有机硅改性丙烯酸酯共聚乳液合成方法及胶膜性能的研究

用一次投料法、单体乳液滴加法和引发剂滴加法有机硅改性丙烯酸酯共聚乳液，聚合过程、胶粒形态及乳液稳定性的观测结果表明：单体乳液滴加法是合成该类乳液的最佳方法，研究了单体乳液滴加法中有机硅含量与聚合反及胶膜性能的关系，结果表明：有机硅含量在１５％以下时，聚合反应可以顺利进行，胶膜性能不仅依赖于聚合时有机硅单体的总量，而且还依赖于有机硅单体中活性硅氧烷所占的比例。     

空间展布体系中由化学反应-扩散-热传导耦合导致的温度场对称破缺

分析了由于化学反应-扩散-热传导耦合而导致的非等温非均匀体系中温度场对称破缺.研究结果表明,在一定的边界条件下,甚至是单组分化学反应-扩散-热传导体系,温度场的这种自组织进程也不可避免.作为温度场结构的一个范例,进一步从解析解及计算机模拟两个方面研究了小展布非等温的Lindeman模型;结果表明,温度场出现时空自组织的阈值不仅与本征参数有关,而且与体系的边界条件及外控约束相关,揭示出了诱发或避免这种温度场时空自组织之途径.     

磁性高分子链的磁性质和构象性质的Monte Carlo模拟

采用退火 (Annealing)MonteCarlo方法 ,从高温到低温顺序模拟了简立方格点上考虑最近邻Ising相互作用的磁性高分子链在不同温度的磁性质和构象性质 .磁性高分子链在低温下存在自发磁矩 ,无限长链的临界温度Tc=1 77± 0 0 5J kB.在临界温度附近 ,高分子链经历了从伸展的无规线团到紧缩球体的塌缩相变 .对链的尺寸、形状、近邻数及能量的分析表明 ,高分子链的构象性质从温度Tc=1 77开始发生较明显的变化 ,这表明高分子Ising链的相变是Ising相互作用和链节运动协同作用的结果 .     

单分散磁性P(St/BA/MAA)微球的制备

在共沉淀法合成超细磁流体的基础上 ,以苯乙烯 (St)、丙烯酸丁酯 (BA)和甲基丙烯酸 (MAA)为共聚单体 ,在不同的介质体系中采用无皂乳液聚合法制备了单分散 ,粒径范围为 80～ 2 30nm的磁性P(St BA MAA)微球 .详细探讨了介质极性、磁流体中表面活性剂含量对磁性高分子微球粒径和单分散性的影响 .实验结果表明 ,在一定范围内随介质极性降低 ,磁性高分子微球的单分散性提高 ,随表面活性剂用量增加 ,单分散性变差 .总体来看 ,磁性高分子微球的单分散性与其表面静电斥力密切相关 ,过大或过小的静电斥力均会导致磁性高分子微球单分散性的降低 .     

稳态荧光探针法测定三聚季铵盐表面活性剂的胶束聚集数

以芘为荧光探针, 十六烷基氯化吡啶(CPC)为猝灭剂, 以芘的饱和水溶液为溶剂配制表面活性剂溶液, 根据芘的荧光强度之比I1/I3随表面活性剂水溶液浓度的变化, 测定了三聚季铵盐表面活性剂CTTTA的cmc值, 测定值与表面张力法测定的cmc值一致；当猝灭剂CPC的浓度取0.1~0.3 mmol·L-1范围时, 用稳态荧光探针法测定了CTTTA的胶束聚集数. 实验数据表明, 表面活性剂溶液浓度为6~10倍cmc时, 胶束聚集数N随表面活性剂浓度增大而线性增大, 并用外推法得到CTTTA的临界胶束聚集数.     

低色温高显色性大功率白光LED的制备及其发光特性研究

用GaN基大功率蓝光LED芯片作为激发光源，分别用荧光粉转换法和红光LED补偿法制备了不同相关色温及显色指数的白光LED。对器件的发光特性研究表明，采用监光LED芯片激发单一黄色荧光粉，虽可以获得光通量和发光效率较高的白光LED，但其色温较高，显色性较差；在黄色荧光粉中添加红色荧光粉，由于光谱中红色成分的增加，可降低器件的色温，并提高器件的显色性，但由于目前红色荧光粉的转换效率较低，致使器件的整体发光效率不高；采用蓝光LED芯片激发黄色荧光粉，同时用红光LED进行补偿，通过调整蓝光和红光LED芯片的工作电流以及荧光粉的用量，可获得低色温和高显色性白光LED，而且整体发光效率较高。     

全自动电脑横机控制系统的设计

介绍了一种全自动电脑横机控制系统的新型分层体系设计.在该体系中,花型准备系统是基于Windows的开放式编程系统,通过编译自动生成编织指令数据文件,提供了独有的可扩充布纹库.下位NC硬件控制系统无需操作系统支持,便可完成对整个编织过程的实时监控,故障诊断,修改编织参数及测试执行部件等功能.新型的分层体系实现了上、下位机的功能独立,并保持了良好的人机交互界面和便捷的操作性,真正实现了全自动和智能化设计.     

智能手机中的SIM卡密码管理

随着移动多媒体时代的到来,拥有强大娱乐商务功能的智能手机越来越受到消费者的青睐。文中简要介绍一种新的智能手机平台Qtopia、Qtopia中独特的信号与槽机制、SIM(用户识别模块)卡中密码的种类以及Qtopia如何采用AT指令来管理SIM卡密码,并阐述了实际智能手机项目中SIM卡密码管理程序的实现思路。     

隔离式低压大电流输出DC/DC变换器拓扑分析

从拓扑、应用方面论述了低压大电流变换器技术近期的发展。对隔离式DC/DC变换器原边和副边拓扑进行了分析和比较,得出了隔离式低压大电流输出DC/DC变换器的优选拓扑结构。阐述了带倍流整流的桥式拓扑、推挽正激拓扑以及改进型推挽正激拓扑的优点和工作特点。同时,介绍了能提高变换器效率的同步整流技术。     

回旋速调管群聚腔研究

本文采用场匹配法对回旋速调管群聚腔进行了理论分析和数值模拟,讨论了两端开孔对腔谐振特性的影响及引入损耗介质层降低Q值方法,给出了一种工作频率为34GHz,工作模式为TE 01的回旋速调管低Q群聚腔的计算结果,结果表明,开孔大小明显影响腔内的谐振特性及驻波分布,损耗介质层的厚度增加将使群聚腔Q值迅速降低,选择适当的腔体结构,损耗介质及其厚度能有效地降低Q值,满足设计要求.