基于新的整型9/7小波变换的硬件设计

提出了基于新的整型9/7小波变换的硬件设计方案.整个系统采用流水结构,充分利用硬件存储资源,实现了行列变换的并行处理.同时把常系数乘法优化为较少次数的移位加操作,加快了运算速度,缩小了电路规模.采用VHDL语言对系统进行描述并在Quartus Ⅱ 5.0环境下仿真,经验证满足图像实时处理的要求,为后续实时压缩编码和传输提供了有利条件.     

基于CAN总线的智能节点设计

应用51单片机为控制核心结合其他的器件设计了一种能连接于CAN总线上的智能节点。通过单片机控制CAN总线控制器SJA1000,并进一步通过CAN总线收发器PCA82C250,实现该智能节点与CAN总线的通信。此外通过对MCS-51单片机的I/O进行相应的扩展,使该智能节点具有了8输入和8输出的控制端口。最终完成该智能节点并通过实际测试,验证了其实用性。     

提升机故障知识本体检索机制研究

针对知识本体检索中存在的问题,构建了提升机故障知识本体的检索机制,给出了基于本体的提升机故障知识检索流程,并对检索中查询构造器、查询引擎及结果定制模块进行了详细的分析,给出了各个模块的具体结构及实现方法.最后结合提升机故障知识本体,通过系统的实际应用说明该方法有利于增加提升机故障知识的复用性和通用性,同时也验证了本文所提出的方法的有效性和正确性.     

Ru、Rh、Pd掺杂GaSb的电子结构和光学性质

运用第一性原理计算方法研究了过渡族金属TM(TM=Ru、Rh、Pd)掺杂GaSb的电子结构和光学性质,结果表明:TM掺杂GaSb主要以TM替代Ga(TM @Ga)缺陷存在,并可增强GaSb半导体材料对红外光区光子的响应,使体系光学吸收谱的吸收边红移;TM@Ga所引入的杂质能级分布于零点费米能级附近,这极大地增强了体系的介电性能,促进了电子-空穴对的产生和迁移,因而提升了掺杂体系的光电转换效率;Ru 掺杂对GaSb光学性质的改善最为明显,当掺杂浓度为6.25%(原子数分数)且均匀掺杂时,Ru掺杂GaSb体系对红外光区光子的吸收幅度最大,有效提升了GaSb光电转换效率和光催化活性。     

用于太赫兹通信的双向全并行相位估计算法

在太赫兹通信的超宽带应用场景下,太赫兹载波是通过多次倍频实现,因而导致相噪严重恶化。基于太赫兹频率下的多极/零相位噪声模型,在传统的盲相位估计算法的基础上,提出了一种全并行化的相位估计算法。该算法通过在每个并行数据中插入导频,将导频相噪信息作为初始相位对并行数据进行相位扩展及旋转鉴相。借鉴传统盲相位估计算法的最佳相位估计值的判决选择思路,同时利用前一时刻导频和当前时刻导频,对当前并行数据从前后两个方向进行相位估计并对前后两个估计相位基于距离前后导频的位置进行加权求和以获得最佳相位估计信息。经过仿真验证,通过该算法后残余相噪在1 MHz和10 MHz处分别降低10 dBc/Hz和25 dBc/Hz。     

自适应多组分气体检测系统设计

针对传统气体检测方案检测气体种类少、类别固定、灵活性差等问题,本中提出了一种自适应多组分气体检测系统。该系统采用端到端的设计思想,分为下位机气体检测端和上位机数据显示端。下位机支持同时进行6路气体检测,最多可扩展至32路气体检测;文中提出的自适应气体检测算法支持根据应用场景的需要更换不同的气体传感器;采集到的数据基于Fatfs文件管理系统实现有效管理;为进一步增强系统实时性,采用FreeRTOS操作系统实现任务调度。上位机基于Qt开发,可远程实时查看气体数据和对应的地理位置。实际测试结果表明,气体数据检测误差低于1%,数据传输时延在秒级,可忽略不计。     

水热法KTP倍频转换效率性能的研究

首次报道了水热法KTP倍频转换效率性能的研究,通过研究水热法KTP的电子显微镜照片,分析了水热法KTP内部的缺陷;通过理论和实验,研究了水热法KTP晶体的倍频转换效率,两者的高转换效率时的温度相同;通过选择合适的控制温度,在抽运功率为6.11W时,绿光输出为0.7W,继续加大抽运功率,输出绿光的增加幅度都在加大,此时的光-光转化效率是11.5%.     

60 GHz宽带无线通信射频芯片研究进展

60GHz无线通信技术由于其超高速的数据传输能力,将成为第4代无线通信技术的代表,引发了学术界和工业界研究热潮。近几年,随着半导体技术的发展,基于不同工艺的60GHz宽带无线通信射频芯片已经不断有报道。文中跟踪了近些年国外60GHz无线技术研究情况,分别从应用、技术特点、标准状况和芯片研究进展等方面介绍了60GHz宽带无线通信系统及其发展趋势。     

InAlAs/InGaAs/InP HEMT欧姆接触研究

应用Au/Ge/Ni系金属在InAlAs/InGaAs/InP HEMT上成功制作了良好的合金欧姆接触。采用WN和Ti双扩散阻挡层工艺优化欧姆接触,在样品上获得了最低9.01×10-8Ω.cm2的比接触电阻,对应的欧姆接触电阻为0.029Ω.mm。同时,在模拟后续工艺环境的20min250°C热处理后,器件的欧姆接触性能无显著变化,表明其具有一定的温度稳定性。     

S波段280 W SiC内匹配脉冲功率管

现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽.SiC MESFET具有高功率密度、高工作电压等优势,成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一.