非对称核物质中同位旋对称势的动量和密度依赖性

在Brueckner-Hartree-Fock理论框架内, 研究了同位旋非对称核物质中质子和中子单粒子势的动量相关性及其随同位旋非对称度的变化, 在此基础上计算了同位旋对称势, 并讨论了三体核力的影响. 结果表明同位旋对称势对于同位旋非对称度的依赖性很弱, 但对于动量和密度均有较强的依赖性. 当密度固定时, 同位旋对称势随动量增加而减小. 尽管三体核力对于质子和中子单粒子势的动量相关性有较大影响, 但对同位旋对称势的影响很小. 还与目前重离子碰撞输运理论模型中所使用的各种参数化的唯象对称势进行了比较.     

冗余磁盘阵列的故障容错分析

本文在介绍冗余磁盘阵列(RAID)的故障容错机理之后,着重研究了设备故障对RAID系统可靠性的影响.其平均持续正常工作时间和系统在线修复设备故障容许的平均间隔时间的计算结果表明,只要在一定的容许时间内替换或修复故障磁盘,系统可保持持续正常工作状态.     

基于神经网络的模拟电路故障诊断优化近似方法

本文提出了线性电阻电路故障诊断的一种神经网络优化方法。其基本思想是应用Ｈｏｐｆｉｅｌｄ网络原理来处理Ｌ１范数问题，以此来进行诊断。对实例的计算证明此法是可行的。     

变阶可解族的带权逼近与插值逼近

本文讨论了变阶可解逼近族的插值逼近和带权逼近(权在插值点集Z上趋于无穷而在Z外为1)的关系.指出对变阶可解族而言,当逼近解为非亏损时,稠密性假设是自然满足的,且此时的最佳插值逼近等于该带权最佳逼近的极限.     

AlGaAs／GaAs HBT表面效应的二维数值分析

采用表面效应集总模型综合考虑表面费米能级钉扎和表面复合效应，对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ表面效应的影响进行了二维数值模拟。结果表明，表面态的存在对集电极电流几乎不产生影响，但显著增加基极电流，使得电流增益明显下降。同时还发现在台面结构ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ中外基区表面复合的集边效应，即外基区表面复合主要发生在发射极台面与外基区的交界处附近，与外基区长度基本无关。模拟还表明基区缓变结构可以减少表面复合，提高电流增益。     

用拓扑指数S_i研究碳氢化合物的沸点(Ⅲ)

定义了拓扑指数Ｓｉ（ｉ＝１，２，３，４），并选取包含双、三键、环及苯环的碳氢化合物为研究对象，计算了这些化合物的拓扑指数Ｓｉ，同时用Ｓｉ相关了它们的沸点．结果较文献值有所改善．并从Ｓｉ中筛选出了Ｓ     

三层同轴液柱内的热毛细对流的近似解析解

1引言在微重力下用浮区法生长高质量、大体积单晶体是一种很有应用前景的方法，但热毛细对流所引起的诸如宏观不均匀性、生长条纹等缺陷严重限制了这一方法的应用。目前，人们试着用液封方法抑制热毛细对流。文献［1～3］分别对两层流体系统内的热毛细对流所作的研究表明：通过液封，被封层内的热毛细对流可以得到显著抑制。本文对圆柱三层流体系统内的热毛细对流进行研究，为热毛细对流规律的揭示以及进一步总结出其控制方法提供了理论数值依据。2控制方程和边界条件考虑长为L的互不溶混的三层轴对称同轴液柱，如图1所示，两端壁保持定温T…     

集合环

本文用集环来表现模糊集，得到了表现定理的新形式，并证明了这种表现可以有限化，即用有限个经典集近似刻划模糊集并且这样的刻划是同态的。最后，证明了集对方法是集环表现的特殊情形。     

MOS结构准静态测试中的异常C—V曲线

本文报导了MOS结构在准静态测试中的异常电容-电压曲线。讨论了它们产生的原因。     

PVInSb红外探测器的阻抗——频率特性分析

通过理论计算和实际测试，给出了ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的低频阻抗－频率特性曲线，结合检测阻抗／动态电阻的方法和阻抗－频率特性曲线的变化规律，分析讨论了ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的阻抗与动态电阻的异同，从而说明在涉及ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的阻抗／动态电阻时，即使在低频范围也要具体考虑频率因素的影响。