基于天线测试系统的简易扩频设计及应用

基于通用天线近远场测试系统,给出了系统扩频设计和工程应用的思路,并分别对扩频系统的本振相参、上下变频的一致性进行了论述。实现了Ka频段以下的平面近场、远场天线测量系统的扩频与应用,并给出了8单元EHF频段阵列天线在不同测试系统下的天线测试方向图。测试结果表明,经扩频的测试系统方向图测量数据与毫米波天线测试系统直接测量的结果吻合,说明扩频系统能够满足毫米波天线方向图的测试需求,并具有较高的测试精度,且设计成本较低。同时还具有一定的通用型,对天线的毫米波扩展测试具有较好的工程应用价值。     

A 0.6 V 10 bit 1 MS/s monotonic switching SAR ADC with common mode stabilizer in 0.13 μm CMOS

This paper presents a 0.6 V 10 bit successive approximation register （SAR） ADC design dedicated to the wireless sensor network application. It adopts a monotonic switching scheme in the DAC to save chip area and power consumption. The main drawback of the monotonic switching scheme is its large common mode shift and the associated comparator offset variation. Due to the limited headroom at the 0.6 V supply voltage, the conventional constant current biasing technique cannot be applied to the dynamic comparator. In this design, a common mode stabilizer is introduced to address this issue in low-voltage design. The effectiveness of this method is verified through both simulation and measurement results. Fabricated with 1P8M 0.13 μm CMOS technology, the proposed SAR ADC consumes 6.3 μW at 1 MS/s from a 0.6 V supply, and achieves 51.25 dB SNDR at the Nyquist frequency and FOM of 21 fJ/conversion-step. The core area is only 120 × 300 μm^2.     

3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon–germanium heterojunction bipolar transistors

This paper presents 3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in domestic silicon-germanium heterojunction bipolar transistors （SiGe HBTs）. 3D damaged model of SiGe HBTs single-event effects （SEE） is built by TCAD simulation tools to research ions angled strike dependence. We select several different strike angles at variously typical ions strike positions. The charge collection mechanism for each terminal is identified based on analysis of the device structure and simulation results. Charge collection induced by angled strike ions presents a complex situation. Whether the location of device ions enters, as long as ions track through the sensitive volume, it will cause vast charge collection. The amount of charge collection of SiGe HBT is not only related to length of ions track in sensitive volume, but also influenced by STI and distance between ions track and electrodes. The simulation model is useful to research the practical applications of SiGe HBTs in space, and provides a theoretical basis for the further radiation hardening.     

基于互相关的高精度多普勒频率变化率测量方法

提出了一种脉组间多普勒频率变化率的高精度测量算法,该算法利用脉组相邻脉冲对间的互相关函数估计脉组模糊频率,在连续脉组间选择任一相同模糊频率进行解模糊得到各脉组相对频率,因为这些相对频率包含相同的模糊,所以可以利用差分或滤波算法得到脉组间多普勒频率变化率;计算机仿真和试验均证明了该测量算法的有效性。     

人字形板式换热器板片结构参数对流动型式的影响分析

建立了人字形板式换热器换热区液-液换热的三维稳态流场模型,得到不同结构参数下板间流体的三维流线图,通过观察不同板片结构参数下流体的流线走向来研究板片结构参数对人字形板式换热器板间流体流动型式的影响,得到了板间流体随板片结构参数的变化规律,为板式换热器设计和性能优化提供参考。     

宽带用户行为分析与探究

宽带网络发展到一定的阶段,宽带用户的行为将对网络产生一定的影响,为保障网络健康高效的发展,我们不仅要关心网络运行质量,还要关心用户行为,关注网络流量。本文从用户接入控制,非法接入监控,VOIP监控,P2P监控四个方面进行阐述。     

基于话单分析的流量识别和流量经营的探讨

针对运营商进入3G,4G时代所面临的流量增长与收入不符的现状,本文指出流量识别,流量经营是当前运维3G,4G无线网的关键。基于现有3G网络的话单平台,文中提出一种简易、可行的流量识别技术,联合其他业务平台对虚拟社交网络进行"用户画像",以此来指导流量经营,最后结合实际应用案例进行说明,为电信运营商建立有效的流量经营模式提供了参考。     

微流控拉曼检测芯片的制备与应用

微流控芯片系统具有高效率、低损耗、高安全系数、高灵敏度等优势,表面增强拉曼散射(SERS)光谱具有灵敏度高以及指纹效应强等优点。从两方面对微流控拉曼检测芯片进行综述:微流控芯片通道和SERS基底的制备以及微流控拉曼检测芯片的集成与应用。最后讨论了SERS微流控芯片在便携化应用方面的挑战和机遇,并对整个领域的未来发展方向与前景进行了展望。     

双波长波片导致的脉冲分离对双色场辐射太赫兹波的影响

由于群速度的偏振依赖性,飞秒激光脉冲入射到双波长波片时出射光脉冲会分离为两个具有一定时间延迟的飞秒激光脉冲。从实验和理论模拟两方面研究了双波长波片导致的脉冲分离现象对飞秒激光双色场成丝辐射太赫兹(THz)波效率的影响。实验结果表明,脉冲分离导致的时间延迟会降低双色场辐射THz波的效率,可通过零级双波长波片缩短分离脉冲之间的时间延迟,有效提高THz波的产生效率。     

一种飞行计划航段自动激活方法

飞机从一个航段飞向下一个航段时,需要对下个航段是否激活进行判断.提出了一种新的飞行计划航段自动激活方法,通过获取飞机当前位置及其磁差,并结合临近的3个航路点对应位置的磁差经纬度,分别计算3个航路点与飞机位置对应的磁航向角,通过磁航向角之间做差进行比较,进而判断是否被激活.算法推导完成后,通过基于模型的系统工程工具SCA...