基于矢量平均的信道估计算法

提出一种适用于DS-CDMA无线通信系统的低计算量而性能良好的信道估计算法。在DS-CDMA系统中，当接收信号经过解扩或多用户检测等时域预处理后，可以认为干扰大大减弱、期望信号在处理后的信号中占主要地位。这样，用预处理后信号相关阵的最大特征值对应的特征矢量可以很好地近似期望信号的信道矢量。但是，直接特征分解需要很大的计算量，特征跟踪计算量较低，但瞬态性能较差。本文提出一种基于相关矩阵列矢量平均的信道估计算法，该算法不需要特征分解或跟踪。仿真结果表明：新算法在降低计算量的情况下可以获得同直接特征分解方法几乎相同的性能。     

半导体量子点中极化子的有效质量

研究了半导体量子点中极化子的有效质量.采用改进的线性组合算符方法,导出在电子-体纵光学声子(LO)强耦合时抛物量子点中极化子的振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和电子-声子耦合强度的变化.对RbCl晶体量子点进行了数值计算,结果表明,量子点受限越强,半导体量子点中强耦合极化子的振动频率和有效质量就越大;极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加,当达到极值后,随受限强度的增加而急剧减少     

基于ASTER数据的地物光谱比辐射率的反演研究

比辐射率光谱表征着一个物体的内部物理和化学特征,是定量化遥感的一个关键参数.本文利用ASTER数据的第10至14波段,根据其数据的特点,基于温度比辐射率分离算法的思想,提出了将比辐射率标准化法(Normalize Emissivity Method,NEM)、经验公式、比值法(Ratio Method)这几个模块结合起来,在迭代的基础上计算出比辐射率的新算法.本文简要分析了模型误差的主要来源,并且把本文的算法与简化的ASTER的TES算法进行了比较.分析表明本文的算法是可行、有效的,而且该算法简单,易于实现,在能够保证精度的情况下运算速度快;同时也说明ASTER遥感数据用于反演地物的比辐射率可以得到比较理想的结果,具有良好的应用前景.     

IEEE1394技术在视频采集与传输中的应用

数字视频采集与传输所使用的普通串口技术普遍存在成本较高、体积较大、速度较低等问题,而IEEE1394技术则以多方面的优势成为一种较为理想的视频传输方案.通过IEEE1394接口,可以用摄录设备来播放和采集视频,也可以将计算机上编辑好的视频下载录制到录像带或其他媒体上.     

WPAN/WLAN应用环境下基于PER的链路自适应算法

本文重点研究基于包错误率测量的链路自适应算法，分析了包错误率与信道参数的关系，提出了一种有别于固定门限值方案的优化门限值方案。仿真结果表明，优化门限值方案的网络吞吐量要大于固定门限值方案和基于信干比估计的链路自适应算法，最大增幅可达12Mbit/s。在系统引入重传机制后，网络吞吐量将有所损失，但最大不超过1Mbit/s，相比较服务质量的提高是值得的。需指出的是，虽然分析和仿真均以HIPERLAN／2为例，但不失一般性，它们同样适合于WPAN/WLAN等类似系统。     

结合功率控制的时-空多用户检测器

针对CDMA系统中抗干扰技术,提出一种结合多用户检测、波束成形和功率控制的算法,对接收信号在时域和空间上进行联合处理,能大大抑制干扰,提高系统容量。     

Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies

In this paper, we review some of the advantages and disadvantages of nickel silicide as a material for the electrical contacts to the source, drain and gate of current and future CMOS devices. We first present some of the limitations imposed on the current cobalt silicide process because of the constant scaling, of the introduction of new substrate geometries (i.e. thin silicon on insulator) and of the modifications to the substrate material (i.e. SiGe). We then discuss the advantages of NiSi and for each of the CoSi₂ limitations, we point out why Ni is believed to be superior from the point of view of material properties, miscibility of phases and formation mechanisms. Discussion follows on the expected limitations of NiSi and some of the possible solutions to palliate these limitations.     

宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

提高EDA实验教学质量的实践与探索

介绍了一种在教学实践中总结出的行之有效的实验教学实施方式。一方面，将EDA实验教学过程分为实验预习、实验和总结提高三个阶段，为每个阶段规定了任务和要求。另一方面，为确保实验教学质量，需要明确实验任务，严格考核标准，做好讨论与总结。另外还讨论了网站等手段在EDA实验教学中的作用。