CdS纳米锥的合成以及光致发光性能研究

将商用CdS粉在真空炉中通过简单的热蒸发获得了大量高纯的CdS锥状纳米结构.扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)观察和X射线衍射谱(XRD)的分析表明:CdS纳米锥状晶体为六角硫镉矿晶体结构,其形状为典型的纳米锥,晶格常数为a=0.413 nm,c=0.671 nm,沿着[0001]方向生长.CdS纳米锥的长度是20 μm到50 μm,直径从～100 nm减少到～20 nm.本文还详细研究了CdS纳米锥晶体的拉曼特性及其在激光辐射下的室温光致发光行为,探讨了绿光(波长为～512 nm)发射的机制.结果表明,这种CdS纳米锥可能用于新颖的光学器件.     

一种用于卫星定位系统的宽波束圆极化天线

在卫星通信、定位设备中,为了迅速完成定位和通信功能,一般要求天线具有较大的波瓣宽度和较好的低仰角增益.研究设计了一种具有良好低仰角增益的宽波束圆极化四臂螺旋天线,该天线在上半空间的增益分布十分均匀,10°仰角的增益相对峰值增益下降不超过3 dB.为了改善天线的轴比性能,文章提出了一种四臂等幅馈电、相位依次相差90°的天线方案,仿真结果表明,这种天线的增益特性和轴比特性都得到了较大的改善.     

一种基于流水线的MQ编码器FPGA设计

提出了一种应用于JPEG2000标准的4级流水线MQ编码器设计方案.采用状态超前更新,前导0位超前检测和字节输出缓冲策略,解决了在上下文(CX)状态表更新、归一化及字节输出过程中的反馈和循环等问题,提高了编码效率.同时,对关键路径处算法进行优化,提高了系统工作的时钟频率.该设计使用VHDL语言在RTL级描述,并在FPGA上对其进行了仿真验证.实验表明,在Altera的StratixⅡ EP2S601020C4上,编码器的工作效率可以达到1CxD/cycle,最高工作时钟频率可达99.66 MHz.     

基于ANSYS的光纤连接器端面抛光仿真研究

主要利用ANSYS软件对光纤连接器抛光时端面接触压强分布的仿真分析,又与实际情况进行比较,证明分析是正确的,从而为光纤连接器端面抛光的优化分析提供了充分的理论依据。     

利用流变仪测定聚苯乙烯的分子量和分子量分布的研究

用先进流变扩展系统ARES（Advanced Rheology Expanded System）对聚苯乙烯的分子量和分子量分布进行了测定,并且将所得的结果与GPC的结果进行了比较,发现误差非常小．因此认为用ARES进行特定聚合物的分子量及分子量分布测定,是一种快速、准确的测定方法,对生产的质量控制有一定的帮助．     

表面活性剂浓度与表面张力-稀释倍数积分值的关系研究

比较了三阶段Hermit插值和二次多项式的表面张力-稀释倍数拟合曲线及其求积方式,得出由三阶段Hermit插值所得n 1个离散数据点的拟合曲线,及对其前n个离散数据点所在区间上进行求积较佳。在三阶段Hermit插值拟合及求积方式下,分析了十二烷基硫酸钠、十六烷基三甲基溴化铵、茶皂素和去菌体前后含鼠李糖脂发酵液溶液浓度与表面张力-稀释倍数积分值之间的线性回归方程F值和r值,结果显示:F值大小受积分区间、(生物)表面活性剂种类、溶液浓度与临界胶团浓度的比值大小及溶液中杂质的影响,但F值均大于F0.005。     

涂料中甲醛的分光光度测定新方法

在FeCl3存在的盐酸介质中,甲醛与蛋白胨反应生成紫色化合物,最大吸收波长555 nm,甲醛浓度在1~25μg/10 mL范围内,吸光度与浓度成线性关系,线性相关系数r2=0.9997,检出限0.05μg/mL。用本法测定经活性炭脱色的水溶性涂料中的甲醛含量,回收率为96.46%~103.32%,相对标准偏差(n=6)为1.36%~2.09%。     

阻抑动力学光度法测定痕量铜

在pH 4.5的HAc-NaAc缓冲溶液中, 痕量铜对KBrO3氧化亮绿SF的褪色反应有明显的阻抑作用, 据此建立了测定痕量铜的新方法. 方法的线性范围为0.004～0.048 μg/mL, 检出限为8.63×10-4 μg/mL, 已用于人发中铜的测定.     

荧光法猝灭测定木槿叶中混合氨基酸的总量

在乙酸-乙酸钠缓冲介质中,氨基酸能猝灭壳聚糖-茚三酮体系荧光,基于此,对木槿叶中混合氨基酸进行测定,并对该方法的测定条件进行了讨论.线性范围为0.5～3.0 mmol/L,检出限为0.1 mmol/L.木槿叶干粉中游离氨基酸的质量分数为10.18%,相对标准偏差为1.3%,回收率为102.5%～94.3%.     

利用MCNPX模拟研究不同中子源对有源符合中子法的影响

利用MCNPX软件建立了有源井型符合计数器(简称AWCC)测量模型,模拟了诱发中子源分别为Am-Li源和Am-Be源时AWCC测量贫化铀的中子符合计数率,研究了两种诱发中子源下AWCC测量贫化铀质量的精度.研究表明,Am-Be源引起的诱发中子符合计数率低于Am-Li源引起的诱发中子符合计数率,Am-Be源下的质量刻度曲...