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31.
无线网状网技术与应用 总被引:1,自引:0,他引:1
无线网状网(WMNs)由网状路由器节点和客户机节点组成,其中的网状路由器节点组成了无线网状网的网络骨干,其移动性很小。他们一起为无线网状网和其他常规无线网络的客户机节点提供网络的无线接入。WMNs技术结合了中心式控制的蜂窝网与分布式控制的无线自组织网的优点,可有效克服这两种技术的缺陷并显著提高无线网络的性能,已经成为下一代无线通信网络的研究热点之一。WMNs可为无线个域网、局域网、校园网、城域网的一系列应用提供高速无线宽带接入服务。虽然目前WMNs技术发展很快,但其协议栈各层仍存在许多有待研究的课题。首先简要介绍了无线网状网的结构与特点;随后重点分析了其主要的几个应用领域;最后探讨了WMNs各协议层的研究现状与关键技术,并分析了该技术存在的问题及未来的研究方向。 相似文献
32.
小功率行波管可靠性数字仿真的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
基于对实际器件的测试数据,采用模糊数学和最可能故障法建立整个器件的可靠性模型.引入可靠性分布密度函数,将实际测试得到的离散数据拟合成随时间变化的连续函数,不仅可得到小功率行波管测试性能的评估,而且还可以对其可靠性进行预测;进一步研究,还可以给出预测的准确度概率.本文主要讨论小功率行波管可靠度评估模型的建立、数据处理与精度分析等,并对预测与准确度的概率给予简要的介绍. 相似文献
33.
Investigation of the tunneling conductivity σ
d(V) of structures made on a highly doped, narrow-gap p-type semiconductor HgCdTe reveals an abrupt increase in this quantity at voltages corresponding to the start of tunneling
into the conduction band. It is shown that the observed functions σ
d(V) cannot be described in the framework of a model based on single-particle tunneling. It is proposed that the abrupt increase
in σ
d(V) is attributable to tunneling into exciton states.
Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 1069–1072 (September 1998) 相似文献
34.
侯旻 《新疆大学学报(理工版)》1991,(1)
本文比较了循环图类{c_p(n_1,…,n_p)}和{c-p(n_1…,n_p,p/α)}的直径下界。对于p和α满足一定条件的循环图类{c_p(n_1,n_2,p/α)},本文给出了达到或几乎达到此图类直径下界的一类几乎最优循环图{c_p(m,m+1,p/α)}。 相似文献
35.
由于悬空侧壁部分的变形状态是圆锥形零件成形的关键,而径向拉应力是实现悬空部分成形的必要条件,同时也是该部分冲压成形成败的关键为此,经力学分析得出了侧壁部分径向拉应力的解析式和造成圆锥形零件破裂的最大径向拉应力的计算式。同时分析了圆锥形零件的成形载荷。 相似文献
36.
本文利用拟线性常微分方程解的非存在性定理得到了一类拟线性反应扩散方程(非牛顿渗流方程)爆破界的估计,从而推广了半线性反应扩散方程(牛顿渗流方程)相应结果. 相似文献
37.
Degradation Behaviors of Metal-Induced Laterally Crystallized n-Type Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under DC Bias Stresses 总被引:1,自引:0,他引:1
Min Xue Mingxiang Wang Zhen Zhu Dongli Zhang Man Wong 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2007,54(2):225-232
Device degradation behaviors of typical-sized n-type metal-induced laterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors were investigated in detail under two kinds of dc bias stresses: hot-carrier (HC) stress and self-heating (SH) stress. Under HC stress, device degradation is the consequence of HC induced defect generation locally at the drain side. Under a unified model that postulates, the establishment of a potential barrier at the drain side due to carrier transport near trap states, device degradation behavior such as asymmetric on current recovery and threshold voltage degradation can be understood. Under SH stress, a general degradation in subthreshold characteristic was observed. Device degradation is the consequence of deep state generation along the entire channel. Device degradation behaviors were compared in low Vd-stress and in high Vd-stress condition. Defect generation distribution along the channel appears to be different in two cases. In both cases of SH degradation, asymmetric on current recovery was observed. This observation, when in low Vd-stress condition, is tentatively explained by dehydrogenation (hydrogenation) effect at the drain (source) side during stress 相似文献
38.
39.
通过对MgO:LiNbO3参量过程温度相位匹配及走离角,允许参量等运转参数的理论计算与分析,确定了晶体的切割角度θ=82℃,以近非临界相位匹配(NCPM)取代NCPM,将温度调节范围控制在较低的温度上,研制了532nm泵浦的MgO:LiNbO3温度调谐脉冲光学参数振荡器(OPO),在800~1700nm波段实现连续调谐输出。参量泵浦功率密度阈值为57.3MW/cm^2,泵浦能量约2倍阈值处,单谐振(SRO)参量转换效率为11%以上。 相似文献
40.