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31.
光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作 总被引:5,自引:1,他引:4
随着器件尺寸的缩小,细线条的制作成为很关键的工艺,普通光学光刻已接近其分辨率的极限,而电子束光刻和X射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究,并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作,在普通光学光刻机上制作出宽度小于0.25μm细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米MOSFET的制作中。 相似文献
32.
本文介绍印制板液态感光阻焊油墨的工艺流程、工艺控制,并对生产中较常出现的几种质量问题进行讨论,进而提出解决措施。 相似文献
33.
基于可寻址分支分配器的CATV收费系统 总被引:2,自引:1,他引:1
给出了一种基于可寻址分支分配器的CATV收费管理系统设计方案,并着重介绍了系统的工作原理及可寻址分支分配器的设计。 相似文献
34.
X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器 总被引:3,自引:0,他引:3
报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计,设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中,开展了关键工艺的专题研究。研究结果为:单级单片放大器在10:5-11.6GHz范围内,NF≤1.82dB,G≥7.72dB;在11.7-12.2GHz范围内,NF≤1.80dB,G≥6.8dB;双级放大器在10.4-11.1GHz范围内,NF≤1.96dB,G≥15.3dB,最低噪声系数为1.63dB,最高增益为16.07dB。 相似文献
35.
本文描述了Solaris2.X操作系统上网络文件系统NFS的特性及其环境配置,介绍了如何建立了NFS服务器和NFS客户机,从而实现了远程文件系统资源共享。 相似文献
36.
语音识别算法的确定与实现 总被引:1,自引:0,他引:1
在语音识别的实验中,对几种算法方案进行了比较、分析和择优淘劣,标准是在一定词汇量的条件下,权衡占用机器的内存空间、(正确)识别率和响应速度。力争使与话者有关的单词语音识别系统的设计达到优化,取得满意的结果。本文即是此项实验的总结。 相似文献
37.
Gunapala S.D. Bundara S.V. Liu J.K. Winn Hong Mani Sundaram Maker P.D. Muller R.E. Shott C.A. Carralejo R. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1998,45(9):1890-1895
A 9-μm cutoff 640×486 snap-shot quantum well infrared photodetector (QWIP) camera has been demonstrated. The performance of this QWIP camera is reported including indoor and outdoor imaging. The noise equivalent differential temperature (NEΔT) of 36 mK has been achieved at 300 K background with f/2 optics. This is in good agreement with expected focal plane array sensitivity due to the practical limitations on charge handling capacity of the multiplexer, read noise, bias voltage, and operating temperature 相似文献
38.
钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用 总被引:10,自引:1,他引:9
叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理,介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能,并与块状陶瓷材料进行了比较,分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。 相似文献
39.
40.
The GaSb layers investigated were grown directly on GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE) using SnTe source as the
n-type dopant. By using admittance spectroscopy, a dominant deep level with the activation energy of 0.23-0.26 eV was observed
and its concentration was affected by the Sb4/Ga flux ratio in the MBE growth. A lowest deep-level concentration together with a highest mobility was obtained for GaSb
grown at 550°C under a Sb4/Ga beam equivalent pressure (BEP) ratio around 7, which should correspond to the lowest ratio to maintain a Sb-stabilized
surface reconstruction. In the Hall measurement, an analysis of the temperature-dependent mobility shows that the ionized
impurity concentration increases proportionally with the sample’s donor concentration, suggesting that the ionized impurity
was introduced by an SnTe source. In addition, optical properties of an undoped p-, a lightly and heavily SnTe-doped GaSb
layers were studied by comparing their photoluminescence spectra at 4.5K. 相似文献