体硅热膜传感器单片集成工艺的研究

针对MEMS热膜式传感器的发展趋势和在实用化过程中存在的问题,提出了一种新型的单片电路和体硅MEMS热膜式传感器实现集成制造的嵌入式CMOS工艺技术,解决了MEMS制造工艺和CMOS集成电路工艺之间存在的兼容性问题。通过这种嵌入式CMOS工艺技术,可以实现具备最小体积、最低成本的MEMS器件。通过这种嵌入式热膜式传感器和CMOS处理电路的单片集成制造工艺,实现了一款热膜式传感器和IC放大电路的集成部件,并完成了相关基本电性能测试和传感器功能的演示验证,证明了设计的工艺路线的可行性。     

基于MEMS的非制冷红外探测器读出电路的设计

基于MEMS的非制冷红外探测器广泛用于军用和民用领域,其中作为探测器核心部件的焦平面探测阵列的读出电路等关键技术的研究至为重要.设计了一块240×320的焦平面探测阵列的读出电路,此电路能够抑制MEMS工艺的波动,减小探测器环境温度的影响.采用HHNEC 0.5 μm 工艺对此设计流片,其测试结果达到预期目标.芯片输出电压为1.5～3.5 V,每帧图像输出时间为16.32 ms,可以保证每秒61帧图像输出.     

提高海洋仪器的环境适应性和可靠性

由于海洋所处的环境与陆地不同,比较特殊,所以就对海洋仪器的环境适应性和可靠性提出了一个比较高的要求.本文简单的介绍了海洋仪器有哪些分类,阐述了海洋仪器环境适应性和可靠性之间有哪些关系,系统的介绍了怎样提高海洋仪器的环境适应性和可靠性,旨在促进我国海洋仪器、海洋事业的进一步发展.     

一种14位100 MS/s的流水线模数转换器

设计了一种14位100 MS/s的流水线模数转换器(ADC)。采样保持电路与第1级2.5位乘法数模转换器(MDAC1)共享运放,降低了功耗。提出了一种改进的跨导可变双输入开关运放,以满足采样保持和MDAC1对运放的不同要求,并消除记忆效应和级间串扰。ADC后级采用5级1.5位运放共享结构。基于0.18 μm CMOS工艺,ADC核心面积为1.4 mm²。后仿真结果表明,在1.8 V电源电压下,当采样速率为100 MS/s、输入信号频率为46 MHz时,ADC的信噪比(SNR)为82.6 dB,信噪失真比(SNDR)为78.7 dB,无杂散动态范围(SFDR)为84.1 dB,总谐波失真(THD)为-81.0 dB,有效位数(ENOB)达12.78位。ADC整体功耗为116 mW。     

低波纹度快速响应压电陶瓷驱动电源的研制

压电陶瓷驱动电源是压电陶瓷微位移器应用中的关键部件。文章提出了一种新的压电陶瓷驱动电源结构,并开发研制了新的压电陶瓷驱动电源,该电源采用直接稳压和放大方式,具有输出精度高,响应速度快,波纹度小,驱动能力强,稳定性好,结构简单,调试方便,造价低廉,实用性强等特点,适用于各种电压陶瓷驱动器。     

使用提前放闪电避雷针对短波测向天线场直击雷防护

本文对短波测向天线场直击雷防护的几种方法进行分析,提出了一种使用提前放闪电避雷针进行天线场直击雷防护的简单实用方法。     

混合激励线性预测低速率语音编码研究

为了满足数字通信及其他商业应用的需求,语音压缩编码技术得到迅速发展。近年来主流的低速率语音编码方案主要基于LPC-10,混合激励线性预测（MELP）,多带激励编码（MBE）,正弦变换编码（SCI）,波形内插编码（WI）。大多都工作在2．4kb／s速率下。作为一种重要的低速率语音编码算法。MELP算法对LPC-10编码方案进行大量改进,引入混合激励,非周期脉冲,残差付氏幅度谱,脉冲散布和自适应谱滤波5个特征。实验结果表明,该混合激励线性预测编码在2．4kb／s上得到了更好的合成语音,并使得合成语音能更好地拟合自然语音。     

低功率消耗SOI基热光可变光学衰减器

制作了带有U形隔热槽的马赫-曾德干涉型SOI热光可变光学衰减器,在1510～1610nm波长范围内动态调节范围可达到0～29dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响,最大功率消耗降低了230mW.     

多总线地面测试设备中双SDRAM控制器的设计

针对某型导弹多总线地面测试设备传输数据量大、传输速度高的要求,设计了一种基于乒乓操作的SDRAM控制器作为测试设备数据缓存器.详细介绍了以FPGA为主控器的设计方案,包括SDRAM内部接口设计、数据传输过程以及乒乓操作的实现方法.通过图像发生装置将图像数据发送给测试总线,对控制器功能进行验证,数据读写速率稳定达到125...     

低损耗高集成度氮化硅阵列波导光栅波分(解)复用器

氮化硅平台阵列波导光栅(AWG)波分(解)复用器具有损耗低、集成度高、温度敏感性低等优势。基于联合微电子中心有限责任公司(CUMEC)的氮化硅集成光子工艺平台,从波导传输损耗、阵列波导与平板波导模式转换损耗、截断损耗、泄漏损耗等方面对氮化硅基AWG波光(解)复用器插入损耗进行了优化,并采用标准CMOS工艺完成低损耗C波段AWG密集波分(解)复用器制备。该氮化硅基AWG密集波分(解)复用器输出通道数为16,输出通道频率间隔200 GHz。测试结果表明,该AWG波分(解)复用器的平均插入损耗为2.34 dB,1 dB带宽为0.44 nm,3 dB带宽为0.76 nm,串扰约为-28 dB。芯片尺寸为850μm×1700μm,较平面光波导(PLC)基AWG大大减小。