全文获取类型
收费全文 | 27194篇 |
免费 | 4457篇 |
国内免费 | 4781篇 |
专业分类
化学 | 13369篇 |
晶体学 | 541篇 |
力学 | 1105篇 |
综合类 | 416篇 |
数学 | 2007篇 |
物理学 | 8176篇 |
无线电 | 10818篇 |
出版年
2024年 | 113篇 |
2023年 | 493篇 |
2022年 | 821篇 |
2021年 | 891篇 |
2020年 | 849篇 |
2019年 | 781篇 |
2018年 | 712篇 |
2017年 | 831篇 |
2016年 | 982篇 |
2015年 | 1173篇 |
2014年 | 1408篇 |
2013年 | 1853篇 |
2012年 | 2050篇 |
2011年 | 2171篇 |
2010年 | 1841篇 |
2009年 | 1990篇 |
2008年 | 2161篇 |
2007年 | 2109篇 |
2006年 | 1987篇 |
2005年 | 1807篇 |
2004年 | 1348篇 |
2003年 | 1082篇 |
2002年 | 1150篇 |
2001年 | 1072篇 |
2000年 | 1002篇 |
1999年 | 569篇 |
1998年 | 400篇 |
1997年 | 295篇 |
1996年 | 277篇 |
1995年 | 304篇 |
1994年 | 263篇 |
1993年 | 248篇 |
1992年 | 223篇 |
1991年 | 166篇 |
1990年 | 174篇 |
1989年 | 112篇 |
1988年 | 104篇 |
1987年 | 99篇 |
1986年 | 87篇 |
1985年 | 75篇 |
1984年 | 57篇 |
1983年 | 42篇 |
1982年 | 44篇 |
1981年 | 37篇 |
1980年 | 23篇 |
1979年 | 27篇 |
1978年 | 23篇 |
1977年 | 12篇 |
1966年 | 14篇 |
1965年 | 10篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
12.
中国卫星通信集团公司(以下简称中国卫通)是根据国务院电信体制改革的总体部署,于2001年12月19日正式挂牌成立的国有大型骨干企业,是我国六大基础电信运营企业之一。中国卫通下设30个省级分公司和17个全资、控股、参股企业。作为我国卫星通信广播电视运营的主导企业,中国卫通以保障国家卫星通信广播安全、服务国民经济和社会发展为已任,不断以特色化通信保障国家信息网络安全,服务信息社会。特别是在卫星广播电视传输、应急指挥调度通信等特殊领域和边远农村、海上通信、自然灾害、突发事件等特殊区域,发挥了不可替代的作用,在为缩小数字鸿沟助力,构建和谐信息社会的进程中做出了重要贡献。 相似文献
13.
14.
首先介绍了HART通信协议及他的优点,然后介绍了HART通信协议在汽油机测速方面的软件实现。该软件主要采用目前流行的VB编程语言。可设计出界面友好、功能强大的测量和监控软件。 相似文献
16.
17.
简要介绍交互数字电视中间件标准MHP的基本原理以及数字电视交互界面的分层模型,详细讲述如何基于XletView模拟器进行数字电视交互界面的设计与实现。 相似文献
18.
Shiao-Shien Chen Tung-Yang Chen Tien-Hao Tang Jin-Lian Su Tzer-Min Shen Jen-Kon Chen 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2003,50(7):1683-1689
This paper proposes a novel low-leakage BiCMOS deep-trench (DT) diode in a 0.18-/spl mu/m silicon germanium (SiGe) BiCMOS process. By means of the DT and an n/sup +/ buried layer in the SiGe BiCMOS process, a parasitic vertical p-n-p bipolar transistor with an open-base configuration is formed in the BiCMOS DT diode. Based on the two-dimensional (2-D) simulation and measured results, the BiCMOS DT diode indeed has the lowest substrate leakage current as compared to the conventional p/sup +//n-well diode even at high temperature conditions, which mainly results from the existence of the parasitic open-base bipolar transistor. Considering the applications of the diode string in electrostatic discharge (ESD) protection circuit designs, the BiCMOS DT diode string also provides a good ESD performance. Owing to the characteristics of the low leakage current and high ESD robustness, it is very convenient for circuit designers to use the BiCMOS DT diode string in their IC designs. 相似文献
19.
20.