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991.
激光远场发散角是评价激光光束质量的重要指标,根据远场发散角的定义和国际惯例,实际工程应用中设计出全自动可变光阑来测量激光远场发散角。在测量时利用图像处理和一阶重心距算法计算光斑中心,使可变光阑中心与待测激光束中心对准。测试系统自动由小到大变化光阑孔径,同时用探测器测量透过的激光能量。对光阑孔径和通过光阑的能量进行曲线拟合,算出总能量为1/e2时光阑的孔径,即对应于该处的激光束宽,从而可计算得出激光远场发散角。上述测量过程是利用虚拟仪器技术来全自动实现的,该激光远场发散角测试系统经过了项目验收和实际工程检验。 相似文献
992.
多脉冲飞秒激光烧蚀金属箔的热电子发射数值分析 总被引:1,自引:0,他引:1
通过双温模型(TTM)结合Richardson-Dushman方程对多脉冲飞秒激光烧蚀铜箔的热电子发射以及温度场进行了数值模拟。在模拟的过程中充分考虑了随着飞秒激光脉冲个数的改变,铜箔对飞秒激光的反射率、表面吸收率和表面吸收系数的变化等因素,部分改写了飞秒激光光源项,从而实现了多脉冲飞秒激光烧蚀铜箔的热电子发射和温度场的动态数值模拟。数值模拟发现,随着脉冲个数的增加和脉冲间隔的减小,铜箔表面的反射率和表面吸收系数将明显减小,表面吸收率将明显增大,这一变化对铜箔的电子发射以及多脉冲飞秒激光照射下铜箔的温度场具有重要影响;而随着距铜箔表面深度的增加,这些影响将逐渐减小。 相似文献
993.
随着互联网、手机的普及,搜索引擎以及基于搜索的互动式知识问答分享平台等自媒体应用,人们获取科学信息的能力与速度有了大幅提高。传统强调科学信息传播的“科学普及”,逐渐被强调从受众出发的“科学传播”所替代,后者更加注重传播过程的趣味性、情节性和传播效果的影响力。科幻小说在传播科学思想、科学观念、科学精神以及科学方法与知识方面,尤其符合自媒体时代的传播特征,显现出其他通俗科普读物难以匹及的科普功效。本文从传播学的角度出发,拟借助说服传播的精细加工可能性模型(ELM),将其中的AMO (能力、动机、机会)三因素作为分析视角,对科幻小说科学传播影响力的提升提出了分众化、娱乐化、多媒体化的传播策略。 相似文献
994.
针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variable k dielectric buried layer SOI,VkD SOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化硅埋层,从而器件兼具耐高压和降低自热效应的优点.结果表明,对于k1=2,k2=7.5(Si3N4),漂移区厚2μm,埋层厚1μm的器件,埋层电场和器件耐压分别达212V/μm和255V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高66%和43%,最高温度降低52%. 相似文献
995.
996.
应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究. 测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过500kPa He气保压2h, BCB封装后样品的气密性达到(5.5±0.5)E-4Pacc/s He;剪切力在9.0~13.4MPa之间,达到了封装工艺要求;封装成品率达到100%. 这表明应用BCB材料键合是一种有效的圆片级低温气密性封装方法. 还根据渗流模型理论,讨论了简易模型下气密性(即渗流率)和器件腔体边缘到划片边缘的间距的关系. 相似文献
997.
多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析 总被引:8,自引:0,他引:8
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELS)的结构特点,并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,建立了多量子阱VCSELS的速率方程,并给出了其方程的严格解析解,在此基础之上,讨论了VCSELS的稳态特性,并与普通开腔和三维封闭腔中的结果进行了比较,给出了V 相似文献
998.
Xiaorong Luo Bo Zhang Zhaoji Li 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2008,55(7):1756-1761
A novel silicon-on-insulator (SOI) high-voltage MOSFET structure and its breakdown mechanism are presented in this paper. The structure is characterized by oxide trenches on the top interface of the buried oxide layer on partial SOI (TPSOI). Inversion charges located in the trenches enhance the electric field of the buried layer in the high-voltage blocking state, and a silicon window makes the depletion region spread into the substrate. Both of them modulate the electric field in the drift region; therefore, the breakdown voltage (BV) for a TPSOI LDMOS is greatly enhanced. Moreover, the Si window alleviates the self-heating effect. The influences of the structure parameters on device characteristics are analyzed for the proposed device structure. The TPSOI LDMOS with BV > 1200 V and the buried-layer electric field of EI > 700 V/ mum is obtained by the simulation on a 2-mum-thick SOI layer over 2-mum-thick buried oxide layer, and its maximal temperature reduces by 19 and 8.7 K in comparison with the conventional SOI and partial SOI devices. 相似文献
999.
In this paper, a Distributed In-Memory Database (DIMDB) system is proposed to improve processing efficiency in mass data applications. The system uses an enhanced language similar to Structured Query Language (SQL) with a key-value storage schema. The design goals of the DIMDB system is described and its system architecture is discussed. Operation flow and the enhanced SQL-like language are also discussed, and experimental results are used to test the validity of the system. 相似文献
1000.