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871.
872.
The Al2O3−CdSe interface of a thin-film transistor is investigated in the frequency range 30 Hz-30 kHz under weak depletion and accumulation.
The surface states are, most likely, located in the insulator Al2O3 with a concentration varying from 4·1018 to 1019 cm−3 eV−1. The surface states have a negligible influence on the thin-film transistor operation. 相似文献
873.
874.
875.
The simple relation between representations of the covering groups of SL2 and GL2 makes it possible to fuse and extend the recent metaplectic results of Shimura, Waldspurger, Flicker, and ourselves. By giving a new (purely local andL-function theoretic) treatment of the Waldspurger-Shintani correspondence, we also simplify some of Waldspurger’s original results. 相似文献
876.
Two‐dimensional arrangements of molecules can show remarkable cooperative electronic effects. Such effects can serve to achieve direct electronic sensing of chemical and physical processes via electrostatic effects, i.e., without transfer of charge or matter between the locus of sensing and that of detection. 相似文献
877.
Compensated SC integrator stages are analysed and compared with respect to their sensitivities to finite amplifier gain effects. Simple single-stage amplifiers may be used in such circuits even in highly selective filtering applications. This may allow an extension of the present frequency range of SC circuits. 相似文献
878.
The problem of the vector and axial-vector dominance of weak interactions within the framework of the quark model of superconductivity type is discussed. 相似文献
879.
880.
Yu. V. Borovskikh 《Journal of Mathematical Sciences》1991,53(4):353-358
Estimates of a rate of convergence of orderO(n
–1) are obtained for integral functionals of an empirical process.Translated fromTeoriya Sluchainykh Protsessov, Vol. 15, pp. 10–16, 1987. 相似文献