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介绍了4线电阻式触摸屏的结构和工作原理,简单介绍了一款触摸屏专用接口芯片ADS7843的特点和原理,并具体给出了4点定位法来实现触摸屏到LCD的校准,最后探讨了嵌入式图形系统μC/GUI及其触摸屏功能的实现,文中所述相关方法已经使μC/GU在ARM平台上成功运行。 相似文献
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文章针对采样频率为44.1kHz的16位数字音频信号,采用CookBook方法,研究设计了用于过采样率为64倍的音频数模转换器的五阶3比特输出sigma-deha(∑-△)调制器。该调制器通带内信噪比(SNR)的matlab仿真实验结果达到了120dB以上,能够很好的抑制通带内噪声。该调制器设计结构采用前反馈和负反馈分支的∑△型.大大降低了电路的复杂性,使硬件实现十分方便,具有重要的应用价值。 相似文献
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微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性 总被引:1,自引:0,他引:1
外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要.用微波反射光电导衰减法(μ-PCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础.在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致.寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小.μ-PCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要. 相似文献
119.
用全实加关联方法计算了类锂Mn22 离子1s22s-1s2np(2≤n≤9)的偶极跃迁能和振子强度.1s2np(2≤n≤9)态的精细结构通过计算自旋-轨道与自旋-其他轨道相互作用算符的期待值确定.依据单通道量子亏损理论,确定了Rydberg系列1s2np的量子数亏损.从而可以用这些作为能量的缓变函数的量子亏损,实现对任意高激发态(n≥10)的能量的可靠预言.将这些分立态振子强度与单通道量子亏损理论相结合,得到在电离阈附近束缚态-束缚态跃迁振子强度以及束缚态-连续态跃迁的振子强度密度,从而将Mn22 离子的这一重要光谱特性的理论预言外推到整个能域. 相似文献
120.
由弱磁场中弱相互作用费米气体的配分函数,导出有限粒子数条件下系统的配分函数G(β,N ).在此基础上,运用统计平均方法求解有限粒子数弱相互作用费米气体热力学量的解析表达式,给出各种温度条件下的热力学性质.研究结果表明,有限粒子数效应使各个热力学量都产生了一个修正项,除温度趋于0外,粒子数对化学势的修正项有直接影响,对内能和热容量的修正项并不产生直接影响.并且有限粒子数效应总是降低化学势,从而使化学势的0点向低温漂移,粒子数增大,会削弱这种效应,粒子间的相互排斥会加强这种效应. 相似文献