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21.
掺杂对碳纳米管拉曼光谱及场发射性能的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用高温热解法在860℃分别制备出了镓、氮以及硼和氮掺杂的碳纳米管,提纯后利用丝网印刷工艺分别将它们制备成薄膜,并测试了它们的拉曼光谱与场发射性能。测试结果表明,掺杂纳米管的缺陷密集度比纯碳纳米管明显增大,而它们的场致电子发射性能则与掺杂元素的性质密切相关。镓和氮掺杂的纳米管均具有非常优异的场发射性能,而硼和氮共掺杂的纳米管的场发射性能很差。掺杂引起碳纳米管费米能级附近能态密度的变化及功函数的降低是其具有优异场致电子发射性能的主要原因。  相似文献   
22.
一种供应链中的知识管理绩效评价方法研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
作为知识管理的重要组成部分,知识管理绩效评价旨在帮助企业找出影响绩效提高的关键因素并及时采取有效措施,提高知识管理水平。本文从创造顾客价值、知识的获取能力、知识的共享与传播能力、知识的运用水平、知识的存量水平和知识管理平台等六个方面,分析了评价供应链的知识管理绩效应考虑的主要因素,建立了供应链的知识管理绩效评价指标体系,在此基础上,提出了运用D-S证据推理方法,对供应链知识管理绩效进行评价,并给出了证据推理的算法步骤,最后通过算例分析,说明该方法的有效性、实用性。  相似文献   
23.
对用索氏提取法和乙醇浸取法提取红景天红色素进行了比较,并探讨浸取的浓度,浸取温度等因素,指出了最佳生产工艺条件,从红景天中提取的天红色素是一种安全无毒的食用色素,本文还研究了几种食品添加剂对红景天红色素稳定性的影响,并对色素的耐氧化性进行了探讨,旨在为红景天红色素的开发利用提供有实用价值的信息。  相似文献   
24.
ZrC/ZrB2 multilayered coatings with bilayer periods of 3.5-40nm are synthesized by rf magnetron sputtering. Analyses of x-ray diffraction, scanning electron microscopy and nanoindentation indicate that multilayered coatings possess much higher hardness and greater fracture resistance than monolithic ZrC and ZrB2 coatings. A maximum hardness (41.TCPa) and a critical fracture load (73.7mN) are observed in the multilayer with A = 32 nm deposited at the substrate bias -40 V. Higher residual stress built in the ZrC layer can be released by periodic insertion of ZrB2 into the ZrC layer. A clear multilayered structure with mixed ZrB2(001), ZrB2 (002) and ZrC (111) orientations should be responsible for the enhanced mechanical properties.  相似文献   
25.
利用UTD修正的MoM-PO混合算法研究   总被引:7,自引:4,他引:3  
介绍了利用矩量法(MoM)和物理光学(PO)混合方法处理复杂线体结构的电磁散射问题,提出利用pulse基函数对线电流进行展开,使得处理复杂线体结构问题变得简化,并推导出一般的矩阵方程。然后针对PO在阴影区域失效等问题,利用UTD(一致性几何绕射)对该简化模型结构下的PO区域电流进行了修正,使得其应用范围得到扩展、计算精度得到提高。文中的实例结果与传统的MoM很好的一致,从而说明了该方法的有效性和精确性。  相似文献   
26.
研究了J/Ψ→pp^-π衰变过程中核子极点图的贡献,特别是由离壳效应带来的贡献.发现衰变宽度对形状因子是敏感的.在通过用J/Ψ→pp^-π衰变研究N^*时,核子极点图作为背景道的贡献是非常重要的;在通过J/Ψ→pp^-η和pp^-η研究N^*时,核子极点图的贡献可忽略不计;在通过J/Ψ→pp^-ω研究N^*时,核子极点图有明显的贡献.  相似文献   
27.
梁迎新  金报春 《通信对抗》2007,(2):11-14,38
以CHESS系统为例,介绍了差分跳频通信系统的基本原理,对其抗常规有意干扰的性能作了简要分析;在此基础上,初步探索了对CHESS系统进行侦察干扰的方法,并在计算机上对干扰效果进行了仿真比较。  相似文献   
28.
By using the multichannel quantum defect theory(MQDT),we have evaluated the energy levels and lifetimes of 2sns ^3 S1,2snd ^3D(n=3-25)of BeI and 1 sns ^3s1,1snd ^3D(n=3-25)of BeⅢ,These energies and lifetimes that we have calculated not only agree with the recent measurements and theoretical calculation of Ref.4 and Ref.3, but also predict the lifetimes of 66 other highly excited states.  相似文献   
29.
Applying the approximate Fokker-Planck equation we derived, we obtain the analytic expression of thestationary laser intensity distribution Pst(Ⅰ) by studying the single-mode laser cubic model subject to colored cross-correlation additive and multiplicative noise, each of which is colored. Based on it, we discuss the effects on the stationarylaser intensity distribution Pst(Ⅰ) by cross-correlation between noises and “color“ of noises (non-Markovian effect) whenthe laser system is above the threshold. In detail, we analyze two cases: One is that the three correlation-times (i.e.the self-correlation and cross-correlation times of the additive and multiplicative noise) are chosen to be the same value(τ1 = τ2 = τ3 = τ). For this case, the effect of noise cross-correlation is investigated emphatically, and we detect thatonly when λ≠ 0 can the noise-induced transition occur in the Pst(Ⅰ) curve, and only when τ≠ 0 and λ≠ 0, can the“reentrant noise-induced transition“ occur. The other case is that the three correlation times are not the same value,τ1 ≠τ2 ≠τ3. For this case, we find that the noise-induced transition occurring in the Pst (Ⅰ) curve is entirely differentwhen the values of τ1, τ2, and τ3 are changed respectively. In particular, when τ2 (self-correlation time of additivenoise) is changing, the ratio of the two maximums of the Pst(Ⅰ) curve R exhibits an interesting phenomenon, “reentrantnoise-induced transition“, which demonstrates the effect of noise “color“ (non-Markovian effect).  相似文献   
30.
HIN2xxE系列是由+5V单电源供电的高速RS-232收发电路,符合EIARS-232C和V.28规范,以电源功耗低为显著特点,广泛应用于ISDN和高速调制解调器,尤其是电池供电系统中。文中主要介绍HIN2xxE系列电路的原理、特性和典型应用。  相似文献   
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