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TIAN Zhong-Qun YAO Jian-Lin WU De-Yin TANG Jing SUN Dong-Mei XUE Kuan-Hong REN Bin MAO Bing-Wei 《高等学校化学学报》2000,21(Z1):402
The discovery of surface enhanced Raman scattering (SERS) in the mid-1970s impacted on the surface science community because of its remarkably high and unique surface sensitivity. Surface roughness in scale of 10~100 nm have been found necessary to produce the giant SERS signal. In this paper we will show that SERS is indeed one of the important phenomena not only in surface science but also in nanoscale science[1]. 相似文献
942.
3-γ-临界图G中关于i(G)=γ(G)的一个充分条件 总被引:1,自引:0,他引:1
如果图G满足γ(G)=k且对图G中任两个相邻的点x,y有γ(G+xy)=k-1,则称图G为k-γ-临界图,如果图G满足γ(G)=k且对图G中任何距离为d的两点x,y有γ(G+xy)=k-1,则称图G为k-(γ,d)-临界图。Sumner和Blitch猜想在3-γ-临界图中有γ(G)=i(G).Oellermann和Swart猜想3-(γ,2)-临界图中有γ(G)=i(G),这篇文章中我们提出3-γ-临界图中使γ(G)=i(G)的一个充分条件。 相似文献
943.
本文提出了一种改进的PEEC模型,为便于在大规模互连封装结构分析中利用规模缩减技术,它以描述系统的状态方程代替了具体的等效电路.为此它以矢量磁位的积分表达式和洛仑兹规范代替了矢量磁位和标量电位的积分表达式,对积分方程进行展开.这样做可以避免复杂介质结构中的电容矩阵提取,大大节省了计算时间.这一模型可方便地嵌入更大的系统进行分层次的综合分析和利用PVL等规模缩减技术.数值计算的结果与其他文献吻合较好,表明该方法有较高的可靠性. 相似文献
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采用 GSMBE技术 ,在材料表征和分析的基础上 ,通过优化生长条件 ,生长出高性能In0 .4 9Ga0 .51P/ Ga As异质结双极晶体管 (HBT)微结构材料 ,并制备出器件。材料结构中采用了厚度为 6 0 nm、掺杂浓度为 3× 10 19cm-3的掺 Be Ga As基区和 5nm非掺杂隔离层 ,器件流片中采用湿法化学腐蚀制作台面结构。测试结果表明该类器件具有良好的结特性 ,在集电极电流密度 2 80 A/cm2时其共发射极电流增益达 32 0。由此说明非掺杂隔离层的引入有效地抑制了由于基区 Be扩散导致的 pn结与异质结偏位及其所引起的器件性能劣化。 相似文献
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