首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   67912篇
  免费   12300篇
  国内免费   15183篇
化学   26689篇
晶体学   1689篇
力学   3108篇
综合类   1552篇
数学   6465篇
物理学   19541篇
无线电   36351篇
  2024年   382篇
  2023年   1074篇
  2022年   2650篇
  2021年   2571篇
  2020年   2209篇
  2019年   2086篇
  2018年   2113篇
  2017年   2947篇
  2016年   2264篇
  2015年   3434篇
  2014年   4151篇
  2013年   5142篇
  2012年   5431篇
  2011年   5802篇
  2010年   5720篇
  2009年   5932篇
  2008年   6325篇
  2007年   5905篇
  2006年   5687篇
  2005年   4669篇
  2004年   3666篇
  2003年   2463篇
  2002年   2456篇
  2001年   2393篇
  2000年   2466篇
  1999年   1191篇
  1998年   555篇
  1997年   408篇
  1996年   402篇
  1995年   317篇
  1994年   314篇
  1993年   338篇
  1992年   263篇
  1991年   225篇
  1990年   194篇
  1989年   184篇
  1988年   184篇
  1987年   163篇
  1986年   120篇
  1985年   82篇
  1984年   99篇
  1983年   86篇
  1982年   55篇
  1981年   49篇
  1980年   47篇
  1979年   45篇
  1978年   18篇
  1971年   11篇
  1965年   24篇
  1959年   16篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
91.
本文将关于半连续函数的Hahn-Dieudoné-Tong插入定理推广到值域为格L的惰形。我们是对格值半连续映射全体形成的拓扑进行考察,将这个问题归结为诱导空间的某种分离性问题来解决的。作为附产品,对相当广大一类格L,证明了诱导空间为正规当且仅当底空间是正规的。反例说明了对乙的限制的必要性。这些结果与反例说明诱导空间的正规性以及格值插入定理成立与值域乙的特征有密切关系。古典的插入定理的证明是分析式的且富有技巧性。与之相比,这里使用的称之为层次结构的新方法则相当朴素而自然。这方法基于对层次之间的拓扑关系有深入的认识。希望这种归纳地给出层次然后定出映射的方法还会得到进一步的应用。  相似文献   
92.
假定BES合作组在辐射衰变J/ψ→γ pp中观测到的pp,谱的增强是由于存在一个pp的分子态,用线性σ-模型计算了它的束缚能和寿命. 具体考虑了这种增强现象是由于pp可能形成一个S-波或P-波共振态, 并把计算结果和实验数据做了比较. 与氘核不同, 由于pp可以通过s-道湮没, 因此通过研究它的总宽度可以获得线性σ-模型及其相关问题的信息.  相似文献   
93.
ONOO-活性氧的荧光光谱分析进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
系统介绍了ONOO^-活性氧的化学性质,并对其参与的主要化学反应进行了分类和总结.同时,比较了近年来用于ONOO^-检测的方法,并重点论述了荧光光谱分析方法尤其是酶催化动力学荧光分析法在检测ONOO^-活性氧方面的优势和最新的研究进展.  相似文献   
94.
We propose a new lens scheme to focus cold atoms by using a controllable inhomogeneous magnetic field from a square current-carrying wire fabricated on a chip. The spatial distributions of the magnetic field are calculated, and the results show that the generated magnetic field is a two-dimensional (2D) quadrupole one and can be used to focus cold atoms or a cold atomic beam. The dynamic processes of cold atoms passing through our square wire layout and its focusing properties are studied by using Monte Carlo simulations. Our study shows that the atomic clouds can be focused effectively by our magnetic lens scheme, and the focal length of the atomic lens and its radius of focused spot can be continuously changed by adjusting the current in the wires.  相似文献   
95.
本文完成了我国第一个4×622Mb/s波分复用(WDM)光通信系统实验,使单根光纤线路通信容量达2.4Gb/s。该系统以DFB-LD为光源,工作波长在1.55μm附近,LD的工作频率稳定度优于±150MHz,信道间隔2nm左右,无中继传输距离为43.6km,采用F-P调谐光滤波器作为解复用器,接收机灵敏度达-30dBm。  相似文献   
96.
Novel molecular material ,1-benzothiazoly-3-pheny1-pyrazoline (BTPP) was found to function as bright blue light emitting dye in organic electroluminescent device, and its optical and electric characteristics were investigated. This heterovyclic compound exhibited good characteristics of blue photoluminescence and electroluminescence,which had the emission peak at 450nm .The single layer light-emitting devices using BTPP as light -emitting material dispersed in poly(N-vinylcarbazole)(PVK) and double layer ones using PBD as hole block layer above the light-emitting layer were fabricated using conventional spin-casting and vaccum vapour deposition methods. The introduction of PBD has enhanced electron injection and luminance efficiency, compared with the single layer LEDs.  相似文献   
97.
试样研磨对铜合金主要元素分析结果的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文从砂带,研磨方法,试样表现状况三个方面,分析了试样研磨对铜合金主要元素测试结果的影响。  相似文献   
98.
许多超出标准模型的新物理预言了非普适规范玻色子Z′的存在 .此粒子可产生许多新物理现象 .本文计算了顶色辅助的人工色 (TC2 )模型预言的非普适规范玻色子Z′对轻子味破坏 (LFV)衰变过程li→ljνl νl 的贡献 .结果表明 ,在整个参数空间内 ,过程τ± →ljντ ντ 的分支比比τ± →ljνl νl(l =μ ,e)的分支比大得多 .考虑实验测量值上限Brexp(μ→ 3e)≤ 1× 10 -12 对TC2模型的自由参数的限制 ,我们给出了一些轻子味破坏过程的上限 .在大部分参数空间中 ,分支比Br(τ± →ljντ ντ)~ 10 -6,Br(τ± →ljνl νl)~ 10 -9.这些结果可以用来部分地解释中微子振荡数据 ,将来的高能实验有可能探测到此新物理效应 .  相似文献   
99.
因子分析在企业竞争力评价中的应用   总被引:22,自引:1,他引:21  
根据因子分析原理,建立了企业竞争力的规模因子、效益因子和成长因子得分模型。通过现实竞争力和潜在竞争力分析,实现了企业竞争力和可持续发展的评价。  相似文献   
100.
欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号