无穷矩阵拓扑代数的理想(Ⅰ)(英文)

本文给出了所有弱紧算子 ,强紧算子 ,Mackey紧算子 ,构成无穷矩阵拓扑下相同紧集的特征的刻画 .     

基于MATLAB(SIMULINK)的电弧炉电极调节系统FUZZY-PD控制器的仿真

介绍了采用MATLAB V5.2提供的模糊逻辑工具箱来设计研究电孤纺电极调节系统中的模糊－－PD控制器，讨论了在SIMULINK环境下模糊－PD控制器的参数自调速原理、结构、建立模糊控制规则库和模糊推论方法，并给出仿真结果与结论。     

瑞利与非瑞利杂波背景下单、双参数杂波图的性能分析

对瑞利和非瑞利杂波中的单、双参数杂波图的控制虚警性能和检测性能进行了比较分析，并得到了双参数杂波图门限调整值的取值范围，得出了几点有益的结论。     

X射线衍射研究N2+注入Si

本文首先给出了180keV的N₂⁺注入Si的X射线衍射(XRD)分布,然后用Levenberg-Marquardt最优化方法模拟实验曲线。根据XRD运动学理论,在我们给出的试探胁变函数和多层模型的基础上,用自编程序计算给出了晶格胁变随注入深度、剂量和退火温度的变化。最后我们对实验和计算结果进行了初步的分析讨论。 关键词：     

A Promising MoO_x-based Catalyst for n-Heptane Isomerization

The increasing demand for higher-octane gasoline and the regulations limiting the amount of aromatics in the fuel motivate the interest in catalytic isomerization of n-alkanes. In the last ten years, transition metal oxides or oxycarbides based on molybdenum or tungstate have attracted much attention due to their high activity and isomerization selectivity compared to the conventional bifunctional supported platinum catalyst and high resistance to sulphur and nitrogen catalyst poisons1-5. Ma…     

S盒设计中的一种新准则

本文提出了强扩散准则,强雪崩效应以及扩散效应的逼近优势等相关概念,给出了差分均匀性与强k阶扩散准则之间的相互关系,利用给出的设计准则改进了Rijndael密码的S盒。     

A New Cycloartane from Sphaerophysa salsula

A novel cycloartane,named sphaerophysone A,9,19-cycloart-7β,24β,25-triol-1-en-3-one,was isolated from the ethanol extract of Sphaerophysa salsula DC.The structure was elucidated on the basis of spectral evidences and confirmed by X-ray analysis,the stereochemistry of the compound was also defined by X-ray analysis.     

蓝宝石R面上ZnO薄膜的NH3掺杂研究

以NH₃为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜。通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH₃流量下生长出了〈1120〉单一取向的ZnO薄膜。经Hall电阻率测量,得知该薄膜呈现弱p型或高电阻率,并对其光电子能谱进行了研究。     

Diameter NASREQ协议在卫星移动通信系统中的应用研究

如何对接入网络的用户进行身份认证、授予相应权限并进行计费,是卫星移动通信系统网络管理需解决的重要问题。简要介绍认证、授权、计费(AAA)的基本概念,分析Diameter协议框架、协议原理以及协议应用于网络接入的特点。阐述协议中包含的各种应用,给出Diameter NASREQ应用的一种系统模型。重点研究Diameter NASREQ协议在卫星移动通信系统中的应用,详述应用中客户机和服务器中各模块的功能和工作原理。通过分析,说明该应用的可行性及有效性。     

Tri-Gate Bulk MOSFET Design for CMOS Scaling to the End of the Roadmap

A tri-gate bulk MOSFET design utilizing a low-aspect-ratio channel is proposed to provide an evolutionary pathway for CMOS scaling to the end of the roadmap. 3-D device simulations indicate that this design offers the advantages of a multi-gate FET (reduced variability in performance and improved scalability) together with the advantages of a conventional planar MOSFET (low substrate cost and capability for dynamic threshold-voltage control).