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带有频变负载的传输线系统的瞬态响应分析是电磁兼容领域的一个重要内容,特别是对于频变负载网络较为复杂或内部结构不清晰的情况,其瞬态响应的分析较为困难。本文首先在采样频率点处对频变负载端口导纳进行测量或计算得到相应的采样导纳,并采用有理函数逼近的方式对端口导纳进行等效;之后采用矩阵束(MPM)方法求解出有理逼近函数所需的极点和留数,并将其代入到分段线性递归卷积(PLRC)技术中,实现传输线和频变负载连接点处电压的分段线性递归卷积表达;最后,结合传输线方程实现带有频变负载的传输线系统的瞬态响应分析,并通过2个算例对所提方法的性能进行验证。结果表明,所提方法在计算精确度上具有明显的优势。 相似文献
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MOCVD法外延生长GaN基材料作为新世纪的核心技术之一受到全世界的高度重视。MOCVD技术涉及面广,控制对象复杂,且对控制对象的精度、重复性、可靠性要求较高。主要介绍了用于GaN基材料生长的生产型MOCVD(2″×6)设备控制系统的组成与特点。设备运行一年来的结果表明,该系统可靠性高、抗干扰性好、运行效果良好。 相似文献
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采用显微硬度测试仪、扫描电镜和透射电镜观察及能谱分析,研究了Al-0.5Mg-1.0Si-0.8Cu(wt.%)合金的晶界析出规律和晶内析出相的粗化机制。结果表明:180℃时效处理的Al-0.5Mg-1.0Si-0.8Cu(wt.%)合金晶界处存在富Si相和Q相两类不连续分布的析出相,它们的尺寸分别约为1 mm和几十纳米;时效0.5 h时晶界处有少量富Si相,时效5 h时晶界富Si相明显增多,时效36 h时富Si相开始粗化且间距变大,再进一步时效其形貌和分布变化不大;晶界Q相与相邻晶粒铝基体的界面取向关系是:[510]Al//[1120]Q;时效36 h晶内开始出现粗化析出相,且随时效继续进行合金晶内析出大量粗化相,存在明显的晶界无析出带现象。晶内粗化析出相主要含有Si元素,呈片状、球状和棒状3种形貌。其中,棒状Si析出相是沿〈001〉Al方向生长的,且〈112〉Si//〈001〉Al,{111}Si//{010}Al。 相似文献
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针对传统三维形变模型计算量大,难以满足实时性的不足,提出一种实用、高效的三维形变模型,进行个性化三维人脸重建。首先,对三维人脸关键特征点定位,分割划片;然后,对每个分片分别建立形变模型并进行匹配恢复其局部形状信息;最后,把每部分进行无缝拼接,生成逼真的三维人脸。实验结果表明,该方法能够获得较好的建模精度,在短时间内可以通过单幅真实图像重建出逼真的三维人脸模型。 相似文献