新型高精度高效率LED照明驱动电路的实现

提出并设计了一种高精度、高效率LED照明驱动电路.采用平均电流控制模式代替峰值电流的控制模式;同时,采用低阶低侧的Buck拓扑结构,使输出驱动电流的精度误差控制在1％之内.整体电路的转换效率最高可达96％以上,输出驱动电流为350 mA,可驱动8个1W的HBLED灯.该设计基于CSMC 0.5μm 40 V BCD工艺,版图尺寸约为1.4 mm×1.4 mm.通过流片验证了设计的可行性.     

一种高灵敏的压电免疫传感器用于高密度脂蛋白的测定

采用自组装单层膜(SAMs)技术在压电石英晶体的金电极表面组装巯基丙酸SAMs,以盐酸1-乙基-3-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺(EDC)和N-羟基琥珀酰亚胺(NHS)作偶联剂,以共价键合方式固定高密度脂蛋白抗体,研制成一种高灵敏的压电免疫传感器用于检测人血清中低含量的高密度脂蛋白。利用压电装置的实时监测功能,考察了巯基丙酸在金电极表面的自组装成膜过程与机制;研究了晶振固定抗体及其反应结合抗原的液相振荡行为和传感特性。传感器采用初始速率法测定高密度脂蛋白的线性浓度范围为1.63~18.8 mg.L-1,检出限为0.82 mg.L-1。     

HPLC法测定豆制品中游离异黄酮的含量

利用高效液相色谱法（HPLC）对豆制品中的大豆黄素和染料木素的含量进行测定,从而研究豆制品加工中的游离大豆异黄酮分布情况。     

基于GSM的家庭安全防护系统

设计一款家用安全防护系统,能对家庭中燃气泄露、火灾和盗窃等突发事件进行实时监测和信息传输。系统由主机和从机两部分组成,红外遥控开关控制整个系统的开闭,通过从机单片机实时地采集和处理燃气、烟雾、人员入室等事故信息,并由NRF24L01无线模块发送给主机;主机通过NRF24L01接收事故信号,处理后将报警信息通过GSM通讯模块以短信形式第一时间发送至用户手机。系统具有成本低廉、功耗低、操作简单等特点,应用前景广阔。     

填充率对特殊结构PCF性能的影响

空心光子晶体光纤（PCF）的空气填充率是影响PCF性能的一个重要参数。针对几种不同的空气填充率,设计出了几种不同结构的空心PCF。应用平面波展开法对其进行了研究,分析讨论了空气填充率对特殊结构PCF泄漏模以及色散系数的影响。     

武装直升机一体化复合对抗红外/紫外双色制导研究

红外/紫外双色制导对武装直升机构成了严重威胁.在分析武装直升机的红外/紫外暴露特征、双色制导抗干扰原理和常见的干扰技术的基础上,提出了烟幕与诱饵弹一体化复合对抗方法,并结合数学模型对该方法进行了初步理论分析.该方法对其他目标对抗红外/紫外双色制导也有一定的借鉴作用.     

CFFT最优信噪比的星载高光谱影像噪声抑制方法

高光谱遥感影像独特的"图谱"特征为定量遥感等遥感监测提供了重要的技术支撑,但由于大气、地形材料等因素影响和限制,易受到各种噪声污染。基于光谱学领域的光谱统处理理论,结合信息时域分析领域的快速傅里叶变换,实现频域内噪声与光谱有效信息的分离,同时在最优信噪比约束条件下选择最优滤波阈值,设计噪声滤波器,实现了卫星高光谱遥感影像的噪声滤除。以中国北京城区和中国新疆谢米斯台上戈壁区的两景Hyperion高光谱遥感影像为例,进行了该滤波算法的定性和定量评价。结果表明:文中提出的高光谱遥感影像噪声滤波算法,有效地滤除了高光谱影像数据光谱维高斯白噪声和空间维的条带噪声、波段差噪声,提高了影像的清晰度,影像的信噪比提高5 dB以上,为后续定量分析等遥感监测研究提供了较高质量的数据保障。     

应变量子阱传输矩阵法设计及MOCVD外延制备

借鉴光波导设计的传输矩阵法思想 ,引入传输矩阵方法进行量子阱设计的应用 ,以 980nm半导体激光器用的应变量子阱为例 ,利用MOCVD外延生长技术设计生长了InGaAs/GaAs应变量子阱结构 ,测量PL谱峰值波长与设计波长吻合 ,X双晶衍射仪标定的量子阱组分和厚度基本与设计一致 ,从而验证了传输矩阵法用于量子阱设计是一种有效快捷的方法。     

基于邻近项目的Slope One协同过滤算法

协同过滤是个性化推荐系统中的常用技术,数据稀疏性是影响协同过滤算法预测准确度的主要因素。提出了改进的Slope One算法,在该算法中,首先根据用户历史评分计算项目间相似性,然后依据项目相似性选取当前活跃用户评价过的k个相似项目记为邻近项目集合,并计算目标项目与其邻近项目的评分偏差,最后以项目间相似性为权重,计算当前活跃用户对目标项目的评分预测值。该算法使用邻近项目进行计算,降低数据的稀疏性,同时减少了计算量。使用标准MovieLens数据集对该算法的预测结果进行验证,结果表明：相对于原算法,该算法提高了预测的准确性,与其他协同过滤算法相比,推荐准确度也有明显的提高。     

碳膜保护对高温激活SiC表面形貌的影响

采用碳膜覆盖于SiC晶片表面,作为SiC离子注入后高温激活退火的保护层,1650℃20 min高温退火后,有碳膜保护的SiC晶片表面粗糙度RMS只有0.6 nm,无明显形貌退化。AZ5214光刻胶在不同温度条件Ar气氛围下碳化40 min,光刻胶均转变为纳米晶体石墨化碳膜。进行Raman测试表明,碳膜D峰和G峰的比值随碳化温度升高而增大,800℃高温碳化形成的碳膜ID:IG达到3.57,对高温激活退火SiC表面保护效果最佳,经过Ar气氛围下1 650℃20 min激活退火后,有碳膜保护和无碳膜保护的SiC表面粗糙度RMS分别为0.6 nm和3.6 nm。