具有控制项的限定记忆卡尔曼滤波器

在已有的限定记忆卡尔曼滤波器的基础上 ,将确定性先验信息作为控制项加以应用 ,推导出了完整的限定记忆卡尔曼滤波公式 ,从而在记忆长度确定的情况下 ,有效地减小了模型不准的误差 ,降低了滤波总误差。仿真同样表明了该方法的有效性     

移动信息接收机的研制

介绍了一种新型的通信传媒设备，详细介绍了该接收机的工作机理、结构、功能特点以及软硬件的设计思路。     

交互控制程序编程方法

交互控制是计算机程序的重要功能 ,也是实现人—机对话的基本途径。VisualBasic编程语言以其易学习掌握、开发灵活的特点而成为目前流行的程序开发工具 ,本文以VisualBasic语言为例介绍了交互控制程序编程方法 ,并对具体的每一种方法编写了相应的示例。     

结合功率控制的时-空多用户检测器

针对CDMA系统中抗干扰技术,提出一种结合多用户检测、波束成形和功率控制的算法,对接收信号在时域和空间上进行联合处理,能大大抑制干扰,提高系统容量。     

基站智能天线多波束合成技术

采用数字波束形成的技术，给出了基站智能天线多波束合成的有效算法。对圆环阵分布的基站天线多波束方向图进行了综合，得到了空间隔离度很好的多个波束，并将副瓣控制在30dB以下，结果令人满意。该方法可用于任意单元构成的不均匀阵列天线，还可用于波束展宽及扇形波束的合成。     

Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies

In this paper, we review some of the advantages and disadvantages of nickel silicide as a material for the electrical contacts to the source, drain and gate of current and future CMOS devices. We first present some of the limitations imposed on the current cobalt silicide process because of the constant scaling, of the introduction of new substrate geometries (i.e. thin silicon on insulator) and of the modifications to the substrate material (i.e. SiGe). We then discuss the advantages of NiSi and for each of the CoSi₂ limitations, we point out why Ni is believed to be superior from the point of view of material properties, miscibility of phases and formation mechanisms. Discussion follows on the expected limitations of NiSi and some of the possible solutions to palliate these limitations.     

线性调频信号检测方法的研究

在线性调频信号体制雷达的数字脉冲压缩系统中对数字脉压后的脉冲串进行DFT相参处理时，若采样时刻偏离脉压回波的峰值时刻，不同的采样频率使得DFT相参积累后的信噪比会有不同程度的损失。本文详细分析了采样频率分别为20MHz和10MHz时对信号相参积累的影响，并对幅值检测和M／N检测两种检测方法的检测性能进行了比较，仿真结果表明，M／N检测优于幅值检测。     

宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

Analysis on X-Ray Laser Generation with EM-Wave Wiggler

The possibility of realizing SASE Free Election Laser in x-ray waveband with EM-wave wiggler is studied in this paper. SASE effect including saturation length, saturation power and nonlinear process is explored through a 3-D simulation code. A utilization of seed light from laser plasma x-ray is also analyzed, which demonstrates the feature of shortening the interaction length for saturation. The results show that sizeable output power of x-ray laser would be generated with a middle energy electron beam.