高速高性能数据采集系统的实现方法

介绍了AD9240和FPGA在高速、高性能数据采集系统中的应用方法,讨论了如何运用多片高速A/D变换器AD9240同时对多路模拟信号进行数据采集,以及使用现场可编程逻辑器件FPGA实现时序控制和实时数据存储的方法,给出了构成数据采集系统的基本原理框图和测试结果。介绍的数据采集系统具有极佳的性能和广泛的适用性。     

基于三维参数随机L系统的虚拟植物生成算法

提出了一种基于三维参数随机L系统的虚拟植物生成算法.针对简单L系统生成植物形状单一的缺点,采用曲线论的Frenet标架作为三维基本框架,在对植物产生字符串进行递推迭代的同时,对其规则加入随机概率,使生成的字符串在具有随机性的同时又保留了自相似性.此外,对转角与步长均加入了随机扰动,使生成的植物形态在保持生物性状稳定性的同时又兼具了个体差异性,提高了生成植物的真实感.     

改进相关反馈技术在CBVR人体动作识别中的应用研究

针对CBVR人体动作识别问题,提出利用相关反馈技术与其它技术相结合。首先,分析了从视频中提取人类行为并将其表示成特征集的方法;然后研究了各种基于内容的视频检索方法;最后,将这些技术进行组合得到基于相关反馈技术的最优CBVR人体动作识别方法。在三个行为数据库中(包括UCF运动,UCF视频网站和HOHA2)评估了由上述几种技术组合而成的性能,实验结果为开发高效的基于内容的视频检索系统提供了有益的借鉴。     

64-QAM传输系统的Optisystem仿真设计

64-QAM是一种高效的数字调制方式,广泛应用于各种通信系统中。首先对64-QAM的调制/解调原理进行了理论研究,然后借助Optisystem光仿真软件,搭建了64-QAM传输/接收模型,并对模型的接收和发射模块进行了详细的分析,最后对模型的传输性能进行了仿真验证。仿真结果表明,接收端64-QAM的星座图清晰,即64-QAM调制格式能有效地实现数据信号的传输,该模型能为实际的工程设计提供理论上指导。     

DC/DC模块中功率器件的寿命预计方法

模拟开关电源DC/DC模块内部电路为开关电源中的功率器件—垂直导电双扩散MOS(VDMOS)和肖特基二极管(SBD)—提供恒定电应力,并对其施加温度应力进行加速寿命试验。采用恒定电应力温度斜坡法(CETRM),对开关电源中功率器件VDMOS和SBD的可靠性进行评价;对其失效机理一致性进行分析,计算其失效激活能;并在失效机理一致的范围内外推正常使用条件下的寿命,为开关电源整体可靠性评价提供依据。     

干涉型分布式光纤漏检系统的偏振控制技术研究

在长距离分布式光纤传感系统中,光输出偏振态往往会发生漂移,影响了传感系统的干涉效果.针对典型的双马赫-曾德尔分布式光纤漏检系统,从理论上分析了偏振退化对系统性能的影响.重点阐述了采用偏振分集接收技术和使用法拉第旋转镜等技术进行偏振控制,仿真表明这两项技术都能很好地达到偏振控制的效果.     

基于NoisⅡ的程控数字信号源设计

直接数字频率合成（DDS）技术在现代通信领域占据重要地位。在此提出了将Altera公司的NoisⅡ软核嵌入到FPGA器件内部来控制高性能直接数字频率合成器AD9854的方案,详细说明了系统;设计电路的结构和软件设计的方法。提出了一种新的信号源控制方法,该系统具有频率分辨高、相位输出连续、可视化界面、多波形输出等优点,具有较高的市场实用价值。     

基于复FastICA算法的STBC-DS-CDMA系统盲检测法

采用空时分组码的MIMO-CDMA系统可以通过最大似然法检测出信号,但其所需要的信道状态信息难以在接收端精确估计。在此提出基于复FastICA算法的STBC-DS-CDMA系统盲检测方法,在不需要进行信道估计的情况下即可分离、提取源信号。通过仿真比较可知,采用这种算法的STBC-DS-CDMA系统的误码率性能与理想信道估计下的最大似然检测算法性能相当,并且不需要进行信道估计,节省了系统开销。     

改进Zernike矩亚像素边缘检测算法研究*

针对Ghosal算法检测出的边缘较粗以及手动反复调节阶跃强度阈值引起的效率低的问题,提出了一种改进算法.首先,推导出模板系数,并计算得出Zernike矩.其次,利用推导出的公式计算出距离阈值和边缘阈值,利用Otsu法计算得到最佳阶跃强度.最后,通过设计三组实验,来验证改进算法的有效性.实验证明,改进算法能够更加有效地检测出图像的边缘,减少伪边缘的存在并且细化了边缘,提高了定位精度,同时降低了算法的执行时间.     

基于Ti掺杂硅量子点的MOSFET结构的电子显微学表征

通过自组装生长并结合两步退火处理,在SiO2表面得到了Ti掺杂的Si纳米晶粒量子点.采用高分辨显微分析方法,X射线能谱线扫描和Z衬度扫描透射显微方法对一系列横截面样品进行详细研究,得到了量子点内部的成分分布,相关的试验数据吻合一致,验证了Si量子点MOSFET的结构模型.