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81.
探讨了体效应振荡器特性观测与使用实验中,编写实验原理要应用能带结构解释负阻特性并通过对偶极畴生长和运动过程的描述说明振荡原理,提出了实验教学方案,从教学效果上分析了开设此实验的意义及合理性。  相似文献   
82.
林惠文  朱文祥 《中国化学》2003,21(8):1054-1058
The structure of the title adduct comprises a phenanthroline derivative 2-phenyl-imidazo[4,5-f]1,10-phenanthroline and a methanol.The composition of the crystalline adduct was characterized as C19H12N4.CH3OH.It belongs to orthorhombic system,space group Pna21 with a=1.3693(4)nm,b=2.2988(7)nm,c=0.51338(15)nm,V=1.6160(8)nm^3.Z=4,and final R1=0.0423.wR2=0.1012 .Crystal structure shows that all the 19 carbon atoms and 4 nitrogen atoms are coplanar.The bond length data indicated that a very extensive conjugation system was formed.This conjugation makes the compound being a potentially excellent energy transformer used for luminescent materials.  相似文献   
83.
徐慧  郭力伟  刘云海  虞露  石磊 《电视技术》2006,(3):11-13,16
介绍了视频转码的几种基本技术,分析了MPEG-2与AVS的不同,提出了一种从AVS到MPEG-2的转码系统.针对关键的转码算法设计了一种综合优化方案,实验显示图像质量和压缩率都有明显提高。  相似文献   
84.
李慧  陈燕 《信息技术》2006,30(2):31-34
在传统的信号配时中,都是以减少车辆的总延误为目标,这样并不能很好地体现出整个社会中人的时间价值。现以减少所有通过交叉口的出行者的总延误为目标,在传统的信号配时方案的基础上,提出了一套新的配时方案,同时以减少全部出行者的总延误时间为目标给出了相应的延误评价公式,最后以杭州市文一路-古翠路口的实测交通数据进行分析,论证了本配时方案的有效性。  相似文献   
85.
立方相GaN的持续光电导   总被引:1,自引:1,他引:0  
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 .  相似文献   
86.
掺Yb相移光纤光栅形成过程的分析   总被引:3,自引:3,他引:0  
研究了用二次曝光法制作掺Yb相移光纤光栅的实验过程 ,并对相移光纤光栅制作过程中出现次峰的情况进行了理论分析。合理地解释了该现象  相似文献   
87.
介绍了移动IP技术 ,指出了传统移动IP技术在无线通信网中的不足 ,接着论述了分层管理的思想。通过对移动IP扩展协议HAWAII的分析 ,最后提出了把HAWAII用于CDMA中进行分层管理的架构  相似文献   
88.
本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.  相似文献   
89.
通过比较一道典型运动学题目的近似求解方法与精确求解方法,探讨坐标系选取对研究曲线运动的重要性.  相似文献   
90.
FED器件的发展迫切需要具有化学和热稳定性 ,高亮度 ,长寿命的新型荧光材料。本文合成了Gd3 +离子共掺杂的YAGG∶Tb获得了YAGG∶Tb ,Gd ,并将其用于 0~ 30 0 0V低压范围 ,对其在不同电压和电流密度下的发光特性进行了测试。结果表明 ,该种材料特性优于ZnO∶Zn并且不存在电压与电流饱和  相似文献   
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