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71.
聚二甲基二烯丙基氯化铵的合成,表征及抗菌性能 总被引:2,自引:0,他引:2
65%的二甲基二烯丙基氯化铵(DADMAC)单体水溶液通过自由基聚合得到分子量约为5000的聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDADMAC)均聚物。用红外光谱,核磁共振,X射线衍射仪,粘度法和扫描电镜对PDADMAC进行结构分析和表征。合成聚合物的抗霉菌实验表明,PDADMAC对多种霉菌有抑制作用,具有较宽的抑菌谱;抗细菌实验表明,PDADMAC对金黄色葡萄球菌,大肠杆菌,枯草芽孢杆菌具有不同程度的抑制作用。 相似文献
72.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 总被引:2,自引:2,他引:0
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。 相似文献
73.
74.
我国医疗费用增长与医疗设备投入的相关性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
近年来我国卫生总费用占GDP的比例增长很快,而在卫生费用结构上则发生政府投入下降和个人支出的上升。本文采集了大量的统计数据,采用统计相关性研究的方法,论证了医疗设备规模的不断扩大是导致医疗费用上升的主要因素之一;医疗设备的快速增长与医院维修费用投入的增长直接相关,而引起医疗设备维修大量投入的主要原因则是故障期内医疗设备的非正常闲置。本文通过对个人卫生费用的上升、医疗设备规模的扩大及其医疗设备维修投入费用增加相关性的分析,说明了在这种关系下,十分有必要研究医院医疗设备维修体系,以在卫生投入和患者权益上达到平衡。 相似文献
75.
76.
77.
We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics. 相似文献
78.
本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。
关键词: 相似文献
79.
80.
Yong LU Hong WANG Ye LIU Ming Yuan HE 《中国化学快报》2006,17(10):1397-1400
Recently, miniature H2 generator to power fuel cells for portable/micro electronic devices and passenger propulsion has been the focus of intense research activities1-3. One of the strategies is to find simple CO-free H2 production with novel microreactor… 相似文献