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非线性互补问题的一种全局收敛的显式光滑Newton方法 总被引:2,自引:0,他引:2
本针对Po函数非线性互补问题,给出了一种显式光滑Newton方法,该方法将光滑参数μ进行显式迭代而不依赖于Newton方向的搜索过程,并在适当的假设条件下,证明了算法的全局收敛性。 相似文献
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用波导产生倍频波时,如果倍频波进入辐射模区,仍然有相匹配问题。契伦可夫辐射式倍频不是自动地实现相匹配的。相匹配要求导波基波模式场,倍频传输场(自由波),倍频触发场,以及经多次反射透射后的辐射场的迭加形成的总辐射场处于同步的相匹配状态。根据这个相匹配的分析,提出波导契伦可夫相匹配的特有的方法,那就是对波导的模色散进行设计,并指出非对称波导的特有优点,是改变一个边界上的反射相变,即选择不同色散的线性材料作包层,由此可得到相匹配的高效契伦可夫倍频辐射。 相似文献
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本文描述一种基于8031单片机和TC8830AF语音处理器的PC机智能语音卡,通过软硬件设计解决了PC-8031-TC8830AF结构中的通讯问题。该语音卡在进行语音的合成、编辑和播放时,仅占用极少的PC机CPU处理时间,能满足计算机系统进行实时语音合成的要求。 相似文献
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对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究.利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极.并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极,结合一种弹性封装工艺,开发了一种具有简单字符显示功能的场发射显示器.该显示器在较低的工作电压下就可获得高亮度的显示效果,并且器件的亮度与驱动电压成较好的线性关系,这将有利于未来的碳纳米管场发射显示器实现高亮度和多级灰度显示.器件的持续工作寿命测试已经超过5500小时,充分验证了碳纳米管作为场发射阴极的应用潜力. 相似文献
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Yuhua Cheng Chih-Hung Chen Matloubian M. Deen M.J. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(3):400-408
High-frequency (HF) AC and noise modeling of MOSFETs for radio frequency (RF) integrated circuit (IC) design is discussed. A subcircuit RF model incorporating the HF effects of parasitics is presented. This model is compared with the measured data for both y parameter and fT characteristics. Good model accuracy is achieved against measurements for a 0.25 μm RF CMOS technology. The HF noise predictivity of the model is also examined with measured data. Furthermore, a methodology to extract the channel thermal noise of MOSFETs from HF noise measurements is presented. By using the extracted channel thermal noise, any thermal noise models can be verified directly. Several noise models including the RF model discussed in this paper have been examined, and the results show that the RF model can predict the channel thermal noise better than the other models 相似文献
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Using AuGeNiCr multilayered metals as the wafer bonding medium, long-wavelength GaInAsP/InP vertical cavity surface emitting lasers employing Al-oxide/Si as the upper and lower distributed Bragg reflectors were fabricated on Si substrate with the bonding interface formed outside the vertical cavity surface emitting laser cavity. Laser emission at 1.545 μm was measured under pulsed operations near room temperature. The low-temperature metallic bonding process demonstrates a great potential in device fabrication 相似文献