便携式无线通信中的陶瓷技术

重点讨论了现代无线通信中关键元器件之一滤波器的发展进程,中、高频及微波滤波器的主要类型及性能特点。低损耗、高介电常数陶瓷在RF和IF滤波器中的应用,能够实现无线设备的微型化。对制备滤波器的介质陶瓷材料的要求是:在所使用的波段内,相对介电常数r要大,可缩小介质元件的尺寸;品质因数Q要高,可获得良好的滤波特性及通讯质量;谐振频率的温度系数f接近于零或可调节,以达到整机电子回路的要求。     

铜铟铋硫对Sn-Ag基无铅焊料性能的影响

研究了Cu、In、Bi、S元素对Sn-Ag基无铅焊料熔点和铺展性的影响。结果表明:Sn-Ag-Cu三元合金成分为95.5%Sn3.5%Ag1%Cu时具有较低熔点(215℃)和好的铺展性;加入适量的In可降低Sn-Ag合金的熔点和改善铺展性能;随w(Bi)的增加Sn-Ag-Bi三元合金的熔点降低、铺展性变好;Sn-Ag合金的熔点随w(S)的增加而升高,加入少量S能改善Sn-Ag合金的铺展性。     

一类可由基本模型嵌套组成的工作流系统的性能分析方法

工作流是近年来网络领域里研究的一个热点,对工作流模型的性能分析是工作流研究的一个重要内容.实际的模型往往规模大而复杂,这为分析其性能带来了很大的困难.但有一类模型可由工作流的四种基本模型(顺序、并行、选择、循环)嵌套组成,对于这类模型,本文给出了计算其性能乘积解的数学公式.文中给出了如何由这四种基本模型嵌套组成实际模型的方法,推导出了计算这四种基本模型的性能等价公式,并按建立实际模型相反的顺序,用由里到外逐层的分析方法,给出了计算实际模型的性能乘积解.     

大规模MPLS网络中的新兴技术

随着网络规模越来越大,选择一个完善的网络管理框架并有效降低标签需求量对于MPLS网络而言显得十分重要。为此,探讨了基于策略的MPLS管理以及Trainet等近年来出现的大规模MPLS网络新兴技术,并与现有相关技术进行了比较。     

CSCL Script理论研究与系统设计

CSCL Script的研究成为当前CSCL领域中新的研究热点。为了更好的支持协同学习过程的设计,文章在综述和研究CSCL Script相关理论的基础上，重点设计了模型基本框架、主要功能和各模块之间关系,最后采用“面向行为流”方法基于树型结构设计实现该系统。     

基于复数权值神经元的数字逻辑最稳健设计

复数权值神经元由于引入了多阈值逻辑而具有更强的性能,文中根据其数学模型,结合二进神经元稳健性的概念,提出了基于该神经元的稳健性定义.并结合定义,实现了基于单个神经元的基本数字逻辑以及异或运算的最稳健设计方案,从而证明了该稳健神经元实现任意数字逻辑的有效性和可行性,说明了其强大的处理能力.     

辽河冷家油田特稠油降粘剂LJVR-1及其性能评价

采用荧光法测定了辽河冷家油田冷47-556井特稠油乳化HLB值,然后以混合型表面活性剂、非离子型表面活性剂为主剂,快速渗透剂为辅剂按一定比例制备了水基降粘剂LJVR-1.实验结果表明,该降粘剂具有良好的乳化降粘性能,开采后易于破乳脱水,是一种较为理想的特稠油降粘剂.     

光电传感器在战场侦察车上的应用与发展

通过对国内外战场侦察车光电传感器资料及实物的查阅和调研，并通过总结几十年的工作和设计经验，论述了战场侦察车上光电传感器在未来数字化战争中的作用和地位。对国外传感器系统在侦察车上的应用状况进行了分析，着重对各种传感器进行分析与比较，并对多光谱技术、多传感器的图像融合技术以及桅杆的应用和要求提出看法。最后对我国光电传感器在战场侦察车上的应用与发展提出了建议。     

若干具有[(PO4)2Mo5O15]簇骼的化合物的光谱研究

本文对所合成的具有 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼的 3种新颖的有机 磷钼酸盐簇合物(NH3CH2 CH2 NH3) 2 5[(PO4 ) (HPO4 )Mo5O1 5]·7 5H2 O (Ⅰ ) ,(H3NCH2 CH2 NH3) 3·[(PO4 ) 2 Mo5O1 5]·3H2 O (Ⅱ )和(H3NCH2 CH2 NH3) 2 ·[Cu(en) ][(PO4 ) 2 Mo5O1 5]·5H2 O (Ⅲ )用FTIR ,NIR Raman ,紫外 可见漫反射光谱 (UV VisDRS)和荧光光谱等研究手段 ,对其进行光谱研究 ,探讨其结构和性能的关系。在这些化合物中 ,化合物Ⅰ和Ⅱ具有孤立的 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼基元 ,而化合物Ⅲ的 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼基元是由 [Cuen]基团桥联成链 ;磷钼酸盐的特征振动频率和这些化合物的结构相关 ;UV VisDRS显示 ,在 2 0 0和 2 6 0nm左右有两个杂多化合物的特征吸收谱带 ;化合物的稳态荧光光谱中 ,观察到以 2 4 0nm激发 ,在大约 4 0 0nm附近出现的由金属氧簇Oμ→Mo跃迁激发所引起的较强的发射峰 ,在化合物 (Ⅲ )中 ,还观察到通过 [Cuen]的荷移跃迁的以 5 70nm激发所产生的 6 0 4nm的发射峰。     

基于CH365型接口和MCX314As型运动控制器的PCI总线运动控制卡设计

以CH365型PCI总线接口和MCX314As型运动控制器为核心硬件,自主研发了基于运动控制器的PCI总线运动控制卡,该控制卡能够实现4轴位置、速度和S曲线的加减速控制,具有直线、圆弧、位模式插补功能及自动原位搜寻功能,同时具有4路信号输入和8路通用输出.