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We investigate the effect of dopant random fluctuation on threshold voltage and drain current variation in a two-gate nanoscale transistor. We used a quantum-corrected technology computer aided design simulation to run the simulation (10000 randomizations). With this simulation, we could study the effects of varying the dimensions (length and width), and thicknesses of oxide and dopant factors of a transistor on the threshold voltage and drain current in subthreshold region (off) and overthreshold (on). It was found that in the subthreshold region the variability of the drain current and threshold voltage is relatively fixed while in the overthreshold region the variability of the threshold voltage and drain current decreases remarkably, despite the slight reduction of gate voltage diffusion (compared with that of the subthreshold). These results have been interpreted by using previously reported models for threshold current variability, load displacement, and simple analytical calculations. Scaling analysis shows that the variability of the characteristics of this semiconductor increases as the effects of the short channel increases. Therefore, with a slight increase of length and a reduction of width, oxide thickness, and dopant factor, we could correct the effect of the short channel. 相似文献
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This minireview describes the strategies for synthesis of fiuorinated surfactants potentially nonbioaccumulable.Various strategies have been focused on(Ⅰ) reducing the length of the perfluorocarbon chain,(Ⅱ) introducing hetero atoms into the fluorocarbon chain,(Ⅲ) introducing branch(herein and after branch means the fluoro-carbon chain section is not straight).In most cases,the surface tensions versus the surfactant concentrations have been assessed.These above strategies led to various highly fiuorinated(perfluorinated or not perfluorinated) surfactants whose chemical changes enabled to obtain novel alternatives to perfluorooctanoic acid(PFOA) and perfluorooctane sulphonate(PFOS). 相似文献
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Nonlinear Dynamics - In this paper, the current-controlled DC–DC buck converter from a new perspective are studied through the switching theory of flow, and the analytical conditions of the... 相似文献
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提供了一种简便易行的靶面激光光斑尺寸原位测量的方法。从高斯光束的横向光强分布特性出发,建立了激光烧蚀斑半径与辐照激光能量、光斑尺寸、烧蚀阈值间的关系式,模拟分析发现辐照激光光斑尺寸对烧蚀斑半径随辐照能量变化曲线有较大影响。对于脉宽为2 ms,波长为1064 nm的激光,实验测量了不同能量激光辐照下相纸烧蚀斑半径,并用推导出的关系式拟合测量数据,获得了靶面处光斑尺寸和样品烧蚀阈值。同时,也测量了不同位置处的光斑尺寸和样品烧蚀阈值,对高斯光束束腰位置和样品烧蚀阈值的光斑尺寸效应进行了验证。研究结果表明该技术结果可靠,简单高效。该技术可以为高能激光与固体物质相互作用的基础研究和激光加工等应用领域中实现简单方便地测量靶面光斑尺寸提供帮助。 相似文献
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刘伟 《信息技术与信息化》2015,(2):80-81
本文据国内矫直机的使用情况,提出完善弯辊功能,解决辊缝标定清零及运行中的问题,提升轧钢厂运行效率与产品质量。 相似文献