全文获取类型
收费全文 | 51903篇 |
免费 | 7802篇 |
国内免费 | 5907篇 |
专业分类
化学 | 28047篇 |
晶体学 | 516篇 |
力学 | 2377篇 |
综合类 | 369篇 |
数学 | 4710篇 |
物理学 | 14615篇 |
无线电 | 14978篇 |
出版年
2024年 | 237篇 |
2023年 | 1202篇 |
2022年 | 1670篇 |
2021年 | 1959篇 |
2020年 | 1965篇 |
2019年 | 1873篇 |
2018年 | 1630篇 |
2017年 | 1695篇 |
2016年 | 2280篇 |
2015年 | 2411篇 |
2014年 | 2938篇 |
2013年 | 3743篇 |
2012年 | 4299篇 |
2011年 | 4393篇 |
2010年 | 3260篇 |
2009年 | 3282篇 |
2008年 | 3577篇 |
2007年 | 3069篇 |
2006年 | 2900篇 |
2005年 | 2447篇 |
2004年 | 1806篇 |
2003年 | 1507篇 |
2002年 | 1443篇 |
2001年 | 1169篇 |
2000年 | 1079篇 |
1999年 | 1129篇 |
1998年 | 939篇 |
1997年 | 828篇 |
1996年 | 774篇 |
1995年 | 700篇 |
1994年 | 594篇 |
1993年 | 512篇 |
1992年 | 435篇 |
1991年 | 390篇 |
1990年 | 308篇 |
1989年 | 258篇 |
1988年 | 174篇 |
1987年 | 177篇 |
1986年 | 118篇 |
1985年 | 128篇 |
1984年 | 85篇 |
1983年 | 64篇 |
1982年 | 66篇 |
1981年 | 32篇 |
1980年 | 22篇 |
1979年 | 11篇 |
1978年 | 5篇 |
1977年 | 4篇 |
1976年 | 6篇 |
1957年 | 8篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
L.-Q. Han S.-Y. Zhao Y.-D. Zhou P.-L. Zhang 《Applied physics. B, Lasers and optics》1997,65(3):399-402
Received: 18 June 1996/Revised version: 3 January 1997 相似文献
72.
155Mb/s时分光交换系统 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了国内第一个155Mb/s时分光交换实验系统。系统以新型半导体光器件-半导体光开关门为核心构成,传输速度为155Mb/s。 相似文献
73.
74.
液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
液相添加剂AST(Al2O3+SiO2+TiO2)对BaTiO3陶瓷材料电性能的影响很大,随着Al2O3含量的增加,材料的电性能降低;SiO2、TiO2的物理特性对材料电性能影响较大;过量TiO2对材料PTC效应有重要影响,适当过量TiO2含量,可得到性能优良的PTCR陶瓷。 相似文献
75.
76.
张(1884—1950),植物学家和生物学教育家.中国近代植物学的先驱、现代实验性植物生理学和植物生态学的奠基人.最先自编我国第一套植物学、植物形态学、植物解剖学、种子植物分类学、植物生态学和植物生理学教科书.长期从事植物学科的教学和研究工作,为我国的生物科学和教育事业的建立和发展,贡献了自己的一切知识和力量. 相似文献
77.
78.
Cheol-Min Park Byung-Hyuk Min Jae-Hong Jun Juhn-Suk Yoo Min-Koo Han 《Electron Device Letters, IEEE》1997,18(1):16-18
We have fabricated a self-aligned offset-gated poly-Si thin film transistor (TFT) by employing a novel photoresist reflow process. The gate structure of the new device is consisted of two unique patterns: A main-gate and a sub-gate. The new fabrication method extends the gate-oxide over the offset region. With the assistance of the sub-gate and reflowed photoresist a self-aligned offset region is successfully obtained due to the offset oxide acting as an implantation mask. The poly-Si TFT with symmetrical offsets is easily fabricated and the new method does not require any additional offset mask step. Compared with the misaligned offset gated poly-Si TFTs, excellent symmetric electrical characteristics are obtained 相似文献
79.
We study a generalization of the notion of the chromatic number of a graph in which the colors assigned to adjacent vertices are required to be, in a certain sense, far apart. © 1993 John Wiley & Sons, Inc. 相似文献
80.