拖曳线列阵用光纤水听器的研究

报道了光纤水听器用于拖曳线列阵的研究结果。在保证光纤水听器声相位灵敏度的前提下, 优化设计了光纤水听器的结构,降低了光纤水听器的加速度灵敏度36dB。实验测得在20-1600Hz 频段,该光纤水听器的相位灵敏度为-162．7dB,频段内灵敏度的起伏为±0．7dB,加速度灵敏度小于-30dB。     

重离子治疗计划系统的构想

对重离子柬治癌的优势进行简要的回顾，并着重介绍了用于重离子放射治疗的治疗计划系统。治疗计划系统是一套软件系统，不同的硬件设施应有与其相匹配的软件系统，即治疗计划系统。在此基础上，针对兰州重离子加速器的特点提出一些关于治疗计划系统方面的构想。After a brief review concerning the advantages of heavy ions in radiotherapy, more interests are concentrated on treatment planning system （TPS） for heavy ion radiotherapy. Compared to the hardware devices such as accelerator and beam delivery system, the TPS is a set of software system, and different therapy facilities require their corresponding TPSs. Based on the specialities of the Heavy Ion Research Facility in Lanzhou （HIIRFL）, some suggestions on the TPS for tumor therapy at HIRFL finally are given.     

红外小目标与背景辐射对比度的研究

红外目标与背景的对比度特征是红外探测系统检测的重要特征。研究了目标和背景在探测器上的辐射照度,提出了一种红外小目标与背景的辐射对比度,分析了该目标与背景对比度的相关因素。     

四阶微分方程三点边值问题的奇摄动

该文用Ｓｈａｕｄｅｒ不动点定理及微分不等式理论研究了一类非线性四阶常微分方程三点边值问题的存在性，并利用边界层校正法获得解及其二阶导数的高阶渐进展开式．     

红外警戒系统作战环境的计算机仿真

文中论述了红外警戒系统视景仿真研究的主要内容，给出了仿真软件流程。探讨了满足红外警戒系统全方位、多目标视景生成的实时性方法。     

微分脉冲溶出伏安法同时测定食品中的锌铁锰

在1％乙二胺-0．1mol／L酒石酸钠-pH11．82 Britton—Robinson缓冲溶液体系中用微分脉冲溶出伏安法同时测定锌、铁、锰三种微量元素。它们的峰电位分别为-1184，-1392和-1456mV(vs．Ag/AgCl)；线性范围分别为：0.001—0.015，0．005—0．05和0．04—0．7μg／mL，最低检出浓度分别为0．0007，0．0014和0．0193μg／mL。本法操作简便、准确、灵敏度较高，用于食品中这三种元素的分析，结果令人满意。     

von-Neumann正则环与左SF-环

环R称为左SF-环,如果每个单左R-模是平坦的.众所周知,Von-Neumann正则环是SF-环,但SF-环是否是正则环至今仍是公开问题,本文主要研究左SF-环是正则环的条件,证明了:如果R是左SF-环且R的每个极大左(右)理想是广义弱理想,那么R是强正则环.并且推广了Rege[3]中的相应结果.     

改进型迈克耳孙干涉仪

采用分光梭镜代替迈克耳孙干涉仪中的分束镜和补偿板，不仅消除了杂散光斑，且简化了仪器的结构．     

一个素变数丢番图不等式

本文证明了如果1相似文献   

Effects of Post-Thermal Treatment on Quality of SiC Grown by PVT Method

We report the effects of post-thermal treatment on the quality of 2-inch 6H-SiC wafer cut from a crystal boule grown by physical vapour transportation method. The full widths at half maximum of x-ray diffraction rocking curves measured on sites across the 2-inch wafer become narrower, indicating the quality improvement after a three-step post-thermal treatment. It is found that the most common defects such as micropipes and inclusions can be significantly reduced after the treatment. Our results show that the post-thermal treatment is an effective route to improve the quality of SiC single crystals.