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61.
有限混合Gamma分布的拓扑稠密性证明   总被引:2,自引:0,他引:2  
首先给出了有限混合Erlang分布在正实数轴上所有概率分布中稠密的理论证明,进而给出了混合Gamma分布具有稠密性的结论,说明有限混合Gamma分布具有广泛的适用性,可以用来刻画正实数轴上的任意随机变量.  相似文献   
62.
首先构造一T_2的亚紧空间使其不是任一仿紧T_2空间的开紧映象,否定了A.Arhangel'skiǐ1962年提出的一个问题;其次利用构造开紧映射的方法指出存在具有G_δ对角线的T_2的次亚紧空间使其不具有G_δ~*对角线,肯定地回答了1999年R.Hodel提出的一个猜测.  相似文献   
63.
激光等离子体加速电子机制可以产生准单能的高能电子束, 近年来成为国际上的研究热点. 中国工程物理研究院激光装置已经能够达到286TW的输出功率, 为国内在该领域的研究提供了实验条件. 文章介绍了在SILEX-1装置上开展的激光等离子体加速电子的初步实验, 并对测得结果进行讨论, 为下一步实验的进行提供了准备条件.  相似文献   
64.
利用奇异摄动多重尺度导数展开法,从非线性介质中的原始Maxwell方程组出发,导出了修正非线性schrdinger方程,给出了其不同形式的等价的两种表达式;同时还指出了Kodama利用约化微扰法推导此方程的不严格之处。  相似文献   
65.
Complex formation between aluminium and quercetin(Q) in methanol was investigated by means of 27^Al solid-state, 13^C and 1^H NMR and MS(ESI), UV and IR spectra. Formation of the 1:2 complex was favored in methanol relative to all other solvent and the predominant species observed of Al(Ⅲ) has a 1:2 stoichiometry. The fine structure of 1:2 aluminum complex of quercetin was that the aluminum central atom chelated with two quereetin molecules and two methoxyl groups between two five membered rings, its coordination is six, the chelated site was 3-hydroxy-4-carbonyl.  相似文献   
66.
林德秋 《电子质量》2002,(12):12-15,19
本文介绍HART协议物理层设备的测试要求、测试设备、测试方法及测试时的一些特别说明。  相似文献   
67.
LaB6在低压强氮气和氦气中的放电特性   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 研究了LaB6在1~10 Pa氮气和氦气中的直流和脉冲放电特性以及放电过程对电极的影响。结果表明,电极直径为5 mm的LaB6氦气放电管在脉冲工作状态下可以长期稳定放电。在脉冲电压为2.2 kV、脉冲宽度10 ms、频率13.3 Hz下,脉冲峰值放电电流超过120 A。氦气放电管在放电过程中,阴极表面有离子的清洗和活化作用,可以使电极的表面逸出功降低,提高放电管的发射能力和稳定性。LaB6作为气体放电电极具有寿命长、延迟时间短、放电电流大等优点,可用于重复强流脉冲气体放电的高压高速开关器件。  相似文献   
68.
研究了乙醇、丙酮两种拉曼介质在宽带抽运情况下啁啾激光脉冲的受激拉曼散射频谱特性 ,得到的一级Stokes光频谱宽度与抽运光基本相当 ,且具有较高的转换效率 ,从而表明了利用“展宽—受激拉曼散射—压缩”的办法获得波长近 1μm的飞秒级超短脉冲激光信号源的实验方案具有可行性  相似文献   
69.
射频MEMS压控电容器   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1  相似文献   
70.
本文采用无催化剂直接蒸发高纯Zn粉,在800℃氧气氛条件下,在Si(111)衬底上生长得到以四角状为主的纳米ZnO(T-ZnO)。T-ZnO纳米线每个角约互成110°,长度约为1.5μm,直径100nm左右;Raman分析表明E2(H)普遍存在于各形态的ZnO;光致发光光谱表明,T-ZnO纳米线的光致发光除了与材料性质有关,还与杂质缺陷有关,蓝绿光带是ZnO的缺陷产生的。  相似文献   
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