首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   210825篇
  免费   44208篇
  国内免费   35394篇
化学   111028篇
晶体学   1926篇
力学   10980篇
综合类   744篇
数学   20450篇
物理学   82829篇
无线电   62470篇
  2024年   911篇
  2023年   4151篇
  2022年   4695篇
  2021年   5986篇
  2020年   6420篇
  2019年   7156篇
  2018年   6448篇
  2017年   7026篇
  2016年   9058篇
  2015年   10094篇
  2014年   10965篇
  2013年   14451篇
  2012年   16497篇
  2011年   17212篇
  2010年   17470篇
  2009年   17259篇
  2008年   11618篇
  2007年   10384篇
  2006年   9748篇
  2005年   8799篇
  2004年   8198篇
  2003年   6809篇
  2002年   6272篇
  2001年   6096篇
  2000年   5107篇
  1999年   5321篇
  1998年   4468篇
  1997年   4154篇
  1996年   4432篇
  1995年   4460篇
  1994年   4322篇
  1993年   4109篇
  1992年   3579篇
  1991年   3143篇
  1990年   2560篇
  1989年   2460篇
  1988年   2270篇
  1987年   1483篇
  1986年   1490篇
  1985年   1112篇
  1984年   1172篇
  1983年   508篇
  1982年   1011篇
  1981年   825篇
  1980年   862篇
  1979年   575篇
  1978年   570篇
  1977年   688篇
  1976年   1089篇
  1972年   560篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
791.
孟洛明 《世界电信》1996,9(4):25-27
本文叙述了智能网的业务管理系统所实现的3种功能:业务管理功能,网络管理功能和业务管理访问功能,还介绍了业务管理和网络管理之间的关系,SMS的集中式和分布式两种体系结构及业务管理功能的设计方法和进一步研究方向。  相似文献   
792.
Two approaches have been used to fabricate stable photoelastic waveguides with planarized surfaces on GaAs-AlGaAs heterostructures. The first approach uses tensile Ni/sub 3/GaAs stressors formed by metal-semiconductor reactions. The second approach uses inert, refractory and compressive stressors, such as RF sputtered W and RF co-sputtered WNi films. For comparison purposes, ridge waveguides have also been fabricated using the same heterostructure by a dry etching technique. Optical losses of photoelastic waveguides, measured by Fabry-Perot (FP) method at a wavelength of 1.53 /spl mu/m, are comparable to or better than those of the ridge waveguides. Material loss appears to be the primary loss mechanism in both photoelastic and ridge waveguides. These results indicate that the photoelastic waveguide processing technique reported in this study is a promising alternative to commonly used dry etching techniques for planarization.  相似文献   
793.
用干涉法测量了β-BBO晶体的电光系数:γ22=2.6,γ33=0.23,γ31=0.25,γ51=-3.5×10-12m/V。结果表明如果在Y方向加电场,Z方向通光,β—BBO晶体可能制作成有应用价值的光开关。  相似文献   
794.
A system for measuring the absolute frequency of a far-infrared (FIR) laser is described. Josephson point contacts have been utilized in the system as a frequency harmonic mixer connecting microwaves and optically pumped CH3OH laser lines. The Josephson point contacts are capable of generating beat signals of 90 GHz microwaves and FIR waves of up to 4.25 THz. To measure the frequency of the beat signals from the Josephson junction with a frequency counter, tracking oscillators have been developed, which tracks the beat signals by phase locking and regenerate clean signals for frequency counting. It is shown that the absolute frequency can be measured to an accuracy of about 100 Hz by using the tracking oscillators.  相似文献   
795.
钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用   总被引:10,自引:1,他引:9  
刘芸  张良莹 《压电与声光》1996,18(3):194-200
叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理,介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能,并与块状陶瓷材料进行了比较,分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。  相似文献   
796.
王界平  王清平 《微电子学》1996,26(3):150-152
SOI材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径,从实验的角度提出了一种SOI材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。  相似文献   
797.
吴正立  严利人 《微电子学》1996,26(3):189-191
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。  相似文献   
798.
差分式连续时间电流型CMOS跨导—电容低通滤波器   总被引:1,自引:0,他引:1  
郭静波  戴逸松 《微电子学》1996,26(6):359-362
应用信号流图法对电流系统传递函数直接模拟,提出了一种新颖的差分式连续时间电流模式CMOS跨导-电容低通滤波器的实现方案。由于采用了差分式结构和电流负反馈,整个电路方案具有差分式结构和电流型电路的优点;并且仅使用最少数量的OTA和电容,与数字CMOS工艺兼容,适于全集成。面向实际电路完成了MOS管级的计算机仿真,结果表明,所提出的电路方案正确有效  相似文献   
799.
电子与原子、离子碰撞过程的相对论效应   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
屈一至  仝晓民  李家明 《物理学报》1995,44(11):1719-1726
在玻恩近似下,建立了高能电子与原子、离于非弹性碰撞过程的相对论性理论计算方法,并以类Li等电子系列为例,阐明了电子与原子、离子非弹性碰撞过程的相对论效应.它包括:1.靶原子的相对论效应,它随原子序数的增加而增大.低z靶(如Li)的相对论效应可以忽略;对Au~(+76)靶的2_3—3p跃迁,广义振子强度相对论性计算值比相应的非相对论性值小27.1%.2.入射电子的相对论效应,它随入射电子能量的增加而增大.对高能入射电子,在特殊角度,要考虑广义振子强度横场项对微分截面的影响.在极端相对论情况下,如入射电子动能 关键词:  相似文献   
800.
一类Narcissistic反应过渡态的优化   总被引:1,自引:0,他引:1  
我们对一类narcissistic 反应XCH_2-CH_2Y→[过渡态TS]→YCH_2—CH_2X (1)进行了研究,结果表明其过渡态能在对称性限制下由能量极小化方法较容易地给出. 采用IMSPAK分子轨道从头算程序,在IBM VM/370计算机系统上用STO—3G极小基组以平衡几何构型的能量梯度优化方法,在对称性限制下对反应(1)的几种反应体系的过渡态构型进行了优化,其结果列于表1.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号