温和条件下(PCO2=1.0atm,T=25℃)电合成制备DMC具有一定的可行性。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号