MIMO-OFDM系统无线衰落信道容量分析

推导了MIMO-OFDM系统在衰落信道下的各态历经容量、最优发送策略、使用等功率分配时的容量上界以及相对于单天线OFDM系统的容量增益。结果表明：天线数和平均接收信噪比是决定MIMO-OFDM系统信道容量的关键因素。天线数越多或者接收信噪比越大,信道的容量越大,信道容量几乎不受多径时延扩展的影响。慢衰落信道下的最大信道容量可以使用空-频两维注水算法得到,当接收信噪比足够大时,最大信道容量也可以用平均分配发送功率的方法逼近。     

电子束液态曝光技术中的穿透深度预测研究

穿透深度预测是电子束液态曝光技术中的一个重要课题。采用对比分析的方法对MonteCarlo模拟和Grun公式在预测液体抗蚀剂穿透深度中的适用性进行了研究,得出了可以使用这两种方法对高能电子在液体抗蚀剂中的穿透深度进行预测的结论,并以环氧618为液体抗蚀剂进行实验验证,证明了结论的正确性,拓宽了两种方法的适用范围,为不同厚度液体抗蚀剂涂层穿透所需加速电压的快速、准确选定提供了参考依据。     

一种1.8 ppm/℃曲率补偿BiCMOS带隙基准源

介绍了一种基于BiCMOS工艺的新型温度补偿技术。该技术充分利用了PN结反向饱和电流是温度敏感函数的特性,使用简单的电路结构,达到了很好的温度特性和电源抑制性能。该电路结构产生的带隙基准电压在-40~125℃范围内使用HSPICE进行仿真,得到的温度系数仅有1.8 ppm/℃。     

勃脱华兹近似在电路理论中的探讨和运用

探讨了如何根据误差函数、勃脱华兹多项式,采用实际电路理论中滤波器的分析方法,克服滤波器中的误差不均匀的缺点,实现比较理想的衰减特性,使其达到最大平坦,满足滤波器通阻带的各项指标要求。这种分析滤波器误差分布近似的方法就是勃脱华兹近似。结合勃脱华兹低通滤波器的特性,举例说明了利用勃脱华兹近似的方法设计滤波器的过程。     

WinDriver在开发基于PLX9056芯片的PCI设备驱动程序中的应用

随着图像处理技术的发展,对图像数据的传输速率要求越来越高,PCI总线就是一种具有高速传输速率的高性能的局部总线。在设计自行开发的基于PCI总线的数据传输设备时,需要开发相应的设备驱动程序。通过对目前使用较广泛的驱动开发工具DDK、DriverStudio和WinDriver的比较,WinDriver具有适用性广、性能优良及稳定等优点。介绍了WinDriver的主要特点、结构和开发步骤。结合实践中开发的数据接收PCI插卡介绍了利用WinDriver开发PCI设备驱动程序的方法。     

激光相位调制法布里-珀罗腔精细度法测定反射率

谐振腔精细度法是通过测量光学谐振腔透射谱线宽度来实现对光学反射镜反射率的测定。由于此谱线宽度数值通常在射频范围,采用光谱仪难以精确测量,而在谐振腔精细度方法的基础上引入激光相位调制技术,提出激光相位调制法布里-珀罗(F-P)腔精细度法测定反射率。利用电光调制器对激光进行射频相位调制,以产生的调制边带与激光载波的频率间隔作为“射频标尺”,精确测量了法布里-珀罗腔透射光谱的谱线宽度。利用腔精细度与腔透射光谱的谱线宽度及反射率的关系公式,获得了反射镜的反射率,测量精度可达到10-4。     

宽带II-VI族磁性半导体的铁磁特性研究

自旋电子学是凝聚磁学与微电子学的桥梁,从而将磁器件与微电子器件联系起来,而半导体自旋电子学是在自旋电子学基础上发展起来的一门新兴学科。近年来,由于磁性半导体的铁磁特性及磁光特性的研究迅速发展,使半导体自旋电子学的研究成为自旋电子学领域的一个重要分支,它着重于以磁性半导体为基本材料的新型电子器件的研究。本文主要介绍宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体铁磁特性的研究进展及一些初步的研究工作。     

SLA实现技术及其应用

随着网络服务的内容越来越丰富，用户对服务质量（QoS）的要求也越来越高。为了管理提供QoS保证的电信业务，服务等级协定（SLA）被提出，用来解决用户和服务提供商间有关QoS保证的问题。SLA表示模板、违例处理和指标评价是SLA的3种关键的实现技术。一个典型的SLA管理系统通常包括SLA数据管理、SLA问题管理和SLA管理3个部分。SLA的研究还处于起步阶段。需要进一步规范SLA管理内容。定义通用性和专用性相结合的管理方法，形成统一的工业标准。     

Improvement in Electrical Properties of SIMNI Films by Multiple-Step Implantation

In the past decade,there is an increasing interest in making Silicon-On-Insulator(SOI) films by high dose oxygen or nitrogen implantation into silicon,which will replaceSOS(Silicon-On-Sapphire) to fabricate the high-speed,no latch-up...     

硅基GaN外延层的光致发光谱

报道了在硅基上用简便的真空反应法制备出 Ｇａ Ｎ 外延层,并对其发光特性进行了研究。发现衬底晶向、生长温度和退火均会对 Ｇａ Ｎ 外延层的发光特性产生影响。 Ｓｉ（１１１） 衬底比 Ｓｉ（１００） 衬底更有利于 Ｇａ Ｎ 外延层的单色发光。退火使 Ｇａ Ｎ 外延层的发光强度降低。在１ ０５０ ℃下生长的 Ｇａ Ｎ 外延层的发光强度高于其他温度下生长的 Ｇａ Ｎ 外延层的发光强度