IDS告警融合与关联模型的研究

入侵检测是保障网络安全的重要手段,针对现有入侵检测系统中告警数量多、协调性差等问题,论文提出了一种具有告警融合与关联功能的告警处理系统模型,该模型冗余告警量少、整体检测能力强,并能进行攻击企图的预测,能有效提高入侵检测的效率,有助于进一步增强网络的健壮性。     

RF磁控溅射制备钛酸锶钡BST纳米薄膜

钛酸锶钡(BST)薄膜作为一种高K介质材料在微电子和微机电系统等领域具有广阔的应用前景,人们已对BST薄膜的制备工艺技术和介电性能进行了大量的研究。BST纳米薄膜的制备工艺直接影响和决定着薄膜的介电性能(介电常数、漏电流密度、介电强度等)。对RF磁控反应溅射制备BST纳米薄膜的工艺技术进行了综述。从溅射靶的制备、溅射工艺参数的优化、热处理、薄膜组分的控制,及制备工艺对介电性能的影响等方面,对现有研究成果进行了较全面的总结。     

理论、实践经验和实践能力

掌握了理论知识并不等于有了实战经验,更不等于有实战能力。从理论到有实战能力的飞跃,只有亲临生产线,在不断解决问题过程中实现。     

自动生成XML测试脚本的类测试

针对手工编写测试脚本工作量大且容易出错的问题，提出了以XML文档描述测试脚本，利用DOM技术自动生成测试脚本的方法。在此基础上，设计了一个类测试框架，并用一个实例描述了其具体的流程。     

Adsp-21060的主机接口在实时图像处理中的应用

简要介绍了数字信号处理器Adsp 2 10 6 0和大规模可编程逻辑器件EP1K5 0。详细讨论了Adsp 2 10 6 0的主机接口工作模式以及一个实时图像跟踪处理器的硬件组成原理 ,在这个系统中EP1K5 0充当了主机。调试结果表明 ,所提出的硬件结构设计思想工作效率高 ,完全能够胜任实时图像处理的实际需要。     

探地雷达在地下管线探测中的应用

探地雷达技术是如今适应快速、准确、无损地探测地下障碍物而迅速发展的电磁技术。文中介绍了探地雷达的工作原理及工作方式，并通过结合工程实例来探讨探地雷达在地下管线探测中的广泛应用。     

Injection-locked Fabry-Pe/spl acute/rot laser with electronic feedback for clock recovery from high-speed OTDM signals

We demonstrate the use of an injection-locked Fabry-Pe/spl acute/rot laser diode with electronic feedback for base-rate clock recovery in N/spl times/10 Gb/s optical time-division-multiplexing (OTDM) systems. Injection-locking enhances the resonance frequency of the laser and the electrical feedback achieves strong resonance at the base-rate frequency of the injected data streams, enabling ultrastable electrical clock signal generation at the base rate of 10 GHz. Experimental demonstrations for clock recovery at 10 GHz from 40-Gb/s OTDM data streams and 4-1 demultiplexing of the data using the extracted clock after fiber transmission is presented. The timing jitter measured in the recovered electrical clock is less than 0.25 ps.     

工作流技术及其应用研究

文章介绍了工作流技术及其发展历史,对工作流的系统模型进行了详细分析,探讨了工作流技术在企业管理信息系统中的实际应用。     

基于PCI总线的扫描电镜图像采集系统

图像采集系统是扫描电镜的一个重要组成部分，用于控制扫描电镜的扫描电源，视频图像采集，数字化与显示，电镜主控计算机与底层微机板的通讯和电镜照相，本图像采集系统基于PCI总线接口设计，硬件主要设计采用FPGA技术，实现了数字电路的模块化设计，集成度和灵活性高，目前，电镜图像卡已达到所要求的设计水平。     

Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.