EDGE网络的规划及资源配置研究

本文在现有网络分析的基础上,进行了EDGE数据网的规划,并通过仿真对规划结果进行了验证,最后对语音和数据网络的资源配置方法进行了研究,提出了相应的资源配置方法。     

TD-SCDMA系统中的扰码规划

本文根据TD—SCDMA码资源特点,深入分析复合码特点的基础上,对复合码进行了分组,提出了复合码集的概念。由于复合码集间的相关性是不完全一致性的,不同扰码组得到的复合码也有可能引起广播信道冲突,从而提出了TD-SCDMA系统扰码规划的原则。     

一种非谐振式MEMS电磁能量收集器

介绍了一种新型非谐振式微电子机械系统(MEMS)电磁振动能量采集器的设计、微加工和表征测试.该能量收集器由MEMS结构、线圈、小型化NdFeB磁体和陶瓷基板组成.建立结构模型对结构固有频率、位移和应力进行仿真.利用MEMS技术制备能量收集器结构和Al线圈等关键部件,并结合嵌有永磁体的陶瓷基板进行组装,在组装过程中使用C...     

高性能数字频率合成器的设计与实现

通过对直接数字频率合成技术的研究,采用单片机AT89S51控制DDS芯片AD9854设计出一种高性能直接数字频率合成器。该数字频率合成器采用并行通信的方式传输控制字,通过改变控制字来改变输出频率,得到所需频率的正弦波。软件上采用菜单式、全部键盘控制方式。用4×4矩阵键盘控制,进行功能选择以及设置频率、幅度和相位控制字。界面显示用带中文字库的液晶TS-12864显示,实现了良好的人机交互,系统操作使用方便。用单片机控制DDS数字芯片实现的数字频率合成器,有着比模拟频率合成器更好的抗干扰性、频率分辨率和频谱纯度,同时有着更小的体积。系统经测试得到所需频率的正弦波,数字频率合成器设计成功。     

机器人光纤激光焊接TC4钛合金的工艺研究

采用机器人光纤激光焊接系统,进行了厚度为1.8 mm幅面为100 mm×200 mm的TC4钛合金激光焊接试验。为确保焊缝的质量,设计了一套气路保护装置。研究了激光功率、焊接速度、离焦量和保护气体流量等参数对焊接质量的影响,获得了优化焊接工艺参数:激光功率850~900 W、焊接速度0.7~0.9 m/min、离焦量-0.8~-0.5 mm。     

面向IPTV的H.264高清编码视频质量评估

高清晰度视频质量能够有效提升IPTV的业务体验,但是高清视频对编码速率和网络条件的要求都很高.本文在IPTV环境下,基于H.264编码技术,对不同码率下的高清编码视频进行了主观质量评测.为在现阶段IPTV网络环境下开展高清视频业务提供有效的技术参考.     

AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取

利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system)建立HEMT小信号等效电路模型,并对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈和指导.     

多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析

依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬＳ）的结构特点,并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,建立了多量子阱ＶＣＳＥＬＳ的速率方程,并给出了其方程的严格解析解,在此基础之上,讨论了ＶＣＳＥＬＳ的稳态特性,并与普通开腔和三维封闭腔中的结果进行了比较,给出了Ｖ     

New High-Voltage ( $>$ 1200 V) MOSFET With the Charge Trenches on Partial SOI

A novel silicon-on-insulator (SOI) high-voltage MOSFET structure and its breakdown mechanism are presented in this paper. The structure is characterized by oxide trenches on the top interface of the buried oxide layer on partial SOI (TPSOI). Inversion charges located in the trenches enhance the electric field of the buried layer in the high-voltage blocking state, and a silicon window makes the depletion region spread into the substrate. Both of them modulate the electric field in the drift region; therefore, the breakdown voltage (BV) for a TPSOI LDMOS is greatly enhanced. Moreover, the Si window alleviates the self-heating effect. The influences of the structure parameters on device characteristics are analyzed for the proposed device structure. The TPSOI LDMOS with BV > 1200 V and the buried-layer electric field of E_I > 700 V/ mum is obtained by the simulation on a 2-mum-thick SOI layer over 2-mum-thick buried oxide layer, and its maximal temperature reduces by 19 and 8.7 K in comparison with the conventional SOI and partial SOI devices.     

A Distributed In-Memory Database Solution for Mass Data Applications

In this paper, a Distributed In-Memory Database (DIMDB) system is proposed to improve processing efficiency in mass data applications. The system uses an enhanced language similar to Structured Query Language (SQL) with a key-value storage schema. The design goals of the DIMDB system is described and its system architecture is discussed. Operation flow and the enhanced SQL-like language are also discussed, and experimental results are used to test the validity of the system.