溶胶-凝胶制备技术与新型催化材料Ⅲ.溶胶粒子表面修饰方法制备催化膜

提出用溶胶粒子表面修饰方法，结合溶胶凝胶技术制备无机催化膜．该方法的基本原理是利用合适的金属配合物在胶粒表面的吸附作用，经溶胶凝胶过程，将活性组分结合到无机膜中．实验测定结果表明：（ＮｉＥＤＴＡ）２－，ＶＯ－３，ＭｏＯ２－４，（Ｐｄ（ＮＨ３）４）２＋，ＰｄＣｌ２－４，ＰｔＣｌ２－６和ＲｈＣｌ３－６可用来修饰ＡｌＯＯＨ溶胶．以Ｐｄ／γＡｌ２Ｏ３催化膜的制备为例，经三次溶胶凝胶过程，可制得无裂缺的厚度为９μｍ的Ｐｄ／γＡｌ２Ｏ３催化膜，膜材料的平均孔直径为６ｎｍ，Ｐｄ被均匀地分布在膜的顶层，其平均粒径为２３ｎｍ．     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

因素空间理论与知识表示的数学框架（Ⅷ）─—变权综合原理

本文是文［１－７］的继续，研究变权综合问题，从确定变权的经验公式入手引出了变权原理，给出了变权的公理化定义，讨论了与之有关的均衡函数及其梯度向量。     

国外MCM及其主要制造技术的发展现状

MCM具有胜过PCB、LSI和一般HIC的诸多优点,正在逢勃发展,可望成为九十年代的代表性技术。本文从市场和技术两个方面评述MCM的发展潜力,重点介绍近年来国外MCM主要制造技术的现状及发展态势,试图引起人们对它的关注。     

不等波纹函数低通原型的理论及应用

本文提出不等波纹函数低通原型，并对其理论进行初步探讨。切比雪夫函数及最平坦型巴特活兹函数皆为其特例。文中给出不等波纹函数的几个性质，最后给出两个应用实例，消除耦合环自感部分的影响；抑制高次模的微带圆盘腔带通滤波器。     

用于提高国产氩离子激光器相干长度的相干扩展器

本文报导了最近研制成功的用于提高国产氩离子激光器相干长度的相干扩展器。利用这种基于F-P理论的相干扩展器可以使国产氩离子激光器的相干长度由不足5cm一下提高到m的量级,功率损耗在25%～40%之间,有着很好的应用前景。     

采用区内C／I平衡的多区峰窝CDMA系统下行链路的性能

本文对采用区内Ｃ／Ｉ平衡的多区蜂窝ＣＤＭＡ系统下行链路的性能进行分析，给出两种区内Ｃ／Ｉ平衡算法并比较它们的性能，考虑呈对数正态分布的阴影和Ｒ＾－４规律的路径损失的综合影响，采用与传统不同的小区平均中断概率来评价系统的性能。     

940nm高功率激光二极管及线阵

设计并制作出了940 nm无铝有源区高功率激光二极管和激光条.通过MOCVD法生长出应变量子阱材料,器件显示出极好的性能,100μm条宽的激光二极管最大输出功率达800mW(室温),填充因子为17%的激光二极管条发射功率达32 W.     

An investigation of the Al2O3-CdSe interface in accumulation

The Al₂O₃−CdSe interface of a thin-film transistor is investigated in the frequency range 30 Hz-30 kHz under weak depletion and accumulation. The surface states are, most likely, located in the insulator Al₂O₃ with a concentration varying from 4·10¹⁸ to 10¹⁹ cm⁻³ eV⁻¹. The surface states have a negligible influence on the thin-film transistor operation.