A Fast π/4-DQPSK Demodulation Arithmetic and Realization

The modulated signals of π /4-DQPSK can be demodulated with the differenced method,and the technology has been used in the communication. The traditional demodulated method needs a lot of calculation. In this paper, a new method based on fast arithmetic digital demodulation of DQPSK is presented. The new method only uses the sign of the modulated signal instead of digital signal through the A/D in the traditional method. With the new method, the system has higher speed, and can save some hardware in the FPGA. An experiment of the new method with the DQPSK is given in this paper.     

DSR的一种自适应路由自动缩短机制

动态源路由协议是无线自组织网络众多路由协议中被广泛关注的一种按需路由协议，目前，关于该协议的优化措施有很多。本文先分析了动态源路由协议的一种优化机制——路由自动缩短，该机制能动态缩短处于工作状态路由的跳数，但不保证缩短路由的质量，在此基础上，提出一种自适应路由自动缩短机制，新机制既可缩短路由．又能保证缩短路由质量．理论分析及仿真结果表明，自适应路由缩短机制的各项性能优于原路由缩短机制。     

固体相干激光雷达多普勒测速实验

采用单块非平面环形激光器作为种子,注入到单纵模运转的Q开关高重复频率Nd:YAG激光器为发射源,同时运用温度反馈控制,使种子光源和从动激光器自由振荡频率相匹配,实现稳定的单频输出.采用外差式相干探测的方法,测量运动目标的多普勒频移,从而达到测量运动物体速度信息的目的.根据实验现象,分析失谐频率△ω对外差探测的影响,提出了改进措施并应用于实验.比较已观测到的实验数据与理论计算值分析误差来源.     

玻璃微珠的表面化学镀银及红外辐射性能研究

采用化学镀方法在玻璃微珠表面镀银,考察了预处理条件、反应温度和反应时间等因素对玻璃微珠表面镀银的影响,并通过扫描电镜和X-射线衍射分析仪,对镀银后玻璃微珠的表面形貌和结构进行了观察和表征。将镀银玻璃微珠用于涂料中,考察了玻璃微珠在涂料中的应用及其红外辐射率的变化,探讨了化学镀条件对涂料红外辐射率的影响,结果表明,在控制反应温度和浓度的条件下,可使镀银玻璃微珠的红外辐射率由原来的1.02降为0.70,将其应用于涂料后,涂层的红外辐射率为0.80。     

Ku波段波导型双工器的研制

采用高精度的模式匹配法设计了一种Ku波段波导型双工器。双工器采用H面T接头和E面横向膜片波导带通滤波器。采用该方法设计的双工器精度高，结构简单，便于加工。文中也将理论结果和实测数据进行了比较，两者吻合得很好，证明了模式匹配法的精确性和有效性。     

传感器管理及其在相控阵雷达中的应用

传感器管理是数据融合的一部分。介绍了传感器管理的概念和框架 ,概述了国内外传感器管理算法的研究现状。主要工作是针对相控阵雷达这一传感器 ,通过对其不同工作模式以及不同参数的管理 ,来说明传感器管理的原理。提出了一种新的自适应采样周期算法 ,仿真结果表明该算法的优越性     

移动信息接收机的研制

介绍了一种新型的通信传媒设备，详细介绍了该接收机的工作机理、结构、功能特点以及软硬件的设计思路。     

交互控制程序编程方法

交互控制是计算机程序的重要功能 ,也是实现人—机对话的基本途径。VisualBasic编程语言以其易学习掌握、开发灵活的特点而成为目前流行的程序开发工具 ,本文以VisualBasic语言为例介绍了交互控制程序编程方法 ,并对具体的每一种方法编写了相应的示例。     

微桥法镍膜的弹性模量和残余应力测量

利用MEMS技术制作了不同尺寸的镍(Ni)膜微桥结构样品。采用纳米压痕仪XP系统测量了微桥载荷与位移的关系,并结合微桥力学理论模型得到了两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量和残余应力。结果表明,两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量结果一致,为190 GPa左右,但是残余应力变化较大。与采用纳米压痕仪直接测得的带有硅(Si)基底的Ni膜弹性模量186.8 7.5 GPa相比较,两者符合较好。     

Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies

In this paper, we review some of the advantages and disadvantages of nickel silicide as a material for the electrical contacts to the source, drain and gate of current and future CMOS devices. We first present some of the limitations imposed on the current cobalt silicide process because of the constant scaling, of the introduction of new substrate geometries (i.e. thin silicon on insulator) and of the modifications to the substrate material (i.e. SiGe). We then discuss the advantages of NiSi and for each of the CoSi₂ limitations, we point out why Ni is believed to be superior from the point of view of material properties, miscibility of phases and formation mechanisms. Discussion follows on the expected limitations of NiSi and some of the possible solutions to palliate these limitations.