红外目标精跟踪方法的研究

本文提出了一种直接把红外前视传感器的输出作为测量值来跟踪红外目标的扩展型卡尔曼滤波跟踪算法。在滤波处理时,设置可变的测量矩阵,其目的在于提高运算速度和抑制噪声干扰。通过具体的实例,对所提跟踪算法的特点和有效性进行了细致的分析。     

花丝内插物强化竖直管内凝结换热的实验研究

1前言大空隙率多孔体管内插物-绕花丝内插物，被认为是强化管内凝结换热的最有效途径之一[1]．但以往的研究，由于实验雷诺数范围较小，蒸汽速度较低，要正确全面评价其性能尚显不够。本文在原有工作的基础上，进一步完善了实验系统，改进了测试手段，扩大了实验雷诺数范围，并测试了其阻力性能，对花丝内插物强化管内凝结换热进行了较深入全面的实验研究，以全面评价花丝内插物对管内凝结换热的强化效果。2实验系统本文实验系统如图1所示。实验段是一个竖直套管冷凝器，如图2所示．本试验研究蒸汽完全凝结时的传热。凝结水流量采用容积法计…     

气流式加速度传感器的敏感机理

介绍了在研制气流式加速度传感器过程中，为对气流式加速度传感器进行建模，作者对气流式加速度传感器的工作机理进行了理论性探讨。在分析过程中以流体力学、传热学和惯性理论为基础并结合实验结果，建立了适合于气流式加速度传感器的气体运动方程和能量方程。同时还讨论了热线测量加速度的方法及根据实验分析了输入加速度对腔体内温度及传感器输出电压的影响，从而为进一步研究一系列气流式传感器的工作机理提供了方法。     

155Mb／s时分光交换系统

本文介绍了国内第一个１５５Ｍｂ／ｓ时分光交换实验系统。系统以新型半导体光器件－半导体光开关门为核心构成，传输速度为１５５Ｍｂ／ｓ。     

三维流动传热空隙率计算程序FASTOR—3D开发研究

1引言大粘度（大r）和大系数（ss和sc）法是处理流动区域中障碍物的常用方法山。但当流动区域中障碍物数量较多时，宜采用空隙率来模拟障碍物，如模拟反应堆流动传热的商用程序COMMIX［’］。我们根据空隙率模拟的基本概念，针对采用交错网格的压力校正法，自行编制了多障碍物流动传热三维计算的全部源程序代码，应用于某核反应堆钠池流动传热的数值模拟，获得了比较合理的结果。2数学模型和数值方法2．1控制方程空隙率修整的质量、动量、能量及湍流动能与耗散率的守恒方程通式的三维柱坐标形式为其中中一1，。，。，。，T，k，。分别表…     

一种辐射源距离的估算方法

提出利用测量设备与辐射源相对运动速度及测量设备所接收到的辐射功率的估算测量设备到辐射源距离的一种方法。对计算精度进行了分析，通过算例对理论分析进行了检验。     

用Josephson结电子模拟器测量磁通量子2e/h

介绍用Josephson结电子模拟器在政党温度下，模拟测量磁通量子2e/h，用模拟器来研究Josephosn结的特性。该实验可作为普通物理实验中课题设计实验的一个内容。     

新型小周期wiggler的研制

本文提出一种新型小周期wiggler结构,它是由带铁芯的双绕螺旋片组成,产生圆极化磁场,对周期为10mm,长100mm的wiggler原型的磁场进行测量,横向磁场可达1KG,根据现有的加速器,加速电压为400—500keV,提出了输出频率为190GHz的小周期wiggler自由电子激光放大器设计。 关键词：     

FAR-INFRARED AND INFRARED REFLECTIONS OF Tl2Ba2Ca2Cu3O10 FILM

The far-infrared and infrared reflection spectra of Tl₂Ba₂Ca₂Cu₃O₁₀ superconducting film are reported in this paper. It is found there are three sharp reflection edges in both the superconducting and normal states, their positions being near ≈ 150, ≈ 350 and ≈600 cm^-1. We attribute these reflection spectra to the Drude free carriers and a wide mid-infrared absorption band. When the incident angle increases from 7° to 30°, some additional stractures appear in the refiection spectra, which are the A_2u phonon modes vibrating along c-axis.     

Self-aligned offset gated poly-Si TFTs with a floating sub-gate

We have fabricated a self-aligned offset-gated poly-Si thin film transistor (TFT) by employing a novel photoresist reflow process. The gate structure of the new device is consisted of two unique patterns: A main-gate and a sub-gate. The new fabrication method extends the gate-oxide over the offset region. With the assistance of the sub-gate and reflowed photoresist a self-aligned offset region is successfully obtained due to the offset oxide acting as an implantation mask. The poly-Si TFT with symmetrical offsets is easily fabricated and the new method does not require any additional offset mask step. Compared with the misaligned offset gated poly-Si TFTs, excellent symmetric electrical characteristics are obtained