一种新颖的基于非压缩数字视频的水印盲检测算法

数字水印是一种嵌入到多媒体数据中用来进行版权标识的工具。在众多的宿主媒体中，数字视频因具有隐藏容量大、透明性好、鲁棒性强等诸多优点而受到日益广泛的关注。但是很多文献中提到的视频水印都是从数据流中提取单帧图像进行处理，这类算法与静态图像的水印方法如出一辙，没有充分利用视频文件的各种特性。而且对帧平均、视频压缩等常见的运动图像攻击方法十分敏感。针对这些问题，本文以非压缩视频文件为实验对象，结合人类视觉模型和彩色图像场景分割的方法，提出并实现了一种基于视频时间轴的数字水印盲检测算法。实验结果表明算法有效实用。     

机械力化学作用对低介硅灰石瓷料的相变和相组成的影响

采用X射线衍射仪(XRD)、差热分析(DTA)手段详细研究了由氧化物粉末制备硅灰石陶瓷时,机械力化学作用及后续热处理对硅灰石陶瓷相组成和相变过程的影响,分析了机械力化学在球磨过程中的作用机理主要是细化晶粒、使晶格畸变、晶格缺陷增多、非晶化和诱导低温化学反应。结果表明:高能球磨中的机械力化学作用能够有效地降低硅灰石陶瓷的烧成温度(11160~11220℃)。探明了经高能球磨的样品在烧成过程中的晶相转变规律。瓷料最终的晶相为单一的-硅灰石(高温变体)。     

随机激光器的最新进展

综述了近年来随机激光器的最新研究结果，包括随机激光产生的机制，随机增益介质的制备方法，随机激光器的激励与发光特性和随机激光理论。最后，介绍了随机激光器的应用前景。     

半导体量子点中极化子的有效质量

研究了半导体量子点中极化子的有效质量.采用改进的线性组合算符方法,导出在电子-体纵光学声子(LO)强耦合时抛物量子点中极化子的振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和电子-声子耦合强度的变化.对RbCl晶体量子点进行了数值计算,结果表明,量子点受限越强,半导体量子点中强耦合极化子的振动频率和有效质量就越大;极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加,当达到极值后,随受限强度的增加而急剧减少     

数字视音频传输中的光纤通道网络技术

随着数字技术的发展，数字视音频数据量迅速增加，这就需要一种新的视音频网络技术来提高数字视音频文件传输的速度，数字视音频的光纤通道网络技术解决了这个难题。主要介绍数字视音频的光纤通道网络技术的性能、优势以及网络环境建设。     

基于移动代理的网络拓扑发现研究

提出了一种基于移动代理的分布式网络管理系统模型,阐述了该系统发现网络拓扑的过程,介绍了具体算法思想,给出了数据结构和算法描述,最后进行了仿真,证明了算法的有效性.     

基于Agilent-VEE平台的测试系统设计与应用

美国安捷伦公司(原惠普公司)的Agilent-VEE，NI公司的Lab VIEW和Lab Windows／CVI开发软件等是国际上公认的优秀的虚拟仪器开发平台软件，人们对以应用后两者开发测试系统比较了解，但对VEE在测试系统中的应用少有介绍。本文介绍基于Agilent-VEE平台和GPIB总线的实用测试系统的组成、特点及仪器控制方式。     

基于JSP技术的Web网站安全性研究

通过对基于JSP技术的Web网站的体系结构的介绍．从Web服务器安全、JSP脚本编程及数据库安全等几方面分析研究了web网站存在的安全问题，并探讨了web网站开发时应采取的安全措施。     

GSM无线公话产品中的干扰研究

GSM90 0 /1 80 0固定无线公用电话桌面型话机在开发过程中遇到严重的噪音问题 ,一度成为开发工作的瓶颈。本文就这一噪音问题进行了分析与测试 ,并针对干扰源采取相应的措施 ,在产品开发中付诸应用 ,最终解决了 GSM桌面型无线公话的噪音问题     

Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies

In this paper, we review some of the advantages and disadvantages of nickel silicide as a material for the electrical contacts to the source, drain and gate of current and future CMOS devices. We first present some of the limitations imposed on the current cobalt silicide process because of the constant scaling, of the introduction of new substrate geometries (i.e. thin silicon on insulator) and of the modifications to the substrate material (i.e. SiGe). We then discuss the advantages of NiSi and for each of the CoSi₂ limitations, we point out why Ni is believed to be superior from the point of view of material properties, miscibility of phases and formation mechanisms. Discussion follows on the expected limitations of NiSi and some of the possible solutions to palliate these limitations.