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161.
Tao Jin Feng-Xian Jiang Xiao-Li Li Fang Wang Xiao-Hua Shen Rui-Qiang Zhang Hai-Shun Wu 《Applied Surface Science》2006,253(5):2708-2712
CoPt/Ag and [C/CoPt]n/Ag thin films have been prepared onto the glass substrates by magnetron sputtering. We investigated the evolution of texture and magnetic properties of CoPt/Ag and [C/CoPt]n/Ag films. The results show that C-doping plays an important role in improving (0 0 1) texture, improving the order parameter S, reducing the intergrain interactions, and making the magnetization reversal mechanism more close to Stoner-Wolfarth rotational mechanism. The growth mechanism of (0 0 1) texture also seems to be related strongly to the films thickness. Our results show that the highly (0 0 1)-oriented films with ordered fct phase have a significant potential for the perpendicular media of extremely high-density recording. 相似文献
162.
163.
164.
基于一个描述夸克胶子火柱演化的相对论流体力学模型,研究了夸克相、强子相互作用以及非热过程(DrellYan对、粲强子衰变)的中等质量双轻子的产生.发现由于相边对夸克胶子物质演化的影响和RHIC能量核碰撞产生的夸克胶子物质具有高的初始温度,夸克相对双轻子的贡献显著增强,比那些来自强子相互作用的贡献重要,甚至能与来自非热的贡献比较.表明中等质量双轻子的增强是一个在核碰撞中产生了夸克胶子物质的可能信号.
关键词:
夸克-胶子物质
双轻子增强
相对论流体力学模型 相似文献
165.
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我国医疗费用增长与医疗设备投入的相关性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
近年来我国卫生总费用占GDP的比例增长很快,而在卫生费用结构上则发生政府投入下降和个人支出的上升。本文采集了大量的统计数据,采用统计相关性研究的方法,论证了医疗设备规模的不断扩大是导致医疗费用上升的主要因素之一;医疗设备的快速增长与医院维修费用投入的增长直接相关,而引起医疗设备维修大量投入的主要原因则是故障期内医疗设备的非正常闲置。本文通过对个人卫生费用的上升、医疗设备规模的扩大及其医疗设备维修投入费用增加相关性的分析,说明了在这种关系下,十分有必要研究医院医疗设备维修体系,以在卫生投入和患者权益上达到平衡。 相似文献
170.
Y. Qu J.X. Zhang A. Uddin C.Y. Liu S. Yuan M.C.Y. Chan B. Bo G. Liu H. Jiang 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2006,82(2):305-308
Ridge-waveguide InGaAsN triple-quantum-well strain-compensated lasers grown by metal organic chemical vapor deposition were fabricated with pulsed anodic oxidation. The laser’s output power reached 145 mW in continuous-wave mode at room temperature for a 4-?m -stripe-width laser. Continuous-wave single longitudinal mode operation was maintained at a high injection current level with a wavelength of 1287.3 nm at room temperature. Single longitudinal mode operation at 1317.2 nm was achieved at twice the threshold current at 100 °C. The band gap of InGaAsN in the quantum wells at different temperatures was calculated and compared to the measured temperature-dependent laser wavelength. 相似文献